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本发明公开了一种半导体结构的制备方法以及半导体结构，该方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上存在间隙；在所述半导体衬底上形成保护层；在所述保护层上沉积BPSG膜，以通过所述BPSG膜对所述半导体衬底上的间隙进行填充；对间隙填充后的半导体...
该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

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