一种半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件的制造方法。根据本发明专利技术的半导体器件的制造方法，通过在半导体衬底上形成第一刻蚀停止层、第一目标介质层、第二刻蚀停止层和第二目标介质层；以及在第二目标介质层上具有不同开口尺寸的层叠的第一硬掩膜层和第二掩膜层，就可以实现大马士革结构。根据本发明专利技术的方法，只需要采用一次光刻工艺，即能实现双大马士革工艺中的双大马士革结构，不需高昂的光刻设备支持，设备的成本更低；形成的大马士革结构易于填充，可以实现无缝隙的填充；同时根据本发明专利技术的半导体器件的制造方法，具有广泛的适用性，还可以用于常规通孔的刻蚀，具有更加广泛的应用前景。具有更加广泛的应用前景。具有更加广泛的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件的制造方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造的IC制造业金属互连的策略中，铜被用做主要的芯片互 连导体。由于铜难于刻蚀，早期从事铜刻蚀研究的工作者被迫考虑选择另 一方法产生金属线，双大马士革方法成为人们一致同意的用于铜金属化的 方法。
[0003]与传统的铝互连工艺比较，双大马士革法，除了使用金属线互连槽工 艺以外，也使用接触孔或是通孔将两线连在一起的金属镶嵌工艺，即同时 进行通孔和金属线的填充，这节省了工艺步骤并消除了通孔和金属线之间 的界面。从而使得，双大马士革法具有减少了0％到30％的工艺步骤2。双 大马士革法不仅有较少的制造步骤，而且排除或减少了传统铝互连金属化 中最难的步骤，即铝刻蚀和许多钨与介质的化学机械抛光步骤。
[0004]双大马士革工艺包括两种，先孔后槽(Via First，Trench Last)和先槽 后孔(Trench First，Via Last)，这两种工艺都是需要两次或是两次以上的 涂胶曝光和干法刻蚀等本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成第一刻蚀停止层、第一目标介质层、第二刻蚀停止层和第二目标介质层；在所述第二目标介质层上依次形成第一硬掩膜层和图案化的第二掩膜层，所述第二掩膜层中具有第一开口，所述第一开口露出部分所述第一硬掩膜层；以所述第二掩膜层为掩膜刻蚀所述第一硬掩膜层，以在所述第一硬掩膜层中形成第二开口，所述第二开口露出部分所述第二目标介质层，并且所述第二开口的尺寸大于所述第一开口；以所述第二掩膜层为掩膜刻蚀所述第二目标介质层以在所述第二目标介质层中形成第三开口，所述第三开口露出部分所述第二刻蚀停止层；以所述第二掩膜层为掩膜刻蚀所述第二刻蚀停止层以在所述第一刻蚀停止层中形成第四开口，所述第四开口露出部分所述第一目标介质层；去除所述第二掩膜层；以所述第一硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一目标介质层和所述第二目标介质层，以在所述第一目标介质层中形成第五开口，并且使所述第三开口扩展成第六开口；以所述第一硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述第二刻蚀阻挡层和所述第一刻蚀阻挡层，以在所述第一刻蚀阻挡层中形成第七开口，并且使所述第四开口扩展成第八开口，其中所述第八开口的尺寸等于所述第六开口的尺寸。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述以所述第二掩膜层为掩膜刻蚀所述第一硬掩膜层的方法包括采用干法...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文文，黄仁瑞，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：