MIM电容的导线通孔形成方法技术

本发明专利技术提供了一种MIM电容的导线通孔形成方法，包括交替形成金属线层和绝缘层，所述绝缘层的数量与所述金属线层的数量相同，且数量至少为2，刻蚀所述绝缘层和所述金属线层，以形成暴露所述金属线层部分顶面的通孔，且一层所述金属线层对应至少一个所述通孔，在所述通孔内形成隔离介质层，刻蚀所述隔离介质层，以暴露所述通孔对应的金属线层，在所述通孔内形成金属导电层，以形成MIM电容，一次性形成所有通孔，无需进行多次光刻，减少了光刻次数，从而降低了工艺复杂度和成本。低了工艺复杂度和成本。低了工艺复杂度和成本。

【技术实现步骤摘要】
MIM电容的导线通孔形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种MIM电容的导线通孔形成方法。

技术介绍

[0002]金属绝缘体金属(metal
‑
insulator
‑
metal，MIM)电容通常包括金属线层和绝缘层，形成两层金属线层之间夹着绝缘层的三明治结构。
[0003]随着半导体技术集成度和芯片性能要求的提高，对大容量电容的需求也在增加，然而芯片面积随技术发展会不断缩小，每颗芯片表面能提供给电容的相对面积会减少，这就需要提高电容密度来满足高性能芯片的需求。目前用于提高MIM电容密度的方法主要为采用双层甚至更多层MIM电容并联的复合结构。但无论是单层MIM电容还是多层MIM电容，均涉及如何将作为电容上、下极板的金属层引出从而实现电连接的问题。
[0004]现有技术中，通常在形成每一金属层及其上方的绝缘层之后，分别进行光刻、刻蚀，从而在该绝缘层中形成暴露出下方金属层的通孔(Via)，然后通过通孔填充工艺，形成连接该金属层的导电插塞(Plug)，如此反复多次之后，通过多层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MIM电容的导线通孔形成方法，其特征在于，包括：交替形成金属线层和绝缘层，所述绝缘层的数量与所述金属线层的数量相同，且数量至少为2；刻蚀所述绝缘层和所述金属线层，以形成暴露所述金属线层部分顶面的通孔，且一层所述金属线层对应至少一个所述通孔；在所述通孔内形成隔离介质层；刻蚀所述隔离介质层，以暴露所述通孔对应的金属线层；在所述通孔内形成金属导电层，以形成MIM电容。2.根据权利要求1所述的MIM电容的导线通孔形成方法，其特征在于，所述刻蚀所述绝缘层和所述金属线层，以形成暴露所述金属线层部分顶面的通孔，包括：刻蚀所述绝缘层和所述金属线层，形成暴露所述金属线层部分顶面且开口尺寸与所述金属线层所在深度呈正比的通孔。3.根据权利要求2所述的MIM电容的导线通孔形成方法，其特征在于，所述刻蚀所述绝缘层和所述金属线层，形成暴露所述金属线层部分顶面且开口尺寸与所述金属线层所在深度呈正比的通孔，包括：刻蚀最顶层的所述绝缘层，形成开口尺寸与所述金属线层所在深度呈正比的模孔；在所述模孔内形成牺牲介质层，刻蚀所述牺牲介质层，然后以所述牺牲介质层作为掩模层刻蚀所述绝缘层和所述金属线层，以形成暴露所述金属线层部分顶面的通孔。4.根据权利要求3所述的MIM电容的导线通孔形成方法，其特征在于，所述在所述模孔内形成牺牲介质层，刻蚀所述牺牲介质层，然后以所述牺牲介质层作为掩模层刻蚀所述绝缘层和所述金属线层，以形成暴露所述金属线层部分顶面的通孔，包括：在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄子伦，
申请(专利权)人：苏州聚谦半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：