温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种MIM电容的导线通孔形成方法，包括交替形成金属线层和绝缘层，所述绝缘层的数量与所述金属线层的数量相同，且数量至少为2，刻蚀所述绝缘层和所述金属线层，以形成暴露所述金属线层部分顶面的通孔，且一层所述金属线层对应至少一个所述通孔...
该专利属于苏州聚谦半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州聚谦半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。