三维存储器及其制备方法技术

本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。三维存储器的制备方法包括：交替叠置层间绝缘层和牺牲层以形成叠层结构，并形成贯穿所述叠层结构的栅间隙；经由所述栅间隙去除所述牺牲层，以形成牺牲间隙；以及在所述牺牲间隙内依次形成第一导电层、填充介质层以及第二导电层，以形成栅极导电层，其中，所述第一导电层和所述第二导电层共同包围所述填充介质层。和所述第二导电层共同包围所述填充介质层。和所述第二导电层共同包围所述填充介质层。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体
，更具体地，涉及三维存储器及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是近年来，平面型闪存的发展遇到了各种挑战，如物理极限以及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难，向纵向方向发展的三维存储器应运而生。
[0003]在三维存储器中，栅极导电层作为存储阵列的字线，执行编程、擦写、读取等操作，因此，栅极导电层结构的稳定性是影响三维存储器性能的一个重要因素。然而，受限于实际制备工艺，对三维存储器中诸如栅极导电层(作为存储阵列的字线)的形成带来了巨大的挑战。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种三维存储器的制备方法，该三维存储器的制备方法包括：交替叠置层间绝缘层和牺牲层以形成叠层结构，并形成贯穿所述叠层结构的栅间隙；经由所述栅间隙去除所述牺牲层，以形成牺牲间隙；以及在所述牺牲间隙内依次形成第一导电层、填充介质层以及第二导电层，以形成栅极导电层，其中，所述第一导电层和所述第二导电层共同包围所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括：交替叠置层间绝缘层和牺牲层以形成叠层结构，并形成贯穿所述叠层结构的栅间隙；经由所述栅间隙去除所述牺牲层，以形成牺牲间隙；以及在所述牺牲间隙内依次形成第一导电层、填充介质层以及第二导电层，以形成栅极导电层，其中，所述第一导电层和所述第二导电层共同包围所述填充介质层。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述牺牲间隙内依次形成第一导电层、填充介质层以及第二导电层包括：在所述牺牲间隙内形成第一导电层；采用介质材料填充所述牺牲间隙的剩余部分，以形成填充介质层；经由所述栅间隙回刻所述填充介质层以形成子间隙；以及在所述子间隙内填充导电材料以形成第二导电层。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：经由所述栅间隙回刻所述第一导电层和所述第二导电层，并在回刻的所述栅极导电层的部分填充绝缘材料。4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述牺牲间隙内形成第一导电层包括：在所述牺牲间隙内依次形成阻隔层、粘合层及所述第一导电层。5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述子间隙内填充导电材料以形成第二导电层包括：在所述子间隙内形成阻挡层；以及在所述子间隙内填充导电材料以形成第二导电层。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述方...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘思敏，徐伟，许波，郭亚丽，吴智鹏，张鹏，刘力恒，严龙翔，陈斌，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：