一种深沟槽型超结场效应晶体管中的新型结构及制造方法技术

本发明专利技术公开了一种深沟槽型超结场效应晶体管中的新型结构及制造方法，新型结构包括：设于衬底上的半导体层，所述半导体层中设有第一种掺杂类型的漂移区；自所述半导体层表面进入所述半导体层，并位于所述漂移区中的沟槽；设于所述沟槽的内壁表面上的缓冲层，所述缓冲层以内的所述沟槽中形成填充空腔；所述缓冲层与所述半导体层含有同一种第一元素，且所述缓冲层还含有与所述第一元素不同的至少一种第二元素。本发明专利技术能够有效控制沟槽内外材料之间的材料扩散，进一步减小漂移区的特征电阻，以提供更精细稳定的耐压特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路工艺，尤其涉及一种深沟槽型超结场效应晶体管中的新型结构及制造方法。

技术介绍

1、超结场效应晶体管对比传统平面结构的场效应晶体管,因结构上的变化带来了超越硅极限(理论临界)的理想漂移区特征电阻。其中，常见的超结制造方法，包括在衬底上的n型漂移区通过多次离子注入形成p型柱，或通过蚀刻出深沟槽并进行填充形成p型柱两种方式。前述两种方式中，因为深沟槽蚀刻填充的方式对于n型/p型材料分界上的扩散控制相对较容易，所以在电学耐压性上的效果较好。

2、随着器件面积的不断缩小，如何进一步减小漂移区特征电阻(ron)，和减少n型/p型材料分界上的扩散，也成为了持续改善的重要课题。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种深沟槽型超结场效应晶体管中的新型结构及制造方法。

2、为实现上述目的，本专利技术的技术方案如下：

3、本专利技术提供一种深沟槽型超结场效应晶体管中的新型结构，包括：

4、设于衬底上的半导体层，所述半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种深沟槽型超结场效应晶体管中的新型结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的深沟槽型超结场效应晶体管中的新型结构，其特征在于，所述第一元素包括Si，所述第二元素包括Ge、C、P、As中的至少一种，和/或，所述第二元素在所述缓冲层中的含量，在沿所述沟槽内壁向内方向上逐渐变化或梯度变化。

3.根据权利要求1所述的深沟槽型超结场效应晶体管中的新型结构，其特征在于，所述缓冲层为单层或多层叠层，且所述多层叠层中的任意两个相邻层的材料不同；或者，所述缓冲层包括SiGe、SiGeC、SiC、SiP、SiAs、SiAsC中的一种形成的单层，或两种以上形成的多层叠层。...

【技术特征摘要】

1.一种深沟槽型超结场效应晶体管中的新型结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的深沟槽型超结场效应晶体管中的新型结构，其特征在于，所述第一元素包括si，所述第二元素包括ge、c、p、as中的至少一种，和/或，所述第二元素在所述缓冲层中的含量，在沿所述沟槽内壁向内方向上逐渐变化或梯度变化。

3.根据权利要求1所述的深沟槽型超结场效应晶体管中的新型结构，其特征在于，所述缓冲层为单层或多层叠层，且所述多层叠层中的任意两个相邻层的材料不同；或者，所述缓冲层包括sige、sigec、sic、sip、sias、siasc中的一种形成的单层，或两种以上形成的多层叠层。

4.根据权利要求1所述的深沟槽型超结场效应晶体管中的新型结构，其特征在于，所述缓冲层含有第一种掺杂类型的掺杂杂质和/或与第一种掺杂类型不同的第二种掺杂类型的掺杂杂质。

5.根据权利要求1所述的深沟槽型超结场效应晶体管中的新型结构，其特征在于，还包括：设于所述空腔中的与第一种掺杂类型不同的第二种掺杂类型的填充层。

6.一种深沟槽型超结场效应晶体管中的新型结构制造方法，其特征在于，包括：

7.根据权利要求6所述的深沟槽型超结场效应晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄子伦，
申请(专利权)人：苏州聚谦半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：