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本发明公开了一种深沟槽型超结场效应晶体管中的新型结构及制造方法，新型结构包括：设于衬底上的半导体层，所述半导体层中设有第一种掺杂类型的漂移区；自所述半导体层表面进入所述半导体层，并位于所述漂移区中的沟槽；设于所述沟槽的内壁表面上的缓冲层，所...
该专利属于苏州聚谦半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州聚谦半导体有限公司授权不得商用。

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