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本发明公开了一种半导体器件的制造方法。根据本发明的半导体器件的制造方法，通过在半导体衬底上形成第一刻蚀停止层、第一目标介质层、第二刻蚀停止层和第二目标介质层；以及在第二目标介质层上具有不同开口尺寸的层叠的第一硬掩膜层和第二掩膜层，就可以实现...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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