【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】低电阻触点互连的方法与设备
[0001]本公开内容的多个实施方式一般涉及用于处理基板的方法和设备，且更具体地，涉及用于处理基板以形成低电阻触点的方法和设备。
技术介绍
[0002]对于高级逻辑(advanced logic)和存储装置中的主动触点(aggressive contact)，存在有许多基本挑战。例如，为了获得最佳的逻辑和存储装置性能，需要将接触电阻保持在最小值。此外，由于正在开发具有非常小的临界尺寸(CD)和非常高的深宽比(HAR)的高级逻辑和存储装置，间隙填充挑战变得越来越难以克服。
[0003]因此，专利技术人提供了用于处理用于高级逻辑和存储装置的基板的方法和设备。
技术实现思路
[0004]本文提供了用于处理基板的方法和设备。在一些实施方式中，例如，一种用于处理基板的方法包括以下步骤：在基板上的至少一个特征结构内选择性地沉积第一金属层；在第一金属层的顶上(atop)且至少在界定至少一个特征结构的侧壁上沉积第二金属层；在第二金属层的顶上并在特征结构内沉积第三金属层，以至少完全填充至少一...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于处理基板的方法，包含以下步骤：在基板上的至少一个特征结构内选择性地沉积第一金属层；在所述第一金属层的顶上且至少在界定所述至少一个特征结构的多个侧壁上沉积第二金属层；在所述第二金属层的顶上并在所述特征结构内沉积第三金属层，以至少完全填充所述至少一个特征结构；和移除一些所述第二金属层或移除一些所述第二金属层和一些所述第三金属层，使得所述第二金属层和所述第三金属层的多个剩余部分与所述至少一个特征结构的顶表面齐平。2.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：从所述基板的基底层的至少表面移除金属氧化物，所述基底层由铝(Al)、铜(Cu)、钴(Co)、钼(Mo)、钌(Ru)、钛(Ti)或钨(W)的至少一种制成。3.如权利要求2所述的方法，其中沉积所述第一金属层的步骤包含以下步骤：使用第一处理腔室，其中沉积所述第二金属层的步骤包含以下步骤：使用第二处理腔室，其中沉积所述第三金属层的步骤包含以下步骤：使用所述第一处理腔室或第三处理腔室的至少一个腔室，其中移除至少一些所述第三金属层和至少一些所述第二金属层的步骤包含以下步骤：使用第四处理腔室，和其中移除所述金属氧化物的步骤包含以下步骤：使用第五处理腔室。4.如权利要求1至3任一项所述的方法，其中所述第一处理腔室和所述第三处理腔室构造为执行化学气相沉积，其中所述第二处理腔室构造为执行物理气相沉积，其中所述第四处理腔室构造为执行化学机械抛光，和其中所述第五处理腔室构造为执行预清洁或蚀刻处理的至少一个处理。5.如权利要求1所述的方法，其中沉积所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层的步骤包含以下步骤：沉积Al、Co、Cu、Mo、Ru、Ti和/或W的至少一种。6.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一个特征结构是过孔、沟槽或双镶嵌过孔链的至少一个。7.如权利要求1所述的方法，其中所述第一金属层沉积在所述至少一个特征结构内至所述至少一个特征结构的高度的约三分之一(1/3)到约三分之二(2/3)的高度或约30nm至约600nm的高度的一个高度。8.如权利要求1至3或5至7任一项所述的方法，其中使用群集工具执行沉积所述第一金属层、沉积所述第二金属层和沉积所述第三金属层，且其中使用独立设备执行移除一些所述第二金属层或移除一些所述第二金属层和一些所述第三金属层。9.一种用于处理基板的方法，包含以下步骤：在基板上的至少一个特征结构内选择性地沉积第一金属层；在所述第一金属层的顶上且至少在界定所述至少一个特征结构的多个侧壁上沉积第二金属层；在所述第二金属层的顶上沉积第三金属层，以完成以下中的一个：部分填充、完全填充
或过度填充所述至少一个特征结构；和移除一些所述多个侧壁、一些所述第三金属层和一些所述第二金属层，使得所述第二金属层和所述第三金属层的多个剩余部分彼此齐平，并且与所述多个侧壁的剩余部分齐平。10.如权利要求9所述的方法，进一步包含以下步骤：从所述基板的基底层的至少表面移除金属氧化物，所述基底层由铝(Al)、铜(Cu)、钴(Co)、钼(Mo)、钌(Ru)、钛(Ti)或钨(W)的至少一种制成。11.如权利要求10所述的方法，其中沉积所述第一金属层的步骤包含以下步骤：使用第一处理腔室，其中沉积所述第二金属层的步骤包含以下步骤：使用第二处理腔...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。