基板处理方法和基板处理系统技术方案

一种方法，是用于对将第一基板与第二基板接合而成的重合基板进行处理的方法，所述方法包括：沿所述第一基板的作为去除对象的周缘部与所述第一基板的中央部的边界形成周缘改性层；形成使所述周缘部处的所述第一基板与所述第二基板的接合强度减弱的未接合区域；以及以所述周缘改性层为基点来去除所述周缘部，在所述方法中，使第一龟裂从所述周缘改性层朝向所述第二基板延展，以使所述第一龟裂的下端比所述未接合区域更靠上方且所述未接合区域的内端比所述第一龟裂更靠径向外侧的方式形成所述周缘改性层。述周缘改性层。述周缘改性层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理方法和基板处理系统


[0001]本公开涉及一种基板处理方法和基板处理系统。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开了一种晶圆的磨削方法，其包括以下工序：从晶圆的一个面侧在比外周缘更靠内侧规定量的位置处沿外周缘照射激光光线，来去除晶圆的外周部；以及对被去除了外周部的晶圆的被磨削面进行磨削，来形成为规定的成品厚度。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2006
‑
108532号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开所涉及的技术在将基板彼此接合而成的重合基板中适当地去除第一基板的周缘部。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的一个方式是一种方法，用于对将第一基板与第二基板接合而成的重合基板进行处理，所述方法包括：沿所述第一基板的作为去除对象的周缘部与所述第一基板的中央部的边界形成周缘改性层；形成使所述周缘部处的所述第一基板与所述第二基板的接合强度减弱的未接合区域；以及以所述周缘改性层为基点来去除所述周缘部，在所述方法中，使第一龟裂从所述周缘改性层朝向所述第二基板伸展，以使所述第一龟裂的下端比所述未接合区域更靠上方且所述未接合区域的内端比所述第一龟裂更靠径向外侧的方式形成所述周缘改性层。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本公开，能够在将基板彼此接合而成的重合基板中适当地去除第一基板的周缘部。
附图说明
>[0012]图1是表示在晶圆处理系统中处理的重合晶圆的结构的一例的说明图。
[0013]图2是示意性地表示晶圆处理系统的结构的一例的俯视图。
[0014]图3是表示晶圆处理的主要工序的一例的流程图。
[0015]图4是表示晶圆处理的主要工序的一例的说明图。
[0016]图5是表示晶圆处理的主要工序的一例的说明图。
[0017]图6是在第一晶圆的内部产生的应力的影响的说明图。
[0018]图7是表示第一晶圆的分离的其它方法的一例的说明图。
具体实施方式
[0019]近年来，在半导体器件的制造工序中，在将基板彼此接合而成的重合基板中，针对在表面形成有多个电子电路等器件的半导体基板(下面称为“晶圆”)，对该晶圆的背面进行磨削来使晶圆薄化。
[0020]另外，通常对晶圆的周缘部进行倒角加工，但当如上述那样对晶圆进行磨削处理时，晶圆的周缘部成为尖锐的形状(所谓的刀刃形状)。于是，在晶圆的周缘部产生破片，晶圆可能会受损。因此，在磨削处理前，预先进行切削晶圆的周缘部的所谓的边缘修剪。
[0021]上述的专利文献1中记载的磨削方法是用于抑制在晶圆(第一晶圆)的外周部形成该刀刃形状的磨削方法。然而，在通过专利文献1中记载的方法对与第二晶圆进行了接合的第一晶圆进行边缘修剪(外周部的去除)的情况下，由于该外周部呈与第二晶圆进行了接合的状态，因此有时无法适当地去除外周部。具体地说，例如有时外周部的一部分未从第一晶圆适当地剥离而残留下来，使第一晶圆的背面形成伤痕或者成为使装置出现故障的原因。因而，以往的边缘修剪存在改善的余地。
[0022]因此，本公开所涉及的技术在将基板彼此接合而成的重合基板中适当地去除第一基板的周缘部。下面，参照附图来说明本实施方式所涉及的作为基板处理系统的晶圆处理系统和作为基板处理方法的晶圆处理方法。此外，在本说明书和附图中，对具有实质上相同的功能结构的要素标注相同的附图标记，由此省略重复说明。
[0023]在本实施方式所涉及的后述的晶圆处理系统1中，如图1所示，对将作为第一基板的第一晶圆W1与作为第二基板的第二晶圆W2接合而成的作为重合基板的重合晶圆T进行处理。而且，在晶圆处理系统1中，去除第一晶圆W1的周缘部We，并使该第一晶圆W1薄化。下面，将第一晶圆W1中的与第二晶圆W2接合的一侧的表面称为表面W1a，将与表面W1a相反一侧的表面称为背面W1b。同样地，将第二晶圆W2中的与第一晶圆W1接合的一侧的表面称为表面W2a，将与表面W2a相反一侧的表面称为背面W2b。
[0024]第一晶圆W1例如是硅基板等半导体晶圆，在表面W1a上形成有包括多个器件的器件层D。在器件层D还形成有表面膜F，经由该表面膜F与第二晶圆W2接合在一起。作为表面膜F，例如能够列举氧化膜(SiO2膜、TEOS膜)、SiC膜、SiCN膜或粘接剂等。此外，第一晶圆W1的周缘部We被进行了倒角加工，周缘部We的截面的厚度随着去向该截面的前端而变小。另外，周缘部We是在后述的边缘修剪中被去除的部分，例如是自第一晶圆W1的外端部起的径向上的0.5mm～3mm的范围。
[0025]第二晶圆W2例如具有与第一晶圆W1相同的结构，在表面W2a形成有器件层D和表面膜F，周缘部被进行了倒角加工。此外，第二晶圆W2无需为形成有器件层D的器件晶圆，例如也可以为支承第一晶圆W1的支承晶圆。在该情况下，第二晶圆W2作为保护第一晶圆W1的表面W1a的器件层D的保护件发挥功能。
[0026]此外，在本实施方式的晶圆处理系统1中，如后述的图5的(c)所示那样，通过将重合晶圆T中的第一晶圆W1分离为表面W1a侧和背面W1b侧来进行薄化。在以下的说明中，将分离后的表面W1a侧的第一晶圆W1称作第一分离晶圆Wd1，将分离后的背面W1b侧的第一晶圆W1称作第二分离晶圆Wd2。第一分离晶圆Wd1具有器件层D并被产品化。第二分离晶圆Wd2被再利用。此外，第一分离晶圆Wd1是指与第二晶圆W2进行了接合的状态的第一晶圆W1，有时包括第二晶圆W2在内地称作第一分离晶圆Wd1。另外，有时将第一分离晶圆Wd1和第二分离
晶圆Wd2中的被进行分离的面分别称作分离面。
[0027]如图2所示，晶圆处理系统1具有将搬入搬出站2与处理站3连接为一体的结构。例如在搬入搬出站2与外部之间分别进行能够收容多个重合晶圆T、多个第一分离晶圆Wd1、多个第二分离晶圆Wd2的各盒Ct、Cw1、Cw2的搬入和搬出。处理站3具备对重合晶圆T实施期望的处理的各种处理装置。
[0028]此外，在本实施方式中，分别设置了盒Ct和盒Cw1，但也可以设为相同的盒。即，可以共同地使用用于收容处理前的重合晶圆T的盒和用于收容处理后的第一分离晶圆Wd1的盒。
[0029]在搬入搬出站2设置有盒载置台10。在图示的例子中，多个、例如三个盒Ct、Cw1、Cw2在盒载置台10上沿Y轴方向自由地载置成一列。另外，载置于盒载置台10的盒Ct、Cw1、Cw2的个数不限定于本实施方式，能够任意地决定。
[0030]在搬入搬出站2，在盒载置台10的X轴负方向侧与该盒载置台10相邻地设置有晶圆搬送装置20。晶圆搬送装置20构成为在沿Y轴方向延伸的搬送路径21上移动自如。另外，晶圆搬送装置20具有保持并搬送重合晶圆T的例如两个搬送臂22、22。各搬送臂22构成为在水平方向及铅垂方向上移动自如且绕水平轴及铅垂轴移动自如。此外，搬送臂2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理方法，是用于对将第一基板与第二基板接合而成的重合基板进行处理的方法，所述基板处理方法包括：沿所述第一基板的作为去除对象的周缘部与所述第一基板的中央部的边界形成周缘改性层；形成使所述周缘部处的所述第一基板与所述第二基板的接合强度减弱的未接合区域；以及以所述周缘改性层为基点来去除所述周缘部，在所述基板处理方法中，使第一龟裂从所述周缘改性层朝向所述第二基板延展，以使所述第一龟裂的下端比所述未接合区域更靠上方且所述未接合区域的内端比所述第一龟裂更靠径向外侧的方式形成所述周缘改性层。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，还包括：向所述周缘部的内部照射激光来形成沿所述第一基板的径向延伸的多个分割改性层。3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，在形成所述周缘改性层之后形成所述未接合区域，在形成所述未接合区域时，通过第二龟裂将所述第一龟裂与所述未接合区域的内端连结。4.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，在形成所述未接合区域之后形成所述周缘改性层，在形成所述周缘改性层时，通过第二龟裂将所述第一龟裂与所述未接合区域的内端连结。5.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，还包括：将插入构件插入所述第一基板与所述第二基板的界面，在插入所述插入构件时，通过第二龟裂将所述第一龟裂与所述未接合区域的内端连结。6.根据权利要求3至5中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，所述第一龟裂与所述第二龟裂的连结部为所述第一龟裂的下端。7.根据权利要求3至6中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，还包括：通过对所述第一基板的背面进行磨削来使所述第一基板薄化，以使所述第一龟裂的下端比所述第一基板的磨削后的磨削面更靠上方的方式形成所述周缘改性层，将所述第一龟裂与所述第二龟裂在比所述磨削面更靠上方的位置处连结。8.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，还包括：沿所述第一基板的面方向形成作为分离所述第一基板的基点的内部面改性层。9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，以使所述周缘改性层的下端比所述内部面改性层更靠上方的方式形成所述周缘改性层。10.根据权利要求8或9所述的基板处理方法，其特征在于，在分离所述第一基板时，将所述周缘部一体地去除。
11.一种基板处理系统，对将第一基板与第二基板接合而成的重合基板进行处理，所述基板处理系统具备：第一改性部，其沿所述第一基板的作为去除对象的周缘部与所述第一基板的中央部的边界形成周缘改性层；第二改性部，其形成使所述周缘部处的所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：田之上隼斗，山下阳平，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：