一种抛光液、磷化铟抛光装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术属于抛光技术领域，更具体地，涉及一种抛光液、磷化铟抛光装置及方法，其中抛光液包括基液以及混合于基液中的金属粉末、磨料；金属粉末与磨料的质量比为1:2～1:4，金属粉末的金属性强于铟。本发明专利技术中一方面通过金属接触腐蚀反应将磷化铟表面氧化，从而降低磷化铟表面的硬度，其避免了使用酸性物质或碱性物质生成有毒气体危害工作人员安全或污染环境，同时还避免了抛光液对抛光装置的腐蚀。同时还避免了抛光液对抛光装置的腐蚀。同时还避免了抛光液对抛光装置的腐蚀。

【技术实现步骤摘要】
一种抛光液、磷化铟抛光装置及方法


[0001]本专利技术属于抛光
，更具体地，涉及一种抛光液、磷化铟抛光装置及方法。

技术介绍

[0002]磷化铟(InP)是重要的
Ⅲ‑Ⅴ
族化合物半导体材料之一，是继Si、GaAs之后的新一代电子功能材料。磷化铟具有很多优点：直接跃迁型能带结构，具有高的电光转换效率；工作温度高(400
‑
450℃)；具有强的抗辐射能力；作为太阳能电池材料的转换效率高等。磷化铟电子迁移率非常高，作为高频的InP基器件在几十GHZ的频率范围有很大的应用前景。磷化铟的带宽为1.4eV以及其具有高抗辐射的性能，可以制成高转换效率的太阳能电池并应用在卫星等领域。随80年代HEMT技术和应用的迅速发展以及光纤通信事业的大发展，光电器件的走红，太阳能电池的大量需求,极大地推动了与这些技术密切相关的InP材料的研究和发展。
[0003]随着半导体技术的不断发展，半导体元件结构不断减小，因此如何在半导体晶片制造过程中提供全局平坦化的抛光打磨技术，是一个重要的课题。目前大多采用化学机械抛光的方法对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抛光液，用于磷化铟的抛光，其特征在于，包括基液以及混合于基液中的金属粉末、磨料；所述金属粉末与磨料的质量比为1:2～1:4，所述金属粉末的金属性强于铟。2.根据权利要求1所述的一种抛光液，其特征在于，还包括用于促进金属间电子转移效率的辅助剂，所述辅助剂与金属粉末的质量比为1:1～1:3。3.根据权利要求2所述的一种抛光液，其特征在于，所述辅助剂包括空穴捕捉剂及电解质，所述空穴捕捉剂与电解质的质量比为1:1～1:3。4.一种磷化铟抛光装置，其特征在于，包括机架(1)以及均设置于机架(1)上的抛光盘(2)、工件夹持组件(3)、抛光液供给组件(4)、第一驱动装置(5)、驱动组件(6)，所述第一驱动装置(5)与所述抛光盘(2)相连并驱动所述抛光盘(2)与工件夹持组件(3)相对转动，所述驱动组件(6)与所述工件夹持组件(3)相连并驱动所述工件夹持组件(3)相对于抛光盘(2)运动，所述抛光液供给组件(4)盛装有权利要求1至3任一项所述的抛光液，所述抛光液供给组件(4)设置有向所述抛光盘(2)的抛光面输送抛光液的输送管(41)，所述工件夹持组件(3)一端与所述机架(1)相连，另一端靠近所述抛光盘(2)的工作面且与工作面之间具有间隙。5.根据权利要求4所述的一种磷化铟抛光装置，其特征在于，所述抛光液供给组件(4)包括蠕动泵(42)、盛放有抛光液的容器(43)，所述输送管(41)经所述蠕动泵(42)与所述容器(43)相连通。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：路家斌，骆应荣，熊强，阎秋生，王新汉，刘文涛，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：