等离子体处理装置及等离子体处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及等离子体处理装置及等离子体处理方法，能保证等离子体的稳定性且能高速地进行匹配。等离子体处理装置具备：腔室内的基板支承台内部的第一电极、与第一电极连接的匹配器和高频电源、及控制部，匹配器具有：下位电路，将多个下位串联电路并联连接而成；和上位电路，将多个上位串联电路并联连接而成，控制部控制匹配器，以将下位串联电路或上位串联电路的开关元件设定为接通或断开状态而设定下位电路或上位电路中的一方电路；控制匹配器进行待机，直到根据设定而变化的从匹配器观察到腔室侧的阻抗的变化量稳定为止；将下位串联电路或上位串联电路的开关元件设定为接通或断开状态而设定下位电路或上位电路中的另一方电路。电路。电路。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置及等离子体处理方法


[0001]本公开涉及一种等离子体处理装置及等离子体处理方法。

技术介绍

[0002]在等离子体处理装置中，通过从高频电源向设于腔室内的电极供给高频电力，从而在腔室内产生等离子体，对作为处理对象的基板等进行等离子体处理。在高频电源与电极之间设有匹配器。匹配器使负载侧的阻抗与高频电源的输出阻抗匹配。作为这样的匹配器，例如，已知：通过电动机来调整可变电容器的机械控制式的匹配器；将由电容器和开关元件构成的多个串联电路并联连接，电子控制开关元件的电子控制式的匹配器。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2012－142285号公报
[0006]专利文献2：日本特开2019－186098号公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的问题
[0008]本公开提供一种能保证等离子体的稳定性、并且能高速地进行匹配的等离子体处理装置及等离子体处理方法。
[0009]用于解决问题的方案
[0010]基于本公开本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，具备：腔室；基板支承台，设于所述腔室内，支承基板；第一电极，设于所述基板支承台的内部；匹配器，与所述第一电极连接；高频电源，与所述匹配器连接；以及控制部，所述匹配器具有：下位电路，将由电容器和开关元件构成的多个下位串联电路并联连接而构成；以及上位电路，将由电容器和开关元件构成的多个上位串联电路并联连接而构成，所述控制部被配置为控制所述匹配器，以将所述下位串联电路或所述上位串联电路的所述开关元件设定为接通状态或断开状态，从而设定所述下位电路或所述上位电路中的一方电路，所述控制部被配置为控制所述匹配器进行待机，直到根据所述下位电路或所述上位电路的所述设定而变化的从所述匹配器观察到所述腔室侧的阻抗的变化量稳定为止，所述控制部被配置为控制所述匹配器，以将所述下位串联电路或所述上位串联电路的所述开关元件设定为接通状态或断开状态，从而设定所述下位电路或所述上位电路中与所述一方电路不同的另一方电路。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述待机的时间是所述阻抗达到稳态时的值的80％以上为止所需的时间。3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，所述待机的时间为350μs以上。4.根据权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置，其中，所述控制部将多个所述下位串联电路或所述上位串联电路中的多个所述开关元件同时或逐一地设定为接通状态或断开状态。5.根据权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其中，所述匹配器包括由所述下位电路和所述上位电路组成的多个组，所述组分别在所述高频...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉田绚，河野和则，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：