本发明专利技术涉及基板处理装置和基板处理方法。抑制基板处理装置的占地面积。基板处理装置包括：载体模块，其载置收纳基板的载体；一个处理模块，自载体模块向一个处理模块输送基；另一处理模块，其与一个处理模块重叠并且自另一处理模块向载体模块输送基板；升降移载机构，其具备沿横向延伸的轴和与基板相对并进行支承的支承面，使轴和支承部在用于相对于第1处理模块输送机构交接基板的位置和用于相对于第2处理模块交接基板的位置之间升降；以及转动机构，其使支承部绕轴转动，以当升降移载部位于第1区域和第2区域时使支承面成为第1朝向，当升降移载部在第1区域与第2区域之间升降时使支承面成为相对于水平面的倾斜度大于第1朝向的第2朝向。的第2朝向。的第2朝向。
【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和基板处理方法
[0001]本公开涉及基板处理装置和基板处理方法。
技术介绍
[0002]在半导体器件的制造工序中，将半导体晶圆(以下记载为晶圆)在各种处理组件之间输送而进行液处理、加热处理等各处理。在专利文献1中记载有一种包含处理模块的涂布装置，该处理模块均包括：多个单位模块，其均设有多个处理组件并且互相层叠；以及主臂，其设于每个单位模块，以在处理组件之间输送晶圆。在该例子中，构成为，形成SOC膜、防反射膜、抗蚀膜的单位模块自下层侧各层叠有两层。而且，记载有，按照形成SOC膜的单位模块、形成防反射膜的单位模块、形成抗蚀膜的单位模块的顺序自下层朝向上层输送晶圆，层叠三种膜，而进行成膜。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2016
‑
208004号公报
技术实现思路
[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供能够抑制基板处理装置的占地面积的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本技术方案的基板处理装置包括：
[0010]载体模块，其供收纳基板的载体载置；
[0011]一个处理模块，自所述载体模块向该一个处理模块输送所述基板，该一个处理模块包括：多个第1处理组件，其分别处理所述基板；和第1输送机构，其共用于所述多个第1处理组件地输送所述基板；
[0012]另一处理模块，其与所述一个处理模块重叠，并且自该另一处理模块向所述载体模块输送所述基板，该另一处理模块包括：多个第2处理组件，其分别处理所述基板；和第2输送机构，其共用于所述多个第2处理组件地输送所述基板；
[0013]升降移载机构，其包括：轴，其沿横向延伸；和支承部，其具备与所述基板相对并进行支承的支承面，并且该支承部自该轴沿与所述轴的延伸方向交叉的方向延伸，使所述轴和所述支承部在用于相对于所述第1输送机构交接所述基板的第1位置和用于相对于所述第2输送机构交接所述基板的第2位置之间升降；以及
[0014]转动机构，其使所述支承部绕所述轴转动，以使所述支承部的朝向在第1朝向和第2朝向之间变化，该第1朝向用于在所述第1位置、所述第2位置分别交接所述基板，该第2朝向的所述支承面相对于水平面的倾斜度比所述第1朝向大，以在所述第1位置与所述第2位置之间移动。
[0015]专利技术的效果
[0016]本公开能够抑制基板处理装置的占地面积。
附图说明
[0017]图1是本公开的实施方式的基板处理装置的横剖俯视图。
[0018]图2是所述基板处理装置的纵剖主视图。
[0019]图3是所述基板处理装置的纵剖主视图。
[0020]图4是所述基板处理装置的左侧视图。
[0021]图5是所述基板处理装置的纵剖侧视图。
[0022]图6是所述基板处理装置的纵剖侧视图。
[0023]图7是表示设于所述基板处理装置的升降移载机构的侧视图。
[0024]图8是表示所述升降移载机构的俯视图。
[0025]图9是表示所述升降移载机构的动作的说明图。
[0026]图10是表示所述升降移载机构的动作的说明图。
[0027]图11是表示所述升降移载机构的动作的说明图。
[0028]图12是表示所述升降移载机构的动作的说明图。
[0029]图13是表示所述升降移载机构的动作的说明图。
[0030]图14是表示所述升降移载机构的动作的说明图。
[0031]图15是所述基板处理装置中的输送路径的概略图。
[0032]图16是本公开的实施方式的另一例子的基板处理装置的横剖俯视图。
[0033]图17是所述基板处理装置的纵剖主视图。
[0034]图18是表示所述升降移载机构的另一配置例的说明图。
具体实施方式
[0035]分别参照图1的横剖俯视图、图2、图3的纵剖主视图，说明本公开的实施方式的基板处理装置1的一个例子。图2、图3示出了装置的不同位置的剖面。在基板处理装置1中，载体模块D1、第1处理模块D2、第2处理模块D3按照该顺序在横向上呈直线状排列，相邻的模块彼此互相连接。这些模块(载体模块、第1处理模块以及第2处理模块)D1～D3分别包括壳体而互相划分，在各壳体的内部形成有作为基板的晶圆W的输送区域。
[0036]在之后的说明中，将这些模块D1～D3的排列方向设为左右方向，将载体模块D1侧设为左侧，将第2处理模块D3设为右侧。另外，关于装置的前后方向，将使载体模块D1处于左侧地观察时的近前设为前方，将里侧设为后方。
[0037]在详细地说明各个模块D1～D3之前，对基板处理装置1的概略结构进行叙述。例如，将晶圆W以收纳于被称作FOUP(Front Opening Unify Pod：前开式晶圆传送盒)的载体C的状态向基板处理装置1输送。基板处理装置1包括进行涂布膜的形成、涂布膜形成后的晶圆W的加热等各种处理的处理组件，该涂布膜的形成通过对晶圆W作为液处理而涂布各种涂布液来进行。
[0038]第1处理模块D2和第2处理模块D3分别在纵向上以分割为两部分的方式被划分。将像这样互相划分而成的第1处理模块D2的下侧、上侧分别设为第1下侧处理模块D21、第1上侧处理模块D22。另外，将互相划分而成的第2处理模块D3的下侧、上侧分别设为第2下侧处
理模块D31、第2上侧处理模块D32。因而，第1下侧处理模块D21和第1上侧处理模块D22互相层叠，第2下侧处理模块D31和第2上侧处理模块D32互相层叠。于是，第1下侧处理模块D21和第1上侧处理模块D22互相相邻，第2下侧处理模块D31和第2上侧处理模块D32互相相邻。
[0039]按照载体模块D1
→
第1下侧处理模块D21
→
第2下侧处理模块D31
→
第2上侧处理模块D32
→
第1上侧处理模块D22
→
载体模块D1的顺序输送晶圆W。因而，在以载体模块D1为基准时，第1下侧处理模块D21和第2下侧处理模块D31形成晶圆W的前进路径，第1上侧处理模块D22和第2上侧处理模块D32形成晶圆W的返回路径。有时将构成前进路径的下侧的处理模块统一记载为下侧处理模块G1，将构成返回路径的上侧的处理模块统一记载为上侧处理模块G2。
[0040]于是，像这样在前进路径、返回路径进行输送，从而在晶圆W依次形成三种涂布膜且互相层叠。这些涂布膜中的最上层的膜是抗蚀膜，将其下侧的膜记载为中间膜，将其再下侧的膜记载为下层膜。下层膜在前进路径的处理组件中形成，中间膜和抗蚀膜在返回路径的处理组件中形成。此外，组件是指除了输送机构以外的载置晶圆W的部位。将对晶圆W进行处理的组件如上述这样记载为处理组件，该处理也包含为了检查而获得图像的情况。
[0041]以下，也参照图4的侧视图，说明载体模块D1。利用在设置基板处理装置1本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其中，该基板处理装置包括：载体模块，其供收纳基板的载体载置；一个处理模块，自所述载体模块向该一个处理模块输送所述基板，该一个处理模块包括：多个第1处理组件，其分别处理所述基板；和第1输送机构，其共用于所述多个第1处理组件地输送所述基板；另一处理模块，其与所述一个处理模块重叠，并且自该另一处理模块向所述载体模块输送所述基板，该另一处理模块包括：多个第2处理组件，其分别处理所述基板；和第2输送机构，其共用于所述多个第2处理组件地输送所述基板；升降移载机构，其包括：轴，其沿横向延伸；和支承部，其具备与所述基板相对并进行支承的支承面，并且该支承部自该轴沿与所述轴的延伸方向交叉的方向延伸，使所述轴和所述支承部在用于相对于所述第1输送机构交接所述基板的第1位置和用于相对于所述第2输送机构交接所述基板的第2位置之间升降；以及转动机构，其使所述支承部绕所述轴转动，以使所述支承部的朝向在第1朝向和第2朝向之间变化，该第1朝向用于在所述第1位置、所述第2位置分别交接所述基板，该第2朝向的所述支承面相对于水平面的倾斜度比所述第1朝向大，以在所述第1位置与所述第2位置之间移动。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述一个处理模块包括第1基板载置部，该第1基板载置部载置所述基板，以相对于所述第1输送机构交接该基板，所述另一处理模块包括第2基板载置部，该第2基板载置部载置所述基板，以相对于所述第2输送机构交接该基板，所述第1位置、所述第2位置分别是相对于所述第1基板载置部、所述第2基板载置部交接所述基板的位置。3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，所述第2朝向是所述支承面的作为所述轴侧的基端侧相对于顶端侧位于下方的位置并且相对于铅垂面倾斜的朝向。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，在所述支承部，对所述支承面而言的基端侧相对于该支承面隆起，而形成防止所述基板自所述支承面的基端侧落下的防落下部。5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，在所述支承面开设有用于抽吸并保持所述基板的抽吸孔。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，该基板处理装置包括：抽吸通路，其与所述抽吸孔连接；压力检测部，其检测所述抽吸通路的压力；和保持异常检测部，其基于所述检测到的压力来检测所述基板的保持有无异常。7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述支承部自所述轴向前后的一侧延伸，利用所述第1输送机构输送所述基板的第1输送区域相对于所述轴位于前后的一侧并
且向左右的一侧延伸，沿着该第1输送区域的延伸方向分别设有所述多个第1处理组件，利用所述第2输送机构输送所述基板的第2输送区域相对于所述轴位于前后的一侧并且向左右...
【专利技术属性】
技术研发人员：渡边刚史，土山正志，榎木田卓，山本太郎，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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