基片处理装置、基片处理方法和存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供其能够提高基片处理装置中的吞吐量并且抑制专用占地面积的基片处理装置、基片处理方法和存储介质。装置构成为包括：设置在承载器区块的承载器载置部的俯视时左右之一侧的一处理区块和另一处理区块；具有设置于承载器区块的第1输送机构的基片的输送区域；载置部的层叠体，其将由第1输送机构、一处理区块的主输送机构、另一处理区块的主输送机构分别交接基片的第1载置部、第2载置部、第3载置部彼此在纵向上重叠地构成，并设置在俯视时第1输送机构的前后之一侧；以及第2输送机构，其以俯视时与第1输送机构一起从前后夹着层叠体的方式设置于输送区域，用于在第1载置部与第2载置部之间、第1载置部与第3载置部之间分别输送基片。别输送基片。别输送基片。

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置、基片处理方法和存储介质


[0001]本专利技术涉及基片处理装置、基片处理方法和存储介质。

技术介绍

[0002]在半导体器件的制造工艺中，将半导体晶片(以下记载为晶片)在基片处理装置内的各种处理模块之间输送，来进行液处理、加热处理等处理。晶片由承载器输送到基片处理装置。在专利文献1中，示出了具有对该承载器交接晶片的承载器区块的基片处理装置。在该承载器区块中，以夹着由多个基片的载置部构成的层叠体的方式设置有2个输送机构，各输送机构包括载置部间的晶片交接用的保持部和对承载器的晶片交接用的保持部。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2013
‑
69916号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术提供一种能够提高基片处理装置的吞吐量(throughput)并且抑制专用占地面积的技术。
[0008]用于解决技术问题的技术方案
[0009]本专利技术的基片处理装置包括：具有承载器载置部的承载器区块，上述承载器载置部能够载置收纳基片的承载器；一处理区块，其具有分别对上述基片进行处理且彼此层叠地设置的多个处理模块、和由上述多个处理模块共用地输送上述基片的主输送机构，上述一处理区块设置在俯视时上述承载器载置部的左右之一侧；另一处理区块，其具有分别对上述基片进行处理且彼此层叠地设置的多个处理模块、和由上述多个处理模块共用地输送上述基片的主输送机构，上述另一处理区块与上述一处理区块在纵向上重叠；上述基片的输送区域，其以俯视时处于上述承载器载置部与上述一处理区块和上述另一处理区块之间的方式设置在上述承载器区块；第1输送机构，其设置在上述输送区域以对上述承载器交接上述基片；载置部的层叠体，其将由上述第1输送机构、上述一处理区块的主输送机构、上述另一处理区块的主输送机构分别交接上述基片的第1载置部、第2载置部、第3载置部彼此在纵向上重叠地构成，并且设置在俯视时上述第1输送机构的前后之一侧；以及第2输送机构，其以俯视时与上述第1输送机构一起从前后夹着上述层叠体的方式设置在上述输送区域，用于在上述第1载置部与上述第2载置部之间、上述第1载置部与上述第3载置部之间分别输送上述基片。
[0010]专利技术效果
[0011]本专利技术能够提高基片处理装置的吞吐量，并且能够抑制专用占地面积。
附图说明
[0012]图1是本专利技术的基片处理装置的一个实施方式的涂敷显影装置的横截俯视图。
[0013]图2是上述涂敷显影装置的纵截正视图。
[0014]图3是上述涂敷显影装置的纵截正视图。
[0015]图4是上述涂敷显影装置的左侧视图。
[0016]图5是上述涂敷显影装置的纵截侧视图。
[0017]图6是表示设置于上述涂敷显影装置的输送机构的动作的说明图。
[0018]图7是表示设置于上述涂敷显影装置的输送机构的动作的说明图。
[0019]图8是表示设置于上述涂敷显影装置的输送机构的动作的说明图。
[0020]图9是上述涂敷显影装置中的输送路径的概略图。
[0021]图10是上述涂敷显影装置中的输送路径的概略图。
[0022]图11是表示在上述涂敷显影装置中形成的气流的示意图。
[0023]图12是表示基片处理装置中的晶片的输送路径的示意图。
[0024]附图标记说明
[0025]C承载器
[0026]D2第1处理区块
[0027]D21第1下侧处理区块
[0028]D22第1上侧处理区块
[0029]15移动台
[0030]TRS交接模块
[0031]T1模块层叠体
[0032]W晶片
[0033]31输送区域
[0034]32、33输送机构
[0035]6A、6B、6C、6D输送机构。
具体实施方式
[0036]分别参照图1的横截俯视图、图2、图3的纵截正视图，对本专利技术的基片处理装置的一个实施方式的涂敷显影装置1进行说明。图2、图3表示装置的不同位置的截面。在涂敷显影装置1中，承载器区块D1、第1处理区块D2、第2处理区块D3、接口区块D4依次在横向上排列成直线状，相邻的区块彼此相互连接。这些区块(承载器区块、第1和第2处理区块、接口区块)D1～D4分别包括壳体而彼此被划分开，在各壳体的内部形成有作为基片的晶片W的输送区域。
[0037]在之后的说明中，将这些区块D1～D4的排列方向设为左右方向，将承载器区块D1侧设为左侧，将接口区块D4设为右侧。另外，关于装置的前后方向，将向左观察承载器区块D1时的跟前侧设为前方，将里侧设为后方。在作为中继区块的接口区块D4，从右侧连接有曝光机20。
[0038]在对区块D1～D4分别进行详细说明之前，对涂敷显影装置1的概要结构进行说明。在将晶片W收纳于例如被称为FOUP(FrontOpeningUnifyPod：前开式晶片传送盒)的承载
器C的状态下对涂敷显影装置1输送晶片W。涂敷显影装置1进行：通过对晶片W供给包含抗蚀剂的各种涂敷液来实现的涂敷膜的形成；和由曝光机20曝光后的抗蚀剂膜的显影。
[0039]第1处理区块(左侧处理区块)D2和第2处理区块(右侧处理区块)D3，以各自在纵向上被分割为两部分的方式被划分开。令这样彼此被划分开的第1处理区块D2的下侧、上侧分别为第1下侧处理区块D21、第1上侧处理区块D22。此外，令彼此被划分开的第2处理区块D3的下侧、上侧分别为第2下侧处理区块D31、第2上侧处理区块D32。因此，第1下侧处理区块D21和第1上侧处理区块D22彼此层叠，第2下侧处理区块D31和第2上侧处理区块D32彼此层叠。并且，第1下侧处理区块D21和第1上侧处理区块D22彼此相邻，第2下侧处理区块D31和第2上侧处理区块D32彼此相邻。
[0040]这些处理区块(D21、D22、D31、D32)分别包括上述的处理模块和能够进行对处理模块的交接的输送机构(主输送机构)。并且，在第1上侧处理区块D22和第2上侧处理区块D32分别设置有与这样向处理模块交接的输送机构不同的输送机构。关于该其他输送机构，以下记载为往复输送装置(shuttle)。该往复输送装置是以不经由处理模块的方式将晶片W向下游侧的区块输送的旁通输送机构，设置有该往复输送装置的第1上侧处理区块D22和第2上侧处理区块D32是旁通输送路径形成区块。
[0041]第1下侧处理区块D21和第2下侧处理区块D31形成从承载器区块D1向接口区块D4输送晶片W的去路。而且，关于第1上侧处理区块D22和第2上侧处理区块D32，形成将在曝光机20中曝光完毕的晶片W从接口区块D4向承载器区块D1输送的归路，设置相同种类的处理模块使得能够进行彼此相同的处理。在该归路中，晶片W被第1上侧处理区块D22和第2上侧处理区块D32中的一个区块中的输送机构输送到处理模块而接受处理，在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：具有承载器载置部的承载器区块，所述承载器载置部能够载置收纳基片的承载器；一处理区块，其具有分别对所述基片进行处理且彼此层叠地设置的多个处理模块、和由所述多个处理模块共用地输送所述基片的主输送机构，所述一处理区块设置在俯视时所述承载器载置部的左右之一侧；另一处理区块，其具有分别对所述基片进行处理且彼此层叠地设置的多个处理模块、和由所述多个处理模块共用地输送所述基片的主输送机构，所述另一处理区块与所述一处理区块在纵向上重叠；所述基片的输送区域，其以俯视时处于所述承载器载置部与所述一处理区块和所述另一处理区块之间的方式设置在所述承载器区块；第1输送机构，其设置在所述输送区域以对所述承载器交接所述基片；载置部的层叠体，其将由所述第1输送机构、所述一处理区块的主输送机构、所述另一处理区块的主输送机构分别交接所述基片的第1载置部、第2载置部、第3载置部彼此在纵向上重叠地构成，并且设置在俯视时所述第1输送机构的前后之一侧；以及第2输送机构，其以俯视时与所述第1输送机构一起从前后夹着所述层叠体的方式设置在所述输送区域，用于在所述第1载置部与所述第2载置部之间、所述第1载置部与所述第3载置部之间分别输送所述基片。2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：当令所述一处理区块的处理模块、所述另一处理区块的处理模块分别为第1处理模块、第2处理模块时，在俯视时与所述层叠体重叠的位置，设置有利用所述第1输送机构或第2输送机构交接所述基片的第3处理模块。3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：所述第3处理模块是用于进行所述基片的检查的检查模块。4.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：所述检查模块从俯视时与所述层叠体重叠的位置向左右之另一侧延伸，并向形成所述输送区域的壳体的外侧伸出地设置。5.如权利要求4所述的基片处理装置，其特征在于：能够对所述检查模块输送向所述一处理区块和所述另一处理区块输送之前的所述基片。6.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：在所述第2输送机构的前后之一侧，设置有利用该第2输送机构交接所述基片的第4处理模块，能够利用所述第1输送机构对所述第3处理模块交接所述基片。7.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：在所述第2输送机构的前后之一侧，设置有利用该第2输送机构交接所述基片的第4处理模块，当令所述一处理区块的处理模块、所述另一处理区块的处理模块分别为第1处理模块、第2处理模块时，
在多个所述第1处理模块或多个所述第2处理模块中包含对所述基片供给涂敷液来形成涂敷膜的涂敷膜形成模块，所述第4处理模块是在供给所述涂敷液之前对所述基片进行气体处理来进行疏水化的疏水化处理模块。8.如权利要求7所述的基片处理装置，其特征在于：设置有气流形成机构，所述气流形成机构分别形成在所述输送区域中从前后之另一侧去往所述第4处理模块的气流以及从所述一处理区块和所述另一处理区块去往所述输送区域的气流。9.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：所述承载器载置...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡边刚史，土山正志，榎木田卓，山本太郎，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：