基板处理装置和基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及基板处理装置和基板处理方法。提高基板处理装置的生产率。装置构成为包括：载体模块；第1处理模块，其由互相层叠的第1下侧处理模块、第1上侧处理模块构成；第2处理模块，其由互相层叠的第2下侧处理模块、第2上侧处理模块构成；中继模块，其包括升降输送机构；以及旁路输送机构，其在作为所述上侧处理模块和下侧处理模块中的一者的旁路输送通路形成模块设于每个第1处理模块、第2处理模块，以与该旁路输送通路形成模块的主输送机构一起形成前进路径或返回路径的方式进行动作，在该旁路输送通路形成模块，该旁路输送机构使得能够利用第1处理模块的主输送机构和第2处理模块的主输送机构中的一者朝向下游侧的模块输送基板。基板。基板。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和基板处理方法


[0001]本公开涉及基板处理装置和基板处理方法。

技术介绍

[0002]在半导体器件的制造工序中，将半导体晶圆(以下记载为晶圆)在各种处理组件之间输送，从而进行液处理、加热处理等各处理。在专利文献1中，记载有一种涂布、显影装置，该涂布、显影装置包含处理模块S2、S4，该处理模块S2、S4分别包括：多个单位模块，其分别设有多个处理组件，并且该多个单位模块互相层叠；和主臂，其设于每个单位模块，以在处理组件之间输送晶圆。处理模块S2、S4被夹在载体模块与曝光装置之间，并且对晶圆进行升降输送的模块S3介于处理模块S2、S4之间。而且，在各处理模块S2、S4的下侧的单位模块，作为与主臂不同的输送机构而设有多个梭动臂，该梭动臂不经由处理组件地输送晶圆。
[0003]利用处理模块S2的梭动臂输送到模块S3的晶圆在被分配到处理模块S2、S4的上侧的单位模块之后，返回模块S3并利用处理模块S4的梭动臂向曝光装置输送。然后，在处理模块S2、S4中的一者进行处理时，以利用梭动臂绕过不进行处理的模块的处理组件的方式向载体模块侧输送。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2008
‑
258208号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的问题
[0008]本公开提供一种能够提高基板处理装置的生产率的技术。
[0009]用于解决问题的方案
[0010]本公开的基板处理装置包括：
[0011]载体模块，其供收纳基板的载体载置；
[0012]第1处理模块，其包括在与所述载体模块之间交接所述基板并且互相层叠的第1下侧处理模块、第1上侧处理模块，该第1下侧处理模块、第1上侧处理模块均包括：多个分层，其均具备处理所述基板的处理组件并且互相层叠；和主输送机构，其共用于所述各分层，输送所述基板；
[0013]第2处理模块，其包括分别与所述第1下侧处理模块、所述第1上侧处理模块在左右方向上相邻并且互相层叠的第2下侧处理模块、第2上侧处理模块，该第2下侧处理模块、第2上侧处理模块均包括所述多个分层和所述主输送机构；
[0014]中继模块，其以在所述第2下侧处理模块与所述第2上侧处理模块之间交接所述基板的方式包括升降输送机构，该中继模块在所述左右方向上在与所述第1处理模块所相邻的一侧相反的一侧与所述第2处理模块相邻；
[0015]控制部，其控制所述各主输送机构的动作，以使包括所述第1上侧处理模块以及所
述第2上侧处理模块的上侧处理模块和包括所述第1下侧处理模块以及所述第2下侧处理模块的下侧处理模块中的一者形成自所述载体模块朝向所述中继模块输送所述基板的前进路径，使另一者形成自所述中继模块朝向所述载体模块输送所述基板的返回路径；以及
[0016]旁路输送机构，其在作为所述上侧处理模块和下侧处理模块中的一者的旁路输送通路形成模块设于每个所述第1处理模块、所述第2处理模块，该旁路输送机构以与该旁路输送通路形成模块的所述主输送机构一起形成所述前进路径或所述返回路径的方式进行动作，在该旁路输送通路形成模块，该旁路输送机构使得能够利用所述第1处理模块的主输送机构和所述第2处理模块的主输送机构中的一者朝向下游侧的模块输送所述基板。
[0017]专利技术的效果
[0018]本公开能够提高基板处理装置中的生产率。
附图说明
[0019]图1是本公开的第1实施方式的基板处理装置的横剖俯视图。
[0020]图2是所述基板处理装置的纵剖主视图。
[0021]图3是所述基板处理装置的纵剖主视图。
[0022]图4是所述基板处理装置的左侧视图。
[0023]图5是所述基板处理装置的纵剖侧视图。
[0024]图6是表示设于所述基板处理装置的输送机构的动作的说明图。
[0025]图7是表示设于所述基板处理装置的输送机构的动作的说明图。
[0026]图8是表示设于所述基板处理装置的输送机构的动作的说明图。
[0027]图9是所述基板处理装置的输送路径的概略图。
[0028]图10是第2实施方式的涂布、显影装置的横剖俯视图。
[0029]图11是所述涂布、显影装置的纵剖主视图。
[0030]图12是第3实施方式的涂布、显影装置的横剖俯视图。
[0031]图13是所述涂布、显影装置的纵剖主视图。
[0032]图14是所述涂布、显影装置的纵剖右侧视图。
具体实施方式
[0033]〔第1实施方式〕
[0034]分别参照图1的横剖俯视图、图2、图3的纵剖主视图，说明本公开的第1实施方式的基板处理装置1。图2、图3示出了装置的不同位置的剖面。在基板处理装置1中，载体模块D1、第1处理模块D2、第2处理模块D3、接口模块D4按照该顺序在横向上呈直线状排列，相邻的模块彼此互相连接。这些模块(载体模块、第1处理模块、第2处理模块、接口模块)D1～D4分别包括壳体而互相划分，在各壳体的内部形成有作为基板的晶圆W的输送区域。
[0035]在以后的说明中，将这些模块D1～D4的排列方向设为左右方向，将载体模块D1侧设为左侧，将接口模块D4设为右侧。另外，关于装置的前后方向，将使载体模块D1处于左侧地观察时的近前设为前方，将里侧设为后方。在作为中继模块的接口模块D4，自右侧连接有曝光机20。此外，由于是这样的配置，因此，接口模块D4在左右方向上在与第1处理模块D2所相邻的一侧相反的一侧与该第2处理模块D3相邻。
[0036]在详细地说明各个模块D1～D4之前，对基板处理装置1的概略结构进行叙述。例如，将晶圆W以收纳于被称作FOUP(Front Opening Unify Pod：前开式晶圆传送盒)的载体C的状态向基板处理装置1输送，在该晶圆W的表面形成有抗蚀膜。基板处理装置1包括进行作为液处理的清洗处理和显影处理、曝光后且显影处理前的晶圆W的加热处理(PEB：Post Exposure Bake：曝光后烘烤)等各种处理的处理组件，另外，在进行PEB之前向曝光机20交接晶圆W，以对抗蚀膜进行曝光。
[0037]第1处理模块D2和第2处理模块D3分别在纵向上以分割为两部分的方式被划分。将像这样互相划分而成的第1处理模块D2的下侧、上侧分别设为第1下侧处理模块D21、第1上侧处理模块D22。另外，将互相划分而成的第2处理模块D3的下侧、上侧分别设为第2下侧处理模块D31、第2上侧处理模块D32。因而，第1下侧处理模块D21和第1上侧处理模块D22互相层叠，第2下侧处理模块D31和第2上侧处理模块D32互相层叠。于是，第1下侧处理模块D21和第1上侧处理模块D22互相相邻，第2下侧处理模块D31和第2上侧处理模块D32互相相邻。
[0038]这些处理模块(D21、D22、D31、D32)分别包括上述的处理组件和能够相对于处理组件进行交接的输送机构(主输送机构)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其中，该基板处理装置包括：载体模块，其供收纳基板的载体载置；第1处理模块，其包括在与所述载体模块之间交接所述基板并且互相层叠的第1下侧处理模块、第1上侧处理模块，该第1下侧处理模块、第1上侧处理模块均包括：多个分层，其均具备处理所述基板的处理组件并且互相层叠；和主输送机构，其共用于所述各分层，输送所述基板；第2处理模块，其包括分别与所述第1下侧处理模块、所述第1上侧处理模块在左右方向上相邻并且互相层叠的第2下侧处理模块、第2上侧处理模块，该第2下侧处理模块、第2上侧处理模块均包括所述多个分层和所述主输送机构；中继模块，其以在所述第2下侧处理模块与所述第2上侧处理模块之间交接所述基板的方式包括升降输送机构，该中继模块在所述左右方向上在与所述第1处理模块所相邻的一侧相反的一侧与所述第2处理模块相邻；控制部，其控制所述各主输送机构的动作，以使包括所述第1上侧处理模块以及所述第2上侧处理模块的上侧处理模块和包括所述第1下侧处理模块以及所述第2下侧处理模块的下侧处理模块中的一者形成自所述载体模块朝向所述中继模块输送所述基板的前进路径，使另一者形成自所述中继模块朝向所述载体模块输送所述基板的返回路径；以及旁路输送机构，其在作为所述上侧处理模块和下侧处理模块中的一者的旁路输送通路形成模块设于每个所述第1处理模块、所述第2处理模块，该旁路输送机构以与该旁路输送通路形成模块的所述主输送机构一起形成所述前进路径或所述返回路径的方式进行动作，在该旁路输送通路形成模块，该旁路输送机构使得能够利用所述第1处理模块的主输送机构和所述第2处理模块的主输送机构中的一者朝向下游侧的模块输送所述基板。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，将所述第1处理模块、所述第2处理模块中的旁路输送机构分别设为第1旁路输送机构、第2旁路输送机构，则所述第1旁路输送机构和所述第2旁路输送机构分别沿着所述左右方向输送所述基板。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述第1旁路输送机构的输送所述基板的输送通路即第1旁路输送通路向所述第2下侧处理模块和所述第2上侧处理模块中的构成所述旁路输送通路形成模块的模块突出，所述第2旁路输送机构的输送所述基板的输送通路即第2旁路输送通路向所述第1下侧处理模块和所述第1上侧处理模块中的构成所述旁路输送通路形成模块的模块突出。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述第1旁路输送通路与所述第2旁路输送通路的高度互相不同。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，在俯视时，所述第1旁路输送通路与所述第2旁路输送通路重叠。6.根据权利要求4或5所述的基板处理装置，其中，该基板处理装置设有：第1旁路用基板载置部，其分别设于所述第1旁路输送通路的上游侧、下游侧，在与所述
第1旁路输送机构之间交接所述基板；以及第2旁路用基板载置部，其分别设于所述第2旁路输送通路的上游侧、下游侧且是与所述第1旁路用基板载置部不同的高度，并且，在与所述第2旁路输送机构之间交接所述基板。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，所述第1旁路用基板载置部和所述第2旁路用基板载置部包括进行升降的载置部主体和自该载置部主体向上侧突出并支承所述基板的下表面的支承部。8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，关于所述第1旁路输送机构和第2旁路输送机构中的一个旁路输送机构、所述第1旁路输送通路和第2旁路输送通路中的该一个旁路输送机构的旁路输送通路、所述第1旁路用基板载置部和第2旁路用基板载置部中的相对于该一个旁路输送机构交接所述基板的旁路用基板载置部，在所述旁路输送机构向所述旁路输送通路的下游侧的所述旁路用基板载置部交接所述基板的位置，所述旁路输送机构在俯视时不位于该...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡边刚史，土山正志，榎木田卓，山本太郎，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：