基片处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种基片处理装置，使在基片形成的孔的在深度方向上的蚀刻量的均匀性提高。本实用新型专利技术的一个方式的基片处理装置包括处理槽、外槽、第一气体供给部和第二气体供给部。处理槽将基片浸渍于处理液中。外槽包围处理槽的周围，接受从处理槽溢出的处理液。第一气体供给部对储存在处理槽内的处理液供给不活泼性气体。第二气体供给部从配置于外槽的内侧的开口部向外槽内供给不活泼性气体。内侧的开口部向外槽内供给不活泼性气体。内侧的开口部向外槽内供给不活泼性气体。

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置


[0001]本技术的实施方式涉及基片处理装置。

技术介绍

[0002]一直以来，公知有将溶解有氧的碱性的处理液供给到基片，并进行蚀刻处理的技术(专利文献1参照)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2019
‑
12802号公报

技术实现思路

[0006]技术要解决的技术问题
[0007]本技术提供一种能够使在基片形成的孔的深度方向上的蚀刻量的均匀性提供的技术。
[0008]用于解决课题的技术方案
[0009]基于本技术的一个方式的基片处理装置包括处理槽、外槽、第一气体供给部和第二气体供给部。处理槽将基片浸渍于处理液中。外槽包围处理槽的周围，接受从处理槽溢出的处理液。第一气体供给部对储存在处理槽内的处理液供给不活泼性气体。第二气体供给部从配置于外槽的内侧的开口部向外槽内供给不活泼性气体。
[0010]技术效果
[0011]依据本技术，能够使在基片形成的孔的深度方向上的蚀刻量的均匀性提供的技术
附图说明
[0012]图1是表示实施方式的基片处理系统的结构的概略模块图。
[0013]图2是表示实施方式的蚀刻处理装置的结构的概略模块图。
[0014]图3是表示实施方式的蚀刻处理槽中的气体喷嘴的配置的一例的俯视图。
[0015]图4是表示实施方式的蚀刻处理槽中的气体喷嘴的配置的一例的放大截面图。
[0016]图5是表示实施方式的变形例1的蚀刻处理槽中的气体喷嘴的配置的一例的俯视图。
[0017]图6是表示实施方式的变形例1的蚀刻处理槽中的气体喷嘴的配置的一例的放大截面图。
[0018]图7是表示实施方式的变形例2的蚀刻处理槽中的气体喷嘴的配置的一例的俯视图。
[0019]图8是表示实施方式的变形例2的蚀刻处理槽中的气体喷嘴的配置的一例的放大截面图。
[0020]图9是表示实施方式的变形例1、2和参考例中的向处理槽的不活泼性气体供给量与蚀刻液的氧浓度的关系的图。
[0021]图10是表示实施方式的变形例2的蚀刻处理槽中的气体喷嘴的配置的另一例的俯视图。
[0022]图11是表示实施方式的变形例3的蚀刻处理槽中的气体喷嘴的配置的另一例的俯视图。
[0023]图12是表示实施方式的变形例3的蚀刻处理槽中的气体喷嘴的配置的一例的放大截面图。
[0024]图13是表示实施方式的变形例4的蚀刻处理槽中的浮板的配置的一例的俯视图。
[0025]图14是表示实施方式的变形例4的蚀刻处理槽中的浮板的配置的一例的放大截面图。
[0026]图15是表示实施方式的变形例5的蚀刻处理装置的结构的概略模块图。
[0027]图16是表示实施方式的基片处理中的各部的动作的一例的时序图。
[0028]图17是表示实施方式的氧浓度测量部的结构的概略模块图。
[0029]图18是表示实施方式的基片处理中的各部的动作的另一例的时序图。
[0030]图19是表示实施方式的基片处理中的各部的动作的另一例的时序图。
[0031]图20是表示实施方式的基片处理的处理顺序的流程图。
具体实施方式
[0032]以下，参照附图，对本申请公开的基片处理装置和基片处理方法的实施方式进行详细说明。此外，本技术不受在以下所示的实施方式的限定。另外，附图是示意性表示的内容，需要注意各要素的尺寸的关系、各要素的比率等存在于现实不同的情况。并且，在附图彼此之间也存在包括彼此的尺寸关系或比率不同的部分的情况。
[0033]一直以来，公知有将溶解有氧的碱性的处理液供给到基片，并进行蚀刻处理的技术。但是，在上述的现有技术中，在该碱性的处理液的氧浓度降低的情况下，存在在基片形成的孔的开口部侧的蚀刻量、与在孔的底部侧的蚀刻量之差较大的情况。
[0034]因此，为了克服上述的问题，期待能够提高在基片形成的孔的深度方向上的蚀刻量的均匀性的技术的实现。
[0035]<基片处理系统的构成>
[0036]首先，关于实施方式的基片处理系统1的构成，参照图1进行说明。图1是表示实施方式的基片处理系统1的构成的概略模块图。基板处理系统1为基片处理装置的一例。
[0037]如图1所示，实施方式的基片处理系统1包括载体搬入搬出部2、批次(lot)形成部3、批次载置部4、批次搬送部5、批次处理部6和控制部7。
[0038]载体搬入搬出部2具有载体台20、载体搬送机构21、载体仓库(stock)22、23和载体载置台24。
[0039]载体台20载置从外部搬送来的多个载体9。载体9是将多个(例如25个)晶片W以水平姿态上下排列而收容的容器。载体搬送机构21在载体台20、载体仓库22、23和载体载置台24之间进行载体9的搬送。
[0040]从载置在载体载置台24的载体9利用后述的基片搬送机构30将被处理前的多个晶
片W向批次处理部6搬出。另外，已处理的多个晶片W通过基片搬送机构30从批次处理部6被搬入载置在载体载置台24的载体9。
[0041]批次形成部3具有基片搬送机构30并形成批次。批次由将1个或多个载体9中所收容的晶片W组合且同时被处理的多个(例如50个)晶片W构成。形成1个批次的多个晶片W以彼此的板面相对的状态隔开一定间隔地排列。
[0042]基片搬送机构30在载置于载体载置台24的载体9与批次载置部4之间搬送多个晶片W。
[0043]批次载置部4具有批次搬送台40，并且暂时地载置(待机)通过批次搬送部5在批次形成部3与批次处理部6之间被搬送的批次。批次搬送台40具有：载置由批次形成部3形成的处理前的批次的搬入侧载置台41；和载置通过批次处理部6处理后的批次的搬出侧载置台42。在搬入侧载置台41和搬出侧载置台42中，1批次量的多个晶片W以竖起姿态前后排列地载置。
[0044]批次搬送部5具有批次搬送机构50，在批次载置部4与批次处理部6之间或批次处理部6的内部进行批次的搬送。批次搬送机构50具有导轨51、移动体52和基片保持体53。
[0045]导轨51遍及批次载置部4和批次处理部6，沿X轴方向配置。移动体52以一边保持多个晶片W一边能够沿导轨51移动的方式构成。基片保持体53配置在移动体52，保持以竖起姿态前后排列的多个晶片W。
[0046]批次处理部6对1批次量的多个晶片W一并进行蚀刻处理、清洗处理、干燥处理等。在批次处理部6中，2台蚀刻处理装置60、清洗处理装置70、清洗处理装置80和干燥处理装置90沿着导轨51排列而配置。
[0047]蚀刻处理装置60对1批次量的多个晶片W一并进行蚀刻处理。清洗处理装置70对1批次量的多个晶片W一并进行清洗处理。清洗处理装置80进行基片保持体53的清洗处理。干燥处理装置90对1批次量的多个晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：将基片浸渍在处理液中的处理槽；包围所述处理槽的周围、且接受从所述处理槽溢出的处理液的外槽；向储存在所述处理槽内的处理液供给不活泼性气体的第一气体供给部；和从配置于所述外槽的内侧的开口部向所述外槽内供给不活泼性气体的第二气体供给部。2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：所述第一气体供给部向储存在所述处理槽内的处理液之中供给不活泼性气体。3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述第二气体供给部向储存在所述外槽内的处理液之中供给不活泼性气体。4.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述第二气体供给部向储存在所述外槽内的处理液的上方供给不活泼性气体。5.如权利要求4所述的基片处理装置，其特征在于：所述第二气体供给部具有沿着所述外槽的内壁面在水平方向上延伸的气体喷嘴，所述气体喷嘴具有在从铅直下方向所述外槽的内壁面侧倾斜的方向上喷出不活泼性气体的多个所述开口部。6.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：所述气体喷嘴以所述开口部位于比所述外槽的内壁面与所述处理槽的外壁面的中间靠所述外槽的内壁面侧的方式配置。7.如权利要求4所述的基片处理装置，其特征在于：所述第二气体供给部具有位于在俯视时为矩形形状的所述外槽的全部角部、并且分别设置有所述开口的多个气体喷嘴，所述开口部向相邻的所述角部喷...

【专利技术属性】
技术研发人员：百武宏展，木村裕二，大津孝彦，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：新型
国别省市：