等离子体处理方法和等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够抑制等离子体处理中的基板的过度带电。等离子体处理方法包括工序a)、工序b)以及工序c)。在工序a)中，通过向设置于基板吸附部的电极供给电压，来使基板吸附于基板吸附部的上表面。在工序b)中，在供给至基板吸附部的电极的电压稳定之后，切断向电极的电压供给，由此将电极设为浮置状态。在工序c)中，在供给至基板吸附部的电极的电压稳定之后，通过等离子体来对被吸附于基板吸附部的基板的表面实施预先决定的处理。面实施预先决定的处理。面实施预先决定的处理。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理方法和等离子体处理装置


[0001]本公开的各种方面和实施方式涉及一种等离子体处理方法和等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]例如在下述专利文献1中公开了以下技术：在使用非活性气体的等离子体来去除被吸附于静电吸盘的晶圆的残留电荷时，向吸盘电极施加除电电压，以使被吸附于静电吸盘的被吸附物迅速地脱离。除电电压为与施加等离子体时的晶圆的自偏压电位相当的电压。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2004
‑
47511号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种能够抑制等离子体处理中的基板的过度带电的等离子体处理方法和等离子体处理装置。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的一个方面是一种等离子体处理方法，包括工序a)、工序b)以及工序c)。在工序a)中，通过向设置于基板吸附部的电极供给电压，来使基板吸附于基板吸附部的上表面。在工序b)中，在供给至基板吸附部的电极的电压稳定之后，切断向电极的电压供给，由此将电极设为浮置状态。在工序c)中，在供给至基板吸附部的电极的电压稳定之后，通过等离子体来对被吸附于基板吸附部的基板的表面实施预先决定的处理。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本公开的各个方面和实施方式，能够抑制等离子体处理中的基板的过度带电。
附图说明
[0012]图1是表示本公开的第一实施方式中的等离子体处理装置的一例的图。
[0013]图2是表示吸附基板时的等效电路的一例的图。
[0014]图3是表示比较例中的进行等离子体处理时的等效电路的一例的图。
[0015]图4是表示本实施方式中的进行等离子体处理时的等效电路的一例的图。
[0016]图5是表示本公开的第一实施方式中的等离子体处理方法的一例的流程图。
[0017]图6是表示本公开的第一实施方式中的控制过程的一例的时间图。
[0018]图7是表示等离子体处理后的基板的残留电荷的一例的图。
[0019]图8是表示附着于等离子体处理后的基板的微粒的数量的一例的图。
[0020]图9是表示本公开的第二实施方式中的等离子体处理装置的一例的图。
[0021]图10是表示本公开的第二实施方式中的等离子体处理方法的一例的流程图。
具体实施方式
[0022]下面，基于附图来详细地说明公开的等离子体处理方法和等离子体处理装置的实施方式。此外，公开的等离子体处理方法和等离子体处理装置并不限定于以下的实施方式。
[0023]另外，在进行等离子体处理之前进行基板的吸附处理。在吸附处理中，向吸附基板的基板吸附部内的电极供给预先决定的大小的直流电压，以使基板与基板吸附部之间产生预先决定的大小的静电力。但是，在等离子体处理中，基板产生自偏压。因此，在等离子体处理中，基板与基板吸附部之间的静电力的强度相对于预先决定的强度变动与偏压相应的量，当该静电力的强度变弱时，基板容易相对于基板吸附部偏离，当该静电力的强度变强时，产生下述所示的风险。
[0024]当基板与基板吸附部之间的静电力变强时，基板与基板吸附部之间的摩擦力变大。由此，存在以下情况：伴随基板与基板吸附部之间的热膨胀率的差，由于基板与基板吸附部之间的摩擦而产生的微粒的数量增加。另外，当基板通过在等离子体处理中产生的自偏压而带电时，产生的微粒容易附着于基板。另外，当基板与基板吸附部之间的静电力变强时，在通过提升销等使处理后的基板离开基板吸附部的情况下，有时基板弹起或者基板裂开。
[0025]因此，本公开提供一种能够抑制等离子体处理中的基板的过度带电的技术。
[0026](第一实施方式)
[0027][等离子体处理装置100的结构][0028]图1是表示本公开的第一实施方式中的等离子体处理装置100的一例的图。等离子体处理装置100包括装置主体1和控制部2。装置主体1包括等离子体处理腔室10、气体供给部20、电源30以及排气系统40。另外，装置主体1包括基板支承部11和气体导入部。气体导入部构成为向等离子体处理空间10s内导入至少一种处理气体。气体导入部包括喷淋头13。基板支承部11配置于等离子体处理腔室10内。喷淋头13配置于基板支承部11的上方。在一个实施方式中，喷淋头13构成等离子体处理腔室10的顶部(Ceiling)的至少一部分。
[0029]等离子体处理腔室10具有由喷淋头13、等离子体处理腔室10的侧壁10a以及基板支承部11规定出的等离子体处理空间10s。等离子体处理腔室10具有用于向等离子体处理空间10s供给至少一种处理气体的至少一个气体供给口、以及用于从等离子体处理空间10s排出气体的至少一个气体排出口。侧壁10a接地。喷淋头13及基板支承部11相对于等离子体处理腔室10的壳体电绝缘。
[0030]基板支承部11包括主体部111和环组件112。主体部111具有用于支承基板W的作为中央区域的基板支承面111a和用于支承环组件112的作为环状区域的环支承面111b。基板W也被称作晶圆。俯视观察时，主体部111的环支承面111b包围主体部111的基板支承面111a。基板W配置于主体部111的基板支承面111a上，环组件112以包围主体部111的基板支承面111a上的基板W的方式配置于主体部111的环支承面111b上。
[0031]主体部111包括静电吸盘1110和基台1111。静电吸盘1110为基板吸附部的一例。基台1111包括导电性构件。基台1111的导电性构件作为下部电极发挥功能。静电吸盘1110配置于基台1111上。静电吸盘1110的上表面为基板支承面111a。在静电吸盘1110设置有电极
1110a。电极1110a经由开关113而与直流电源114连接。静电吸盘1110通过经由开关113从直流电源114供给的直流电压来在基板支承面111a产生库伦力等静电力。由此，静电吸盘1110对配置于基板支承面111a上的基板W进行吸附。
[0032]环组件112包括一个或多个环状构件。一个环状构件或多个环状构件中的至少一个环状构件为边缘环。另外，基板支承部11可以包括省略了图示的温度调节模块，该温度调节模块构成为将静电吸盘1110、环组件112以及基板W中的至少一方调节为目标温度。温度调节模块可以包括加热器、传热介质、流路或者它们的组合。在流路中流动盐水、气体这样的传热流体。另外，基板支承部11可以包括传热气体供给部，该传热气体供给部构成为向基板W与基板支承面111a之间供给传热气体。
[0033]另外，在静电吸盘1110和基台1111以贯穿静电吸盘1110和基台1111的方式设置有多个(例如三个)未图示的提升销。多个提升销能够以贯穿静电吸盘1110和基台1111的方式在上下方向上移动。等离子体处理结束后的基板W被提升销抬起，并被未图示的机械臂等搬送装置从等离子体处理腔室10本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理方法，包括以下工序：工序a)，通过向设置于基板吸附部的电极供给电压，来使基板吸附于所述基板吸附部的上表面；工序b)，在供给至所述电极的电压稳定之后，切断向所述电极的电压供给，由此将所述电极设为浮置状态；以及工序c)，在供给至所述电极的电压稳定之后，通过等离子体来对被吸附于所述基板吸附部的所述基板的表面实施预先决定的处理。2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，在执行所述工序c)之前执行所述工序b)。3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理方法，其特征在于，还包括工序d)，在该工序d)中，在等离子体停止后，去除所述电极中积存的电荷。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述工序c)包括以下工序：工序c
‑
1)，测定利用所述等离子体进行的处理开始时的所述电极的电压，并保持测定出的所述电极的电压的值；以及工序c
‑
2)，在利用所述等离子体进行处理的期间，测定所述电极的电压，在测定出的所述电极的电压小于预先决定的阈值的情况下，向所述电极供给通过所述工序c
‑
1)保持的值的电压。5.根据权利要求1至3中的任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述工序c)包括以下工序：工序c

【专利技术属性】
技术研发人员：青木裕介，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：