波纹管及半导体制造设备制造技术

技术编号:33298627 阅读:7 留言:0更新日期:2022-05-06 12:03
本发明专利技术公开了一种波纹管及半导体制造设备,其中,所述波纹管的内侧壁为褶皱结构,所述波纹管包括:覆盖管,所述覆盖管内嵌于所述波纹管内,并与所述褶皱结构之间密封衔接,其中,所述覆盖管的内侧壁为非褶皱结构,且所述覆盖管可随所述波纹管在所述波纹管的折叠伸缩方向上改变长度。本申请中通过内侧壁为非褶皱结构的覆盖管,覆盖内侧壁为褶皱结构的波纹管,由于内侧壁为非褶皱结构的覆盖管相对于波纹管原本的褶皱结构来说,不容易堆积粉尘,而且更容易清理,本申请解决了现有技术中波纹管的褶皱容易堆积粉尘、不易清理的技术问题。不易清理的技术问题。不易清理的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
波纹管及半导体制造设备


[0001]本专利技术涉及半导体制造的
,尤其涉及一种波纹管及半导体制造设备。

技术介绍

[0002]如图1所示,在现有的半导体制造设备中,半导体制造设备的处理腔室的基座上放置有晶圆,该晶圆需要在真空密封的条件下进行加工,在晶圆的加工过程中,需要移动部件带动基座及基座上的晶圆移动,因此,为兼顾密封和移动的特性,由此产生了波纹管。波纹管作为半导体制造设备中的核心零件,其结构为褶皱的形态,其目的是可以根据褶皱的间距和个数,调节移动的距离。
[0003]在晶圆的加工的过程中,处理腔室会产生颗粒状的加工副产品(以下简称粉尘),粉尘在重力等的影响下会掉到基座下方,进而掉落到存在大量褶皱的波纹管的内部,粉尘容易堆积在波纹管的褶皱上。
[0004]然而,堆积在波纹管的褶皱上的粉尘不易清理干净,再次投入使用时,波纹管的褶皱上的粉尘将污染晶圆,致使晶圆产量降低。现有技术中,对于粉尘堆积的情况,通常采用的方式是直接更换波纹管,然而,更换波纹管的工时较长,同样会导致晶圆产量降低的问题。

技术实现思路

[0005]本申请实施例通过提供一种波纹管及半导体制造设备,解决了现有技术中波纹管的褶皱容易堆积粉尘、不易清理的技术问题。
[0006]一方面,本申请通过本申请的一实施例提供如下技术方案:
[0007]一种波纹管,所述波纹管的内侧壁为褶皱结构,所述波纹管包括:覆盖管,所述覆盖管内嵌于所述波纹管内,并与所述褶皱结构之间密封衔接,其中,所述覆盖管的内侧壁为非褶皱结构,且所述覆盖管可随所述波纹管在所述波纹管的折叠伸缩方向上改变长度。
[0008]在一个实施例中,所述覆盖管包括:第一覆盖管、第二覆盖管,其中,所述第一覆盖管与所述第二覆盖管嵌套配合,且所述第一覆盖管可相对于所述第二覆盖管滑动,所述第一覆盖管及所述第二覆盖管的中心线与所述折叠伸缩方向平行;所述第一覆盖管远离所述第二覆盖管的一端与所述波纹管的第一端密封衔接,所述第二覆盖管远离所述第一覆盖管的一端与所述波纹管的第二端密封衔接。
[0009]在一个实施例中,所述覆盖管还包括:环形密封圈,设置在所述第一覆盖管和所述第二覆盖管重叠的区域。
[0010]在一个实施例中,所述环形密封圈,可转动式设置在所述第一覆盖管和所述第二覆盖管重叠的区域。
[0011]在一个实施例中,所述第一覆盖管靠近所述第二覆盖管的一端,与所述第二覆盖管相对的面设置有第一凹槽,所述环形密封圈可转动地设置在所述第一凹槽。
[0012]在一个实施例中,所述第二覆盖管靠近所述第一覆盖管的一端,与所述第一覆盖
管相对的面设置有第二凹槽,所述环形密封圈可转动地设置在所述第二凹槽。
[0013]在一个实施例中,所述第一覆盖管和所述第二覆盖管为耐腐蚀材料。
[0014]在一个实施例中,所述耐腐蚀材料为特氟龙Teflon材质。
[0015]在一个实施例中,所述覆盖管在所述波纹管处于收缩状态时,所述覆盖管处于弯曲状态;所述覆盖管在所述波纹管处于拉伸状态时,所述覆盖管处于绷直状态。
[0016]另一方面,本申请通过本申请的一实施例,提供如下技术方案:
[0017]一种半导体制造设备,包括:处理腔室;及上述任一实施例所述的波纹管;其中,所述处理腔室与所述波纹管连接。
[0018]本申请实施例中提供的一个或多个技术方案,至少具有如下技术效果或优点:
[0019]本申请中,针对内侧壁为褶皱结构的波纹管,通过设置内侧壁为非褶皱结构、且可沿波纹管的折叠伸缩方向随所述波纹管拉伸或收缩的覆盖管,使该覆盖管内嵌于波纹管内,与波纹管的褶皱结构之间密封衔接,以达到覆盖波纹管原本的内侧壁的褶皱结构、防止粉尘进入波纹管的褶皱结构中的目的。由于覆盖管的内侧壁为非褶皱结构,因此,相对于波纹管原本的褶皱结构来说,不容易堆积粉尘,而且更容易清理,本申请解决了现有技术中波纹管的褶皱容易堆积粉尘、不易清理的技术问题。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1为现有技术中半导体制造设备的粉尘堆积的原理示意图;
[0022]图2为本申请第一实施例提供的波纹管的结构示意图;
[0023]图3为本申请第二实施例提供的半导体制造设备的结构示意图。
具体实施方式
[0024]本申请实施例通过提供一种波纹管及半导体制造设备,解决了现有技术中波纹管的褶皱容易堆积粉尘、不易清理的技术问题。
[0025]本申请实施例的技术方案为解决上述技术问题,总体思路如下:
[0026]本申请中,针对内侧壁为褶皱结构的波纹管,通过设置内侧壁为非褶皱结构、且可沿波纹管的折叠伸缩方向随所述波纹管拉伸或收缩的覆盖管,使该覆盖管内嵌于波纹管内,与波纹管的褶皱结构之间密封衔接,以达到覆盖波纹管原本的内侧壁的褶皱结构、防止粉尘进入波纹管的褶皱结构中的目的。由于覆盖管的内侧壁为非褶皱结构,因此,相对于波纹管原本的褶皱结构来说,不容易堆积粉尘,而且更容易清理,本申请解决了现有技术中波纹管的褶皱容易堆积粉尘、不易清理的技术问题。
[0027]为了更好的理解上述技术方案,下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。
[0028]在对本申请的方案进行说明之前,首先对现有技术中的波纹管的结构以及半导体制造设备的粉尘的流动原理进行说明。如图1所示,该图展示了现有技术中的波纹管应用在
半导体制造设备时粉尘的流动图,该图中,半导体制造设备的处理腔室1的基座11上放置有晶圆12,该晶圆12在加工的过程中会产生大量的粉尘3,这些粉尘3有的掉到基座11下方,有的直接掉落到波纹管2的褶皱中。当波纹管2随着基座11上下移动时,掉落到基座11下方的粉尘3随着波纹管2的移动被带动上扬,部分进入波纹管2的褶皱,由于波纹管2的褶皱中的粉尘3不易清理,日积月累,这些粉尘3将在波纹管2的褶皱堆积。在后续晶圆12的加工过程中,随着波纹管2的移动,堆积在波纹管2的褶皱将会逸出,从而对晶圆12造成污染。
[0029]接着介绍本申请的各种实施例,具体如下:
[0030]如图2、3所示,该图为本专利技术第一实施例的示意图,其示出的波纹管2的内侧壁为褶皱结构21,通过合理设置该褶皱结构中褶皱的间距和个数,可以调节波纹管2的可移动距离,所述波纹管2包括:
[0031]覆盖管22,所述覆盖管22内嵌于所述波纹管2内,并与所述褶皱结构21之间密封衔接,至此,由覆盖管22和波纹管2的褶皱结构21之间构成一个密闭空间,从而将波纹管2的褶皱结构21与外界密封隔离,以避免粉尘3通过缝隙进入到波纹管2的内侧壁的褶皱结构21中,造成褶皱结构21不易清理的问题。
[0032]实际实本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种波纹管,其特征在于,所述波纹管的内侧壁为褶皱结构,所述波纹管包括:覆盖管,所述覆盖管内嵌于所述波纹管内,并与所述褶皱结构之间密封衔接,其中,所述覆盖管的内侧壁为非褶皱结构,且所述覆盖管可随所述波纹管在所述波纹管的折叠伸缩方向上改变长度。2.如权利要求1所述的波纹管,其特征在于,所述覆盖管包括:第一覆盖管、第二覆盖管,其中,所述第一覆盖管与所述第二覆盖管嵌套配合,且所述第一覆盖管可相对于所述第二覆盖管滑动,所述第一覆盖管及所述第二覆盖管的中心线与所述折叠伸缩方向平行;所述第一覆盖管远离所述第二覆盖管的一端与所述波纹管的第一端密封衔接,所述第二覆盖管远离所述第一覆盖管的一端与所述波纹管的第二端密封衔接。3.如权利要求2所述的波纹管,其特征在于,所述覆盖管还包括:环形密封圈,设置在所述第一覆盖管和所述第二覆盖管重叠的区域。4.如权利要求3所述的波纹管,其特征在于,所述环形密封圈,可转动式设置在所述第一覆盖管和所述第二覆盖管重...

【专利技术属性】
技术研发人员:将镇宪高建峰丁云凌刘卫兵
申请(专利权)人:真芯北京半导体有限责任公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1