可区域性控制刻蚀速率的刻蚀设备及半导体产品制造系统技术方案

本实用新型专利技术提供一种可区域性控制刻蚀速率的刻蚀设备，包括刻蚀腔室，设置在刻蚀腔室内的基础刻蚀线圈，以及与基础刻蚀线圈连接的射频电源；还包括：设置在刻蚀腔室内并与射频电源连接的若干个辅助刻蚀线圈，每个辅助刻蚀线圈的尺寸小于基础刻蚀线圈；每个辅助刻蚀线圈用于使对应区域中的离子浓度发生变化，以调整对应区域下方晶圆的刻蚀速率。还提供一种半导体产品制造系统。基础刻蚀线圈和辅助刻蚀线圈叠加作用，使得对应区域中的离子浓度增大，提高下方晶圆的刻蚀速率，实现了分区域进行刻蚀速率调整的目的，避免出现刻蚀不干净或刻蚀过度的现象，也规避了因微负载效应带来的缺陷，提高了刻蚀均匀性。提高了刻蚀均匀性。提高了刻蚀均匀性。

【技术实现步骤摘要】
可区域性控制刻蚀速率的刻蚀设备及半导体产品制造系统


[0001]本技术涉及半导体
，尤其涉及一种可区域性控制刻蚀速率的刻蚀设备及半导体产品制造系统。

技术介绍

[0002]半导体刻蚀是利用化学或物理方法有选择地从晶圆表面去除不需要的材料的过程，是半导体制造工艺中及其重要的一个环节。目前的刻蚀工艺基本都是通过射频电源对刻蚀腔室内的刻蚀线圈进行通电，使刻蚀线圈产生电流，进一步通过电流大小来控制刻蚀线圈下方的离子浓度，进而实现刻蚀速率的控制。
[0003]虽然现有技术中可以对刻蚀速率进行控制，但是整体控制，无法针对某个区域进行调整。由于待刻蚀的晶圆表面各处均匀性不同，若各处的刻蚀速率是相同的，这样会导致在刻蚀过程中部分刻蚀区域出现刻蚀不干净或刻蚀过度的现象；同时由于晶圆表面图形的面积不同会造成被刻蚀速率不同，图形密集的刻蚀区域对应的被刻蚀速率会变慢，反之图形稀疏的刻蚀区域对应的被刻蚀速率会变快，这种情况称之为微负载效应，若各处的刻蚀速率是相同的，这样在刻蚀时会出现图形密集的刻蚀区域刻蚀得少，儿图形稀疏的刻蚀区域刻蚀得多，这种刻蚀不均匀性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可区域性控制刻蚀速率的刻蚀设备，包括刻蚀腔室，设置在所述刻蚀腔室内的基础刻蚀线圈，以及与所述基础刻蚀线圈连接的射频电源；其特征在于，还包括：设置在所述刻蚀腔室内并与所述射频电源连接的若干个辅助刻蚀线圈，每个所述辅助刻蚀线圈的尺寸小于所述基础刻蚀线圈；每个所述辅助刻蚀线圈用于使对应区域中的离子浓度发生变化，以调整对应区域下方晶圆的刻蚀速率。2.根据权利要求1所述的可区域性控制刻蚀速率的刻蚀设备，其特征在于，所述辅助刻蚀线圈设有多个。3.根据权利要求1所述的可区域性控制刻蚀速率的刻蚀设备，其特征在于，所述基础刻蚀线圈的垂直投影覆盖若干个所述辅助刻蚀线圈的垂直投影。4.根据权利要求1
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3任一项所述的可区域性控制刻蚀速率的刻蚀设备，其特征在于，每个所述辅助刻蚀线圈串联有可调元件；每个所述可调元件用于调节对应所述辅助刻蚀线圈中的电流大小。5.根据权利要求4所述的可区域性控制刻蚀速率的刻蚀设备，其特征在于，所述可调元件包括可调电容，每个所述可调电容都分别与所述射频电源连接。...

【专利技术属性】
技术研发人员：高前武，王嘉炜，
申请(专利权)人：长电集成电路绍兴有限公司，
类型：新型
国别省市：