一种MPCVD微波谐振装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种MPCVD微波谐振装置，包括微波源，所述微波源的右端连接有矩形波导，所述矩形波导顶部的左端设置有环形器和水负载，所述矩形波导顶部的中端设置有三螺钉阻抗调配器，所述矩形波导顶部的右端设置有安装块，所述矩形波导顶部的右端设置有转换天线，所述矩形波导的右端设置有短路活塞，所述矩形波导底部的右端连接有反应器体，所述反应器体内设置有沉积台，所述反应器体内设置有升降件；所述反应器体内开设有气体输入口和气体输出口，所述反应器体的前侧设置有取样门，所述反应器体的右侧设置有真空泵；本实用新型专利技术结构简单，实用性高，方便更换转换天线，同时方便调节到适宜金刚石生长的高度。节到适宜金刚石生长的高度。节到适宜金刚石生长的高度。

【技术实现步骤摘要】
一种MPCVD微波谐振装置


[0001]本技术涉及微波
，特别是一种MPCVD微波谐振装置。

技术介绍

[0002]单晶金刚石具有高硬度、超宽禁带、高导热、热膨胀系数小等优异性能，在超精密加工、半导体材料、器件散热等众多领域得到不断研究和应用，是推动科学技术革命最理想的材料。为了满足单晶金刚石在高科技领域的应用需求，开发出可制备高品质单晶金刚石的微波等离子体化学气相沉积设备(Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition，简称MPCVD)显得尤为重要。
[0003]目前在制备单晶金刚石方法中，MPCVD以其无电极放电、气体放电平稳的优点，成为制备单晶金刚石最常用的方法，研究人员发现，转换天线在使用一段时间之后，转换天线的金属表面出现了“陨石坑”的缺陷，同时出现黑色氧化物、刻蚀、碳化表面的现象，大量的“陨石坑”等缺陷导致了天线变形，从而影响了谐振腔内的电场分布，影响微波耦合，影响传入谐振腔中的微波的稳定性，进而影响等离子体的稳定性，导致严重影响金刚石产品的质量。同时目前的制备方法中，金刚石生长台本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MPCVD微波谐振装置，其特征在于：包括微波源，所述微波源的右端连接有输送微波用的矩形波导，所述矩形波导顶部的左端设置有实现微波定向传输的环形器和水负载，所述矩形波导顶部的中端设置有提高微波使用率的三螺钉阻抗调配器，所述矩形波导顶部的右端开设有安装口，所述安装口上通过螺纹设置有安装块，所述安装块的中部开设有第一通孔，所述矩形波导顶部的右端设置有对微波进行模式转换的转换天线，所述转换天线的下端穿过所述第一通孔，所述矩形波导的右端设置有用于调节微波的阻抗匹配的短路活塞，所述矩形波导底部的右端连接有反应器体，所述反应器体内设置有用于金刚石生长的沉积台，所述反应器体内设置有用于带动所述沉积台升降的升降件；所述反应器体内开设有气体输入口和气体输出口，所述反应器体的前侧设置有取样门，所述反应器体的右侧设置有真空泵。2.根据权利要求1所述的一种MPCVD微波谐振装置，其特征在于：所述反应器体从上至下依次分为第一腔体、谐振腔和升降腔，所述第一腔体与所述谐振腔之间通过石英玻璃板隔开，所述升降腔与所述谐振腔通过开口相连通，所述升降件设置在所述升降腔内，所述升降件包括第一套筒，所述第一套筒的底部通过轴承设置在所述升降腔的底部，所述升降腔底部的右端设置有第一电机，所述第一电机顶部的输出轴上设置有主动轮，所述第一套筒的外壁上套设有...

【专利技术属性】
技术研发人员：纪生晓，周良杰，杨霄，王临喜，陈涛，张能健，陈秀华，杨张泉，
申请(专利权)人：福建鑫德晶新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：