气流调节装置和方法及应用该装置的等离子体处理装置制造方法及图纸

一种等离子体处理装置，以及用于该等离子体处理装置的气流调节装置和气流调节方法，等离子体处理装置包含一连接进气装置和排气装置的真空反应腔，真空反应腔内设置一用于支撑基片的基座，基座上方为等离子体区域，环绕基座外围设置一具有气体通道的等离子体约束环，在等离子体约束环下方的排气区域内增设一具有气体通道的气流调节装置，通过调节气流调节装置上的气体通道的开度大小，实现对排气区域内的气流分布的调节，从而实现基座上方等离子体区域的气流均匀分布。本发明专利技术实现了等离子体区域的气流均匀分布，保证了刻蚀均匀性，确保了产品良率，同时降低了设备成本。同时降低了设备成本。同时降低了设备成本。

【技术实现步骤摘要】
气流调节装置和方法及应用该装置的等离子体处理装置


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种气流调节装置，气流调节方法，及应用该气流调节装置的等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]目前的等离子体处理装置中，存在气流分布不均匀的问题。如图1所示，真空反应腔11内部设置一用于支撑基片的基座22，基座上方为等离子体区域，真空反应腔11通过抽气口44连接到抽气泵55。一方面，考虑到射频的中心对称性，优先考虑将作为射频下电极的基座22置于真空反应腔11的中心位置，环绕基座22外围设置等离子体约束环33，由此导致了真空反应腔11的腔壁上设置的抽气口44呈现非对称分布，等离子体区域的气体经过等离子体约束环33后将直接进入抽气口44，因此等离子体约束环33下方的气流会出现分布不均匀。另一方面，抽气泵一般采用钟摆阀来控制开度，阀的开口始终会偏向一边，这个偏向性也会造成抽气的不均匀，使等离子体约束环33下方的气流会出现分布不均匀。等离子体约束环33下方的气流偏边分布将会直接映射到其上方的等离子体区域的气流中，而这种非对称气流分布在敏感制程中，则会导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，包含一真空反应腔，其特征在于，所述的真空反应腔连接进气装置和排气装置，真空反应腔内设置一用于支撑基片的基座，基座上方为等离子体区域；环绕基座外围设置一等离子体约束环，所述的等离子体约束环下方为排气区域，所述的等离子体约束环上设置若干气体通道，用于将气体排放至排气区域；所述的等离子体约束环下方的排气区域内设置一环状的气流调节装置，所述的气流调节装置上设置若干气体通道，用于调节气流调节装置上方的气流分布。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述的气流调节装置包含内圈环和外圈环，以及位于所述的内圈环和外圈环之间的若干调节板。3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述的调节板为百叶窗式调节板。4.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述的调节板为涡轮叶片式调节板。5.如权利要求3或4所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述的调节板与所述的内圈环和外圈环所在的平面之间的角度范围为0
°
～30
°
。6.如权利要求3或4所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述的调节板与所述的内圈环和外圈环所在的平面之间的角度范围为0
°
～10
°
。7.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述的调节板通过旋转轴与所述的内圈环和所述的外圈环连接，相邻的调节板之间形成气体通道，所述的调节板的角度可调，从而实现气体通道的开度调节。8.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述的调节板与所述的内圈环和外圈环所在的平面之间的角度范围为0
°
～90
°
。9.如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述的气流调节装置还包含设置在所述的调节板下方的压紧环，所述的压紧环用于压紧所述的调节板。10.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述的压紧环上设置至少一个密封圈，用于压紧所述的调节板。11.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述的气流调节装置包含堆叠设置的两个挡板，每个挡板上均设置若干通孔，所述的两个挡板上的通孔连通处形成气体通道，所述的两个挡板可相对旋转，从而实现气体通道的开度调节。12.如权利要求7或11所述的等离子体调节装置，其特征在于，所述的气流调节装置还包含第一驱动装置，用于驱动调节板旋转，或驱动挡板转动。13.如权利要求10所述的等离子体调节装置，其特征在于，所述的气流调节装置还包含第二驱动装置，用于驱动压紧环压紧调节板或离开调节板使调节板能够自由旋转。14.如权利要求1所述的等离子体调节装置，其特征在于，所述的排气装置包含抽气泵，所述的气流调节装置上的气体通道的开度大小可调。15.如权利要求1所述的等离子体调节装置，其特征在于，所述的排气装置包含抽气泵和抽气泵开度阀，所述抽气泵开度阀位于所述抽气泵和所述气流调节装置之间。16.如权利要求1所述的等离子体调节装置，其特征在于，所述的气流调节装置上的气体通道的开度范围是0％-100％。
17.一种气流调节装置，用于等离子体处理装置内，所述的等离子体处理装置包含一真空反应腔，所述的真空反应腔连接进气装置和排气装置，真空反应腔内设置一用于支撑基片的基座，基座上方为等离子体区域，环绕基座外围设置一等离子体约束环，所述的等离子体约束环下方为排气区域，所述的等离子体约束环上设置若干气体通道，用于将气体排放至排气区域；其特征在于，所述的气流调节装置为环状结构，用于安装在等离子体约束环下方的...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴磊，张一川，刘身健，黄允文，王凯麟，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：