等离子处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种等离子处理装置，包含：一支撑盘，具有用于支撑基板的一第一承载面及形成于所述第一承载面外围的一第二承载面；及一调节环，配置成以可拆卸的方式坐落于所述支撑盘的第二承载面上，使所述调节环围绕所述第一承载面，且所述调节环具有相互连接的一第一层、一第二层和一第三层，其中所述第二层位于所述第一层与所述第二层之间。所述调节环的设置用于调节等离子曲线。环的设置用于调节等离子曲线。环的设置用于调节等离子曲线。

【技术实现步骤摘要】
等离子处理装置


[0001]本技术是关于一种半导体处理装置，尤其是关于实施等离子处理的等离子处理装置及其使用方法。

技术介绍

[0002]等离子处理是用来沉积物质于一基板上以形成薄膜，像是利用已知的等离子化学气相沉积(PECVD)方法形成介电质薄膜于基板上。当然等离子处理也可应用在原子层沉积(ALD)以及蚀刻等处理。在等离子处理中，影响薄膜形成的等离子分布、均匀性和密度是关键的。这是因为这些因素会造成在基板中央的薄膜厚度和在基板边缘的薄膜厚度的差异。恰当的等离子分布、均匀性和密度可获得厚度均匀的薄膜。当然，这样的理想结果有赖于对处理过程中等离子分布曲线的调节和控制。
[0003]当前使用腔内边缘调节环控制腔体中的等离子曲线。但随着工艺需求的改变，如此具有固定电气特性(如阻抗、等效电容、电导率)的调节环可能无法应付所有的处理。虽然目前已发展出使用透过电路连接调节环的方式应付各种工艺需求，成本支出也相对提高。
[0004]因此，为了使单一处理腔体足以应付更多的工艺需求，有必要发展出较为便利且弹性的手段，并在成本上亦具有优势。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子处理装置，其特征在于，包括：一支撑盘，具有用于支撑基板的一第一承载面及形成于所述第一承载面外围的一第二承载面；及一调节环，配置成以可拆卸的方式坐落于所述支撑盘的第二承载面上，使所述调节环围绕所述第一承载面，且所述调节环具有相互连接的一第一层、一第二层和一第三层，其中所述第二层位于所述第一层与所述第三层之间。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，其中坐落于所述支撑盘的所述调节环的一顶部高于所述支撑盘的第一承载面。3.根据权利要求1项所述装置，其特征在于，其中所述调节环的第一层为一第一材质，所述第二层为一第二材质，所述第三层为一第三材质。4.根据权利要求1项所述的装置，其特征在于，其中所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张赛谦，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：