本申请涉及一种半导体处理装置及方法。在本申请的一个实施例中，半导体处理装置包括：汽化装置，其用以使反应物汽化；载气供应装置，其通过第一管线耦接到所述汽化装置，用以向所述汽化装置供应载气；以及气体分离装置，其通过第二管线耦接到所述汽化装置...

本申请的一个方面提供一种用于流体混合的装置，其包括：输入端，其经配置以接收多种流体；缓冲碗，其第一端耦接到所述输入端，且所述缓冲碗经配置以从所述输入端接收所述多种流体；第一旋流板，其第一侧耦接到所述缓冲碗的第二端，其中所述第一旋流板具有...

本发明提供了一种用于半导体设备的阀门集成块，包括阀块主体以及混气模块，该阀块主体的输出气体通入该混气模块。该混气模块包括第一混气腔室、第二混气腔室、散射喷头以及圆周斜管道；该散射喷头的主体设置在第一混气腔室内，该阀块主体的输出气体经该散...

本发明提供了一种电加热的喷淋板与半导体工艺设备，喷淋板内部设有环形的内嵌槽，用于电加热的加热丝嵌设于内嵌槽中，加热丝外接交流电以实现加热，喷淋板外接射频电源以构成RF电极，喷淋板上还设有采样电路以采集喷淋板在工艺过程中表面产生的直流偏压...

本发明提供了一种密封圈测试平台。所述密封圈测试平台包括平台上板、平台下板、电热丝及检漏密封盖。所述平台上板中心设有抽气通孔。所述平台下板上表面压紧所述平台上板的下表面，并设有容纳半导体镀膜设备的至少一种第一密封圈的第一密封槽。所述电热丝...

本发明公开了一种托盘位置的检测装置、调节系统和检测方法。托盘位置的检测装置包括：第一水平工装，设置于托盘的上方，包括多个光学传感器，多个光学传感器分布于第一水平工装上对应于托盘的边缘上方的位置，用以向托盘的方向发出探测光线；以及控制器，...

本发明公开了一种设备对接装置、设备对接方法和半导体加工设备。设备对接装置包括：激光发射器，用以提供定位激光；第一标靶，设置于第一设备上，以使所述定位激光穿过；以及第二标靶，设置于待与所述第一设备对接的第二设备上，并且所述第二标靶上包括测...

本发明提供了一种电加热的喷淋板与半导体工艺设备，喷淋板内部设有通电以加热的加热丝，喷淋板外接射频信号以构成RF电极，喷淋板上设有采样电路以采集喷淋板在工艺过程中表面产生的直流偏压，喷淋板上还设有滤波电路，用于滤除通入加热丝的电信号对射频...

本申请的一个方面涉及一种半导体处理系统。所述半导体处理系统包括处理腔室、缓冲容器及控制组件、第一气体源以及第二气体源。所述缓冲容器通过所述控制组件连接至所述处理腔室。所述控制组件经配置以选择性地将所述缓冲容器内的气体提供至所述处理腔室。...

本发明提供了一种对中机构、晶圆升降系统、薄膜沉积装置，以及晶圆升降系统的安装方法。所述对中机构包括：环状的第一对中件，设于晶圆升降系统的顶针销杆穿过工艺腔室底部的过孔中，其外径适配所述过孔的第一直径，而其内径适配所述顶针销杆的第二直径；...

本发明涉及半导体设备技术领域，更具体的说，涉及一种提升热传导性能的用于加热盘的射频连接器以及射频连接组件。本发明提供了一种用于加热盘的射频连接器，包括射频连接器本体和射频连接头：所述射频连接头内部的底端，填充导热材料，与射频杆接触并导热...

本发明涉及半导体制造技术领域，更具体的说，涉及一种包含射频系统的半导体处理设备。本发明提供了一种半导体处理设备，至少包括反应腔室、射频接收极、射频发射极：所述射频接收极，设置在反应腔室内的上方；所述射频发射极，设置在反应腔室内的下方，用...

本发明提供了一种晶圆位置的检测系统

本发明提供了一种反应腔内等离子体特性的检测系统

本发明提供了一种开腔装置

本申请提供一种用于薄膜沉积的系统，其包括：管路系统，其包括第一管路；液箱，其包含阀门组，所述阀门组经配置以将第一气体输送至所述第一管路；加热装置，其经配置以加热第二气体并将经加热的所述第二气体提供至所述第一管路；以及反应设备，其包括混气...

本申请涉及一种半导体处理装置。在本申请的一个实施例中，半导体处理装置包括工艺腔、汽化装置和气体管线。所述汽化装置用以使经由第一管线进入所述汽化装置的液态反应源物质汽化。所述气体管线耦接在所述汽化装置与所述工艺腔之间，用以向所述工艺腔输送...

本实用新型提供了一种晶圆升降结构以及一种薄膜沉积设备。该晶圆升降结构包括：线性轴承，竖直安装于晶圆托盘，其中设有多个滚珠；顶针，安装于线性轴承内部，并经由多个滚珠滚动连接线性轴承；以及驱动机构，用于向顶针提供向上的驱动力，驱动顶针的顶端...

本实用新型提供了一种工艺气体间隙的校准装置包括：弹簧负载板，经由多根支撑弹簧被设置于放置板之上，并弹性抵接喷淋面板的下方；位移传感器，设于弹簧负载板及放置板之间，用于非接触地测量自身到弹簧负载板的第一间隙距离，以确定基座加热器到喷淋面板...

本实用新型提供了一种薄膜沉积设备，包括气源、反应腔体、排气通道、第一管路及第二管路。所述气源经由所述第一管路连接所述排气通道，用于向所述排气通道传输前期气压不稳的气源气体。所述气源经由所述第二管路连接所述反应腔体，用于向所述反应腔体传输...