【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工领域，尤其涉及一种密封圈测试平台。
技术介绍
1、在半导体行业镀膜设备中，密封圈常被用于维持真空环境以及维护工艺稳定。因此，密封圈的质量对于真空设备的稳定性至关重要。使用不合适的密封圈会对半导体制造工艺过程产生影响，甚至会造成机台的宕机进而影响机台正常的运行时间。然而，现有的机台无法对密封圈性能进行测试，往往导致机台性能遭受影响后才可以检测出密封圈的质量问题。
2、为了克服现有技术存在的上述缺陷，本领域亟需一种改进的密封圈测试平台，通过模拟密封圈的实际使用工况，对密封圈进行线下检测，以避免密封圈不适用对机台产生影响。
技术实现思路
1、以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之前序。
2、为了克服现有技术存在的上述缺陷，本专利技术提供了一种改进的密封圈测试平台，通过模拟密封圈的实际使用工况，对密封圈进行线下检测，以避免密封圈不适用而对机台产生影响。
3、具体来说，根据本专利技术的第一方面提供的上述密封圈测试平台包括平台上板、平台下板、电热丝及检漏密封盖。所述平台上板中心设有抽气通孔。所述平台下板上表面压紧所述平台上板的下表面，并设有容纳半导体镀膜设备的至少一种第一密封圈的第一密封槽。所述电热丝设于所述平台上
4、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述平台上板的上表面设有容纳所述半导体镀膜设备的至少一种第二密封圈的第二密封槽，用于供所述检漏仪经由所述抽气通道，对所述检漏密封盖与所述平台上板之间抽真空，以检测所述第二密封圈的密封性。
5、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述第一密封槽具有大于所述第一密封圈的第一线径的底部宽度、小于所述第一线径的顶部宽度，以及小于所述第一线径的深度，和/或所述第二密封槽具有大于所述第二密封圈的第二线径的底部宽度、小于所述第二线径的顶部宽度，以及小于所述第一线径的深度。
6、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述第一密封圈被用于所述半导体镀膜设备的顶盖与喷淋头之间的密封。所述第一密封圈包括第一真空密封圈、特气密封圈和/或普气密封圈，并具有多种不同的线径，和/或所述第二密封圈被用于所述半导体镀膜设备的所述顶盖与rps陶瓷块之间的密封。所述第二密封圈包括第二真空密封圈。
7、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述平台下板的上表面设有第一安装槽，以安装第一电热丝，和/或所述平台上板的上表面设有环绕其边缘区域的第二安装槽，以安装第二电热丝。
8、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述第一安装槽被设于多个所述第一密封槽之间，以经由其中的第一加热丝来加热其两侧的第一密封槽中的第一密封圈。
9、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，还包括温度检测器和/或漏电保护罩和/或耐高温底座。所述温度检测器经由检测器支架设于所述平台上板。所述温度检测器探测头伸入到所述平台上板的上表面，以采集所述第一密封圈的实际温度；和/或所述漏电保护罩设于所述平台上板的上表面，以进行漏电保护；和/或所述耐高温底座设于所述平台下板的下方，以进行隔热防护。
10、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述密封圈测试平台被配置为：经由所述电热丝将所述第一密封圈和/或所述第二密封圈加热到其工作温度，并经由所述检漏密封盖对所述平台上板与所述平台下板之间，和/或所述检漏密封盖与所述平台上板之间抽真空；在预设时间内，经由所述检漏仪对所述第一密封圈和/或所述第二密封圈进行密封测试，以确定所述第一密封圈和/或所述第二密封圈的气密性测试结果；以及响应于维持所述工作温度及所述真空达到所述预设时间，对所述第一密封圈和/或所述第二密封圈降温，并检测其线径及重量，以确定所述第一密封圈和/或所述第二密封圈的老化测试结果。
11、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述密封圈测试平台被配置为：经由所述电热丝将所述第一密封圈和/或所述第二密封圈加热到高于其工作温度的预设温度，以对其进行恶化测试；以及响应于维持所述预设温度达到预设时间，对所述第一密封圈和/或所述第二密封圈降温，并检测其线径及重量，以确定所述恶化测试的结果。
12、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述密封圈测试平台被配置为：在经由所述电热丝将所述第一密封圈和/或所述第二密封圈加热到其工作温度后，立即对其降温，并重复预设次数，以对其进行热冲击测试；以及响应于完成所述预设次数的重复测试，检测所述第一密封圈和/或所述第二密封圈的线径及重量，以确定所述热冲击测试的结果。
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1.一种密封圈测试平台，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的密封圈测试平台，其特征在于，所述平台上板的上表面设有容纳所述半导体镀膜设备的至少一种第二密封圈的第二密封槽，用于供所述检漏仪经由所述抽气通道，对所述检漏密封盖与所述平台上板之间抽真空，以检测所述第二密封圈的密封性。
3.如权利要求2所述的密封圈测试平台，其特征在于，所述第一密封槽具有大于所述第一密封圈的第一线径的底部宽度、小于所述第一线径的顶部宽度，以及小于所述第一线径的深度，和/或
4.如权利要求2所述的密封圈测试平台，其特征在于，所述第一密封圈被用于所述半导体镀膜设备的顶盖与喷淋头之间的密封，包括第一真空密封圈、特气密封圈和/或普气密封圈，并具有多种不同的线径，和/或
5.如权利要求1所述的密封圈测试平台，其特征在于，所述平台下板的上表面设有第一安装槽，以安装第一电热丝，和/或
6.如权利要求5所述的密封圈测试平台，其特征在于，所述第一安装槽被设于多个所述第一密封槽之间，以经由其中的第一加热丝来加热其两侧的第一密封槽中的第一密封圈。
7.如
8.如权利要求2所述的密封圈测试平台，其特征在于，所述密封圈测试平台被配置为：
9.如权利要求2所述的密封圈测试平台，其特征在于，所述密封圈测试平台被配置为：
10.如权利要求2所述的密封圈测试平台，其特征在于，所述密封圈测试平台被配置为：
...【技术特征摘要】
1.一种密封圈测试平台，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的密封圈测试平台，其特征在于，所述平台上板的上表面设有容纳所述半导体镀膜设备的至少一种第二密封圈的第二密封槽，用于供所述检漏仪经由所述抽气通道，对所述检漏密封盖与所述平台上板之间抽真空，以检测所述第二密封圈的密封性。
3.如权利要求2所述的密封圈测试平台，其特征在于，所述第一密封槽具有大于所述第一密封圈的第一线径的底部宽度、小于所述第一线径的顶部宽度，以及小于所述第一线径的深度，和/或
4.如权利要求2所述的密封圈测试平台，其特征在于，所述第一密封圈被用于所述半导体镀膜设备的顶盖与喷淋头之间的密封，包括第一真空密封圈、特气密封圈和/或普气密封圈，并具有多种...
【专利技术属性】
技术研发人员：李旭峰，崔雨，张驰，黄明策，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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