System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种用于半导体设备的阀门集成块制造技术_技高网

一种用于半导体设备的阀门集成块制造技术

技术编号:40547359 阅读:6 留言:0更新日期:2024-03-05 19:05
本发明专利技术提供了一种用于半导体设备的阀门集成块,包括阀块主体以及混气模块,该阀块主体的输出气体通入该混气模块。该混气模块包括第一混气腔室、第二混气腔室、散射喷头以及圆周斜管道;该散射喷头的主体设置在第一混气腔室内,该阀块主体的输出气体经该散射喷头通入第一混气腔室混合;该圆周斜管道连接在第一混气腔室和第二混气腔室之间,第一混气腔室混合后的气体经过该圆周斜管道进入第二混气腔室再次混合。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体设备,尤其涉及阀门集成块。


技术介绍

1、用于沉积反应的设备通常按反应气体种类以及数量设计一体式混气阀门集成块,多种气体经集成块混合后,气体组分并不能达到均匀一致,因此需寻找方法将多组气体混合均匀后进入沉积反应腔。

2、现有技术的一体式混气阀门集成块缺少专门设计的混气结构,不但气体组分均匀性不好,气体混合后热均匀性也不佳。

3、因此,亟需一种具有特殊结构的阀门集成块。


技术实现思路

1、为了解决现有一体式混气阀门集成块的缺陷,本专利技术提供了一种特殊的用于半导体设备的阀门集成块

2、该阀门集成块包括:阀块主体以及混气模块。

3、该阀块主体的输出气体通入该混气模块。

4、其中,该混气模块包括:第一混气腔室、第二混气腔室、散射喷头以及圆周斜管道。

5、该散射喷头的主体设置在第一混气腔室内,该阀块主体的输出气体经该散射喷头通入第一混气腔室混合。

6、该圆周斜管道连接在第一混气腔室和第二混气腔室之间,第一混气腔室混合后的气体经过该圆周斜管道进入第二混气腔室再次混合。

7、在一个实施例中,该阀门集成块还包括:流阻调节板,连接在该混气模块和该阀块主体之间。

8、在一个实施例中,该流阻调节板内部具有第一锥形气体通道、流阻管以及第二锥形气体通道;该流阻管连接在第一锥形气体通道和第二锥形气体通道之间。

9、在一个实施例中,第一锥形气体通道的底面朝向该阀块主体连接,第一锥形气体通道的顶部与该流阻管连通;第二锥形气体通道的顶部与该流阻管连接,第二锥形气体通道的底面朝向该混气模块连接。

10、在一个实施例中,该流阻管的孔径为可调节。

11、在一个实施例中,该散射喷头的主体外周上均匀分布有不同朝向的多个孔隙。

12、在一个实施例中,该阀块主体具有第一进气口和第二进气口,第一气体从第一进气口通入该阀块主体,第二气体从第二进气口通入该阀块主体。

13、在一个实施例中,该混气模块具有输出口,第二混气腔室的输出气体从该输出口流出。

14、在一个实施例中,该散射喷头和该圆周斜管道均采用扩散与对流法相结合原理,该散射喷头的孔隙利于气体扩散混合,同时不同朝向的该孔隙可改变气体流动方向,强制气体在该混气模块中循环,再经第一混气腔室和第二混气腔室混合,充分提高气体混合后的均匀性。

15、在一个实施例中,该圆周斜管道为多个绕圆柱型外周排布的斜管道。

16、本专利技术的阀门集成块增加专用的混气模块,该混气模块采用多孔多流到设计,大大提高气体加热均匀性;且本专利技术的阀门集成块还设计有可调流阻混气模块,可以有效提高气体混合后的均匀性。

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【技术保护点】

1.一种用于半导体设备的阀门集成块,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的用于半导体设备的阀门集成块,其特征在于,该阀门集成块还包括:

3.如权利要求2所述的用于半导体设备的阀门集成块,其特征在于,该流阻调节板内部具有第一锥形气体通道、流阻管以及第二锥形气体通道;该流阻管连接在第一锥形气体通道和第二锥形气体通道之间。

4.如权利要求3所述的用于半导体设备的阀门集成块,其特征在于,第一锥形气体通道的底面朝向该阀块主体连接,第一锥形气体通道的顶部与该流阻管连通;第二锥形气体通道的顶部与该流阻管连接,第二锥形气体通道的底面朝向该混气模块连接。

5.如权利要求3所述的用于半导体设备的阀门集成块,其特征在于,该流阻管的孔径为可调节。

6.如权利要求1所述的用于半导体设备的阀门集成块,其特征在于,该散射喷头的主体外周上均匀分布有不同朝向的多个孔隙。

7.如权利要求1所述的用于半导体设备的阀门集成块,其特征在于,该阀块主体具有第一进气口和第二进气口,第一气体从第一进气口通入该阀块主体,第二气体从第二进气口通入该阀块主体

8.如权利要求1所述的用于半导体设备的阀门集成块,其特征在于,该混气模块具有输出口,第二混气腔室的输出气体从该输出口流出。

9.如权利要求6所述的用于半导体设备的阀门集成块,其特征在于,该散射喷头和该圆周斜管道均采用扩散与对流法相结合原理,该散射喷头的孔隙利于气体扩散混合,同时不同朝向的该孔隙可改变气体流动方向,强制气体在该混气模块中循环,再经第一混气腔室和第二混气腔室混合,充分提高气体混合后的均匀性。

10.如权利要求1所述的用于半导体设备的阀门集成块,其特征在于,该圆周斜管道为多个绕圆柱型外周排布的斜管道。

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【技术特征摘要】

1.一种用于半导体设备的阀门集成块,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的用于半导体设备的阀门集成块,其特征在于,该阀门集成块还包括:

3.如权利要求2所述的用于半导体设备的阀门集成块,其特征在于,该流阻调节板内部具有第一锥形气体通道、流阻管以及第二锥形气体通道;该流阻管连接在第一锥形气体通道和第二锥形气体通道之间。

4.如权利要求3所述的用于半导体设备的阀门集成块,其特征在于,第一锥形气体通道的底面朝向该阀块主体连接,第一锥形气体通道的顶部与该流阻管连通;第二锥形气体通道的顶部与该流阻管连接,第二锥形气体通道的底面朝向该混气模块连接。

5.如权利要求3所述的用于半导体设备的阀门集成块,其特征在于,该流阻管的孔径为可调节。

6.如权利要求1所述的用于半导体设备的阀门集成块,其特征在于,该散射喷头的主体外...

【专利技术属性】
技术研发人员:章志敏鞠子辰厉博明
申请(专利权)人:拓荆科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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