【技术实现步骤摘要】
本申请大体上涉及半导体制造设备领域，且更具体来说，涉及一种半导体处理装置及方法。
技术介绍
1、在半导体制造领域中，载气是半导体制造过程中常用的气体。载气不参与实际反应，仅作为协助反应物汽化和传输的辅助气体存在。载气通常为惰性气体，例如氦气或氩气等。惰性气体不可再生且价格昂贵。如果在半导体制造过程中循环利用载气，则可以有效地降低制造成本。
2、因此，需要一种结构和流程简单、在不影响半导体处理工艺正常进行的情况下循环利用载气的半导体处理装置，以同时满足对质量和经济性的需求。
技术实现思路
1、本申请提供了一种半导体处理装置，其包括气体分离装置，所述半导体处理装置可以循环利用载气且不影响半导体处理工艺正常进行，从而降低成本。
2、根据本申请的一些实施例，本申请提供了一种半导体处理装置，其包括：汽化装置，其用以使反应物汽化；载气供应装置，其通过第一管线耦接到所述汽化装置，用以向所述汽化装置供应载气；以及气体分离装置，其通过第二管线耦接到所述汽化装置并通过第三管线耦接到所述载气供应装置，用以将进入其中的混合气体分离为第一气体和第二气体，并将所述第一气体输送到所述载气供应装置，其中第一气体包括所述载气。
3、根据本申请的一些实施例，所述半导体处理装置进一步包括反应物源，其通过第四管线耦接到所述汽化装置，以向所述汽化装置提供所述反应物。
4、根据本申请的一些实施例，所述反应物源为液态源或固态源。
5、根据本申请的一些实施例，所述半导体
6、根据本申请的一些实施例，所述半导体处理装置进一步包括气体存储装置，其设置在所述第三管线上并耦接在所述气体分离装置与所述过滤装置之间或耦接在所述过滤装置与所述载气供应装置之间，用以存储所述第一气体。
7、根据本申请的一些实施例，所述半导体处理装置进一步包括工艺腔。
8、根据本申请的一些实施例，所述工艺腔通过第五管线耦接到所述气体分离装置，使得来自所述气体分离装置的所述第二气体进入所述工艺腔。
9、根据本申请的一些实施例，进入所述气体分离装置的所述混合气体来自所述汽化装置。
10、根据本申请的一些实施例，所述工艺腔设置在所述第二管线上并耦接在所述汽化装置与所述气体分离装置之间。
11、根据本申请的一些实施例，进入所述气体分离装置的所述混合气体来自所述工艺腔。
12、根据本申请的一些实施例，所述气体分离装置包括分离筛。
13、根据本申请的一些实施例，所述分离筛包括陶瓷多孔分离筛。
14、根据本申请的一些实施例，所述分离筛包括环形内管和环形外管，且其中所述环形内管的管壁上包括多个第一通道孔，所述环形内管的内腔包括多个第二通道孔，且所述第一通道孔的孔径小于所述第二通道孔的孔径。
15、根据本申请的一些实施例，所述第二通道孔的侧壁上包括多个所述第一通道孔。
16、根据本申请的一些实施例，所述环形外管的管壁上设置有第一排气口以排出所述第一气体，所述环形内管的管壁上设置有第二排气口以排出所述第二气体。
17、根据本申请的一些实施例，所述载气包括氦气或氩气。
18、根据本申请的一些实施例，所述半导体处理装置包括化学气相沉积装置或原子层沉积装置。
19、根据本申请的一些实施例，本申请进一步提供了一种操作半导体处理装置的方法，其包括：将来自载气供应装置的载气提供至汽化装置；将来自汽化装置的混合气体提供至气体分离装置，以使所述混合气体分离为第一气体和第二气体；以及将所述第一气体输送到所述载气供应装置，其中第一气体包括所述载气。
20、根据本申请的一些实施例，所述方法进一步包括将反应物从反应物源提供至所述汽化装置，并使所述反应物汽化。
21、根据本申请的一些实施例，所述方法进一步包括将来自所述气体分离装置的所述第二气体提供至工艺腔。
22、根据本申请的一些实施例，所述方法进一步包括在将所述第一气体输送到所述载气供应装置之前，对所述第一气体进行过滤、加压或两者。
23、根据本申请的一些实施例，本申请进一步提供了一种操作半导体处理装置的方法，其包括：将来自载气供应装置的载气提供至汽化装置；将来自汽化装置的第一混合气体提供至工艺腔；将来自所述工艺腔的第二混合气体提供至气体分离装置，以使所述第二混合气体分离为第一气体和第二气体；以及将所述第一气体输送到所述载气供应装置，其中第一气体包括所述载气。
24、根据本申请的一些实施例，所述方法进一步包括将反应物从反应物源提供至所述汽化装置，并使所述反应物汽化。
25、根据本申请的一些实施例，所述方法进一步包括在将所述第一气体输送到所述载气供应装置之前，对所述第一气体进行过滤、加压或两者。
26、在以下附图及描述中阐述本申请的一或多个实例的细节。其他特征、目标及优势将根据所述描述及附图以及权利要求书而显而易见。
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1.一种半导体处理装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其进一步包括：
3.根据权利要求2所述的半导体处理装置，其中所述反应物源为液态源或固态源。
4.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其进一步包括：
5.根据权利要求4所述的半导体处理装置，其进一步包括：
6.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其进一步包括工艺腔。
7.根据权利要求6所述的半导体处理装置，其中所述工艺腔通过第五管线耦接到所述气体分离装置，使得来自所述气体分离装置的所述第二气体进入所述工艺腔。
8.根据权利要求7所述的半导体处理装置，其中进入所述气体分离装置的所述混合气体来自所述汽化装置。
9.根据权利要求6所述的半导体处理装置，其中所述工艺腔设置在所述第二管线上并耦接在所述汽化装置与所述气体分离装置之间。
10.根据权利要求9所述的半导体处理装置，其中进入所述气体分离装置的所述混合气体来自所述工艺腔。
11.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其中所述气体分离装置包括分离筛
12.根据权利要求11所述的半导体处理装置，其中所述分离筛包括陶瓷多孔分离筛。
13.根据权利要求11所述的半导体处理装置，其中所述分离筛包括环形内管和环形外管，且其中所述环形内管的管壁上包括多个第一通道孔，所述环形内管的内腔包括多个第二通道孔，且所述第一通道孔的孔径小于所述第二通道孔的孔径。
14.根据权利要求13所述的半导体处理装置，其中所述第二通道孔的侧壁上包括多个所述第一通道孔。
15.根据权利要求13所述的半导体处理装置，其中所述环形外管的管壁上设置有第一排气口以排出所述第一气体，所述环形内管的管壁上设置有第二排气口以排出所述第二气体。
16.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其中所述载气包括氦气或氩气。
17.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其中所述半导体处理装置包括化学气相沉积装置或原子层沉积装置。
18.一种操作半导体处理装置的方法，其包括：
19.根据权利要求18所述的方法，其进一步包括：
20.根据权利要求18所述的方法，其进一步包括：
21.根据权利要求18所述的方法，其进一步包括：
22.一种操作半导体处理装置的方法，其包括：
23.根据权利要求22所述的方法，其进一步包括：
24.根据权利要求22所述的方法，其进一步包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体处理装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其进一步包括：
3.根据权利要求2所述的半导体处理装置，其中所述反应物源为液态源或固态源。
4.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其进一步包括：
5.根据权利要求4所述的半导体处理装置，其进一步包括：
6.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其进一步包括工艺腔。
7.根据权利要求6所述的半导体处理装置，其中所述工艺腔通过第五管线耦接到所述气体分离装置，使得来自所述气体分离装置的所述第二气体进入所述工艺腔。
8.根据权利要求7所述的半导体处理装置，其中进入所述气体分离装置的所述混合气体来自所述汽化装置。
9.根据权利要求6所述的半导体处理装置，其中所述工艺腔设置在所述第二管线上并耦接在所述汽化装置与所述气体分离装置之间。
10.根据权利要求9所述的半导体处理装置，其中进入所述气体分离装置的所述混合气体来自所述工艺腔。
11.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其中所述气体分离装置包括分离筛。
12.根据权利要求11所述的半导体处理装置，其中所述分离筛包括陶瓷多孔分离筛。
13.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡玉，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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