【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种trench mos(深槽金属氧化物半导体场效应晶体管)器件及其制造方法。
技术介绍
1、trench mos是在vdmos(垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)的基础上发展起来的，和vdmos相比，trench mos具有更低的导通电阻和栅漏电荷密度，因此具有更低的导通和开关损耗和更快的开关速度。
2、申请公布号cn110648920a的专利文件公开了采用第一杂质(如磷元素)进行淀积，并对淀积层采用高温退火进行处理，将淀积层中的第一杂质扩散至衬底中，形成扩散层，阻止了body区域连成一片，有利于trench mos器件的开启。基于该专利文件，制作工艺中需要进行一定时长的高温退火来形成扩散层，步骤较为繁琐；此外，在最终的效果中，击穿电压的稳定性有一定的缺陷，减小导通电阻的同时保证击穿电压的稳定性问题还需改善。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有技术中制作工艺繁琐且击穿电压不稳定的缺陷，提供一种trench mos器件及其制造方法。
2、本专利技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题：
3、本专利技术提供一种trench mos器件的制造方法，所述制造方法包括：
4、s1.提供一衬底；
5、s2.在所述衬底一表面上淀积lpteos(低压正硅酸乙脂)，并对所述表面进行刻蚀，形成沟槽；
6、s3.以剩余所述lpteos作为掩蔽层，在沟槽底部进行n型重掺杂得
7、s4.在所述衬底的表面和所述沟槽内形成第一氧化层；
8、s5.在所述第一氧化层的表面进行淀积，形成淀积层；
9、其中，所述淀积层中包括第一杂质；
10、所述第一杂质的杂质类型与所述衬底对应的杂质类型一致；
11、s6.对所述衬底采用杂质注入，形成杂质注入区；
12、其中，所述杂质注入区分别位于所述沟槽两侧。
13、较佳地，步骤s6包括：
14、对所述衬底采用第二杂质注入，形成第一杂质注入区；
15、在所述第一杂质注入区中采用所述第一杂质注入，形成第二杂质注入区；
16、其中，所述第二杂质注入区位于所述成第一杂质注入区远离所述衬底的一侧；
17、当所述第一杂质为n型杂质时，所述第二杂质为p型杂质；
18、当所述第一杂质为p型杂质时，所述第二杂质为n型杂质。
19、较佳地，步骤s6之后还包括：
20、s7.刻蚀掉所述淀积层中除位于所述沟槽内的部分之外的部分；
21、s8.在所述沟槽和所述第一氧化层的表面形成第二氧化层；
22、s9.对所述第二氧化层和所述第二杂质注入区刻蚀形成接触孔；
23、其中，所述接触孔位于所述第二杂质注入区的外侧；
24、s10.在所述接触孔内和所述第二氧化层的上表面形成第一金属层，并在所述衬底下表面形成第二金属层。
25、本专利技术还提供一种trench mos器件，所述trench mos器件采用上述的trench mos器件的制造方法得到，所述trench mos器件包括：
26、衬底；
27、沟槽，形成于所述衬底的一表面；
28、n型半导体层，形成于所述沟槽内；
29、第一氧化层，形成于所述衬底的表面和所述沟槽内；
30、淀积层，形成且填满于所述沟槽内；
31、其中，所述淀积层中包括第一杂质；
32、所述第一杂质的杂质类型与所述衬底对应的杂质类型一致；
33、杂质注入区，由采用杂质注入至所述衬底形成；
34、其中，所述杂质注入区分别位于所述沟槽两侧。
35、较佳地，所述杂质注入区包括第一杂质注入区和第二杂质注入区；
36、所述第一杂质注入区，由采用第二杂质注入至所述衬底形成；
37、所述第二杂质注入区，由采用所述第一杂质注入至所述第一杂质注入区形成；
38、其中，所述第二杂质注入区位于所述成第一杂质注入区远离所述衬底的一侧；
39、当所述第一杂质为n型杂质时，所述第二杂质为p型杂质；
40、当所述第一杂质为p型杂质时，所述第二杂质为n型杂质。
41、较佳地，所述trench mos器件还包括：
42、第二氧化层，形成于所述沟槽以及所述第一氧化层的表面；
43、第一金属层，覆盖于所述第二氧化层的上表面；
44、第二金属层，形成于所述衬底的下表面。
45、本专利技术的积极进步效果在于：通过进行n型重掺杂形成n型半导体层，从而阻止body区域连成一片，有利于trench mos器件的开启，简化了制作工艺，有效地减小了trenchmos器件的导通电阻的同时保证击穿电压的稳定性。
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1.一种Trench MOS器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
2.如权利要求1所述的Trench MOS器件的制造方法，其特征在于，步骤S6包括：
3.如权利要求2所述的Trench MOS器件的制造方法，其特征在于，步骤S6之后还包括：
4.一种Trench MOS器件，其特征在于，所述Trench MOS器件采用权利要求1所述的Trench MOS器件的制造方法得到，所述Trench MOS器件包括：
5.如权利要求4所述的Trench MOS器件，其特征在于，所述杂质注入区包括第一杂质注入区和第二杂质注入区；
6.如权利要求5所述的Trench MOS器件，其特征在于，所述Trench MOS器件还包括：
【技术特征摘要】
1.一种trench mos器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
2.如权利要求1所述的trench mos器件的制造方法，其特征在于，步骤s6包括：
3.如权利要求2所述的trench mos器件的制造方法，其特征在于，步骤s6之后还包括：
4.一种trench mos器件，其特征在于，所述tre...
【专利技术属性】
技术研发人员：周东飞，钟圣荣，张朝宽，冒晶晶，柯俊吉，刘欢，葛景涛，钟子期，曹荣荣，
申请(专利权)人：上海贝岭股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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