【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子电路，特别涉及一种图像传感器及其制造方法。
技术介绍
1、图像传感器是指将光信号转换为电信号的装置，被广泛应用于摄影摄像、安防系统、智能便携电话、传真机、扫描器以及医疗电子等领域。
2、随着集成电路的不断发展，对图像传感器的像素性能越来越高。例如小像素、高灵敏度的图像传感器中的信噪比难以控制，为加强满井电荷容量，需要对光电二极管进行更深的离子注入。而随着光电二极管的面积越来越小，深度越来越深，电子的传输效率越来越低，进而影响图像传感器的性能。
3、因此，如何获得提高光电二极管中电子的传输效率成为需要解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种图像传感器及其制造方法，可提高电子运动至栅极的效率，进而提高图像传感器的性能。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种图像传感器，至少包括：
3、衬底；
4、传输晶体管，设置在所述衬底的一侧，所述传输晶体管的栅极位于所述衬底的第一表面；
5、光电...
【技术保护点】
1.一种图像传感器，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的一种图像传感器，其特征在于，在所述衬底中，多个所述导电结构的延伸深度不同。
3.根据权利要求1所述的一种图像传感器，其特征在于，在所述衬底的第二表面上，由所述光电反应区的边缘至中心，所述导电结构的延伸深度逐渐减小。
4.根据权利要求1所述的一种图像传感器，其特征在于，在所述衬底的第二表面上，由远离所述栅极的位置至靠近所述栅极的位置，所述导电结构的延伸深度逐渐减小。
5.根据权利要求1所述的一种图像传感器，其特征在于，在所述衬底的第一表面上，所述栅极位于所...
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的一种图像传感器，其特征在于，在所述衬底中，多个所述导电结构的延伸深度不同。
3.根据权利要求1所述的一种图像传感器，其特征在于，在所述衬底的第二表面上，由所述光电反应区的边缘至中心，所述导电结构的延伸深度逐渐减小。
4.根据权利要求1所述的一种图像传感器，其特征在于，在所述衬底的第二表面上，由远离所述栅极的位置至靠近所述栅极的位置，所述导电结构的延伸深度逐渐减小。
5.根据权利要求1所述的一种图像传感器，其特征在于，在所述衬底的第一表面上，所述栅极位于所述光电反应区的中心位置。
6.根据权利要求1所述的一种图像传感器，其特征在于，在所述衬底的第一表面上，所述栅极位于所述光电反应区的边缘位置。
7.根据权利要求1所述的一种图像传感器，其特征在于，所述栅极为垂直栅极，所述垂直栅极延伸入所述衬底中。
8.根据权利要求1所述的一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括浅沟槽...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵庆贺，刘正，范春晖，李岩，
申请(专利权)人：合肥海图微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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