【技术实现步骤摘要】
本公开涉及集成电路设计，尤其涉及一种放大电路及比较器。
技术介绍
1、随着半导体工艺的不断进步，模数转换器的研究也日益加深。比较器是模数转换器中的核心模块，目前比较器中的预放大器(放大电路)存在带宽过大的问题，会导致比较器的功耗过高，降低了比较器的整体性能，也限制了模数转换器的发展。
技术实现思路
1、本公开要解决的技术问题是为了克服现有技术中比较器的预放大器带宽过大，导致比较器的功耗过高、比较器的整体性能降低等缺陷，提供一种放大电路及比较器。
2、本公开是通过下述技术方案来解决上述技术问题：
3、本公开提供一种放大电路，所述放大电路设置于比较器中，所述放大电路包括电连接的第一放大单元和第二放大单元；
4、其中，所述第一放大单元包括若干依次串联的第一预放大器，所述第二放大单元包括至少一个第二预放大器；
5、所述第二预放大器中晶体管的尺寸小于所述第一放大单元中的任意一个所述第一预放大器中的晶体管的尺寸；
6、所述第一放大单元用于对差分输入信号进行放大处理后得到中间信号，并发送至所述第二放大单元；
7、所述第二放大单元用于对输入的所述中间信号进行放大处理，以得到带宽调整后的目标输出信号。
8、较佳地，当所述第二放大单元包括多个依次串联的所述第二预放大器时，多个所述第二预放大器的结构相同，后一级的所述第二预放大器中晶体管的尺寸小于前一级的所述第二预放大器中晶体管的尺寸。
9、较佳地，所述第一放
10、最后一级的所述第一预放大器中晶体管的尺寸大于所述第二放大单元中的任意一个所述第二预放大器中的晶体管的尺寸。
11、较佳地，所述第一放大单元包括依次连接的两个所述第一预放大器，第二放大单元包括一个所述第二预放大器。
12、较佳地，所述第一预放大器包括第一pmos(p型金属氧化物半导体)管、第二pmos管、第一nmos(n型金属氧化物半导体)管、第二nmos管、第三nmos管和第四nmos管；
13、所述第一pmos管的栅极和漏极与所述第二pmos管的栅极和漏极、所述第二nmos管的漏极、所述第四nmos管的源极和漏极、所述第三nmos管的漏极电连接，所述第一pmos管的源极和所述第二pmos管的源极电连接；
14、所述第一nmos管的漏极与所述第二nmos管的源极、所述第三nmos管的源极电连接，所述第一nmos管的源极接地；
15、所述第四nmos管的栅极用于复位，以检测所述第一预放大器是否正常工作。
16、较佳地，所述第二预放大器包括第三pmos管、第四pmos管、第五pmos管，第六pmos管、第五nmos管、第六nmos管、第七nmos管和第八nmos管；
17、所述第三pmos管的栅极与所述第四pmos管的漏极、所述第六pmos管的漏极和栅极、所述第七nmos管的漏极、所述第八nmos管的漏极电连接，所述第三pmos管的漏极与所述第四pmos管的栅极、所述第五pmos管的栅极和漏极、所述第六nmos管的漏极、所述第八nmos管的源极连接，所述第三pmos管的源极与所述第四pmos管的源极、所述第五pmos管的源极、所述第六pmos管的源极电连接；
18、所述第五nmos管的漏极与所述第六nmos管的源极、所述第七nmos管的源极电连接，所述第五nmos管的源极接地；
19、其中，所述第三pmos管的尺寸小于所述第五pmos管的尺寸；
20、所述第八nmos管的栅极用于复位，以检测所述第二预放大器是否正常工作。
21、较佳地，所述第三pmos管的尺寸为所述第五pmos管的尺寸的1/4。
22、较佳地，所述放大电路还包括差分开关单元；
23、所述差分开关单元包括第一开关和第二开关；
24、所述第一开关与所述第一放大单元的第一输入端电连接；
25、所述第二开关与所述第一放大单元的第二输入端电连接；
26、所述差分开关单元用于控制所述差分输入信号的输入。
27、较佳地，所述放大电路还包括共模开关单元；
28、所述共模开关模块包括若干共模开关；
29、每个所述第一预放大器和每个所述第二预放大器的每个输入端分别与一个所述共模开关电连接；
30、所述共模开关单元用于控制共模信号的输入。
31、本公开还提供一种比较器，所述比较器包括如上述所述的放大电路。
32、在符合本领域常识的基础上，所述各优选条件，可任意组合，即得本公开各较佳实例。
33、本公开的积极进步效果在于：
34、本公开通过设置放大电路的第二放大单元中晶体管的尺寸小于第一放大单元中晶体管的尺寸，对放大电路中晶体管的尺寸进行了优化，提高了放大电路的带宽，降低了比较器的噪声和功耗，提升了比较器的整体性能。
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1.一种放大电路，其特征在于，所述放大电路设置于比较器中，所述放大电路包括电连接的第一放大单元和第二放大单元；
2.如权利要求1所述的放大电路，其特征在于，当所述第二放大单元包括多个依次串联的所述第二预放大器时，多个所述第二预放大器的结构相同，后一级的所述第二预放大器中晶体管的尺寸小于前一级的所述第二预放大器中晶体管的尺寸。
3.如权利要求1所述的放大电路，其特征在于，所述第一放大单元包括与所述第二预放大器结构相同的所述第一预放大器；
4.如权利要求1-3中任一项所述的放大电路，其特征在于，所述第一放大单元包括依次连接的两个所述第一预放大器，所述第二放大单元包括一个所述第二预放大器。
5.如权利要求4所述的比较器中的放大电路，其特征在于，所述第一预放大器包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管；
6.如权利要求4所述的比较器中的放大电路，其特征在于，所述第二预放大器包括第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管，第六PMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、
7.如权利要求6所述的比较器中的放大电路，其特征在于，所述第三PMOS管的尺寸为所述第五PMOS管的尺寸的1/4。
8.如权利要求1所述的比较器中的放大电路，其特征在于，所述放大电路还包括差分开关单元；
9.如权利要求1或8所述的比较器中的放大电路，其特征在于，所述放大电路还包括共模开关单元；
10.一种比较器，其特征在于，所述比较器包括如权利要求1-9中任一项所述的放大电路。
...【技术特征摘要】
1.一种放大电路，其特征在于，所述放大电路设置于比较器中，所述放大电路包括电连接的第一放大单元和第二放大单元；
2.如权利要求1所述的放大电路，其特征在于，当所述第二放大单元包括多个依次串联的所述第二预放大器时，多个所述第二预放大器的结构相同，后一级的所述第二预放大器中晶体管的尺寸小于前一级的所述第二预放大器中晶体管的尺寸。
3.如权利要求1所述的放大电路，其特征在于，所述第一放大单元包括与所述第二预放大器结构相同的所述第一预放大器；
4.如权利要求1-3中任一项所述的放大电路，其特征在于，所述第一放大单元包括依次连接的两个所述第一预放大器，所述第二放大单元包括一个所述第二预放大器。
5.如权利要求4所述的比较器中的放大电路，其特征在于，所述第一预放大器包括第一pmos管...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭贺，
申请(专利权)人：上海贝岭股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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