【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，更具体的说，涉及一种包含射频系统的半导体处理设备。
技术介绍
1、薄膜沉积技术用于制造微电子器件的薄膜，在基板衬底上形成沉积物，常见的薄膜沉积技术包括物理气相沉积、化学气相沉积等技术。随着半导体技术节点的不断发展，
2、在半导体领域中，薄膜沉积是一个至关重要的过程，它直接影响到半导体器件的性能和可靠性。薄膜沉积的工艺参数包括衬底温度、气体流量、压力、功率等，这些参数的选择和控制直接影响到薄膜的质量和性能。然而，薄膜沉积的工艺参数之间存在着相互影响和制约的关系，因此需要对它们进行精细的控制和调节。
3、将半导体晶圆进行等离子体处理的半导体处理设备，如pecvd(等离子体增强化学气相沉积)工艺，常被称作射频(rf)系统。这类系统包含了rf控制电路，其核心功能是向半导体处理设备的电极提供射频信号。这些信号在处理腔室中的特定处理区域产生电场。当反应气体在电场作用下离子化后，它将与待处理的晶圆发生反应，这些反应可能涉及到蚀刻或沉积等过程。
4、现有技术的半导体处理设备，例如4.6ghz的pecvd射频系统，从喷淋板导入射频。图1揭示了现有技术的一种半导体处理设备示意图，如图1所示的半导体处理设备100是一种用于进行半导体工艺处理的设备，至少包含反应腔室101、喷淋板102、加热盘104、射频电源105以及加热盘射频电极106等主要组件。
5、反应腔室101是一个密封的腔室，能够为待处理基板103提供一个稳定的工艺环境。
6、喷淋板102位于反应腔室101
7、喷淋板102的设计还考虑了气体的流动和分布情况，以确保气体能够均匀地覆盖整个待处理基板103表面。
8、加热盘104是另一个重要的组件，位于喷淋板102下方，可以为待处理基板103提供适当的加热环境，使待处理基板103达到工艺所需温度。这种加热方式可以实现高效、均匀的热分布，并保证待处理基板103的热稳定性和可靠性。
9、为了增强工艺处理的效率和稳定性，半导体处理设备100还采用了射频电源105和加热盘射频电极106的设计。射频电源105通过射频匹配器将射频功率提供到喷淋板102上，并在喷淋板102和加热盘104之间形成电场。这个电场可以促进反应气体在待处理基板表面的化学反应，并控制反应速率和效果。
10、如图1所示的射频回路，射频电源105发出的射频信号，通过喷淋板102、待处理基板103、加热盘射频电极106、反应腔室侧壁返回到射频电源105。这个回路的组件共同构成了射频回路，使得射频功率能够在喷淋板102和加热盘104之间流动并发挥作用。
11、射频功率从喷淋板102导入，由于加热盘射频电极106与接地之间存在第一阻抗z1，反应腔室101的侧壁与地之间存在第二阻抗z2，受到第一阻抗z1和第二阻抗z2的影响，流经待处理基板103各处的电流并不一致，因此，待处理基板103的成膜质量受到影响。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种半导体处理设备，解决现有技术的半导体处理设备射频系统对待处理基板的成膜质量问题。
2、为了实现上述目的，本专利技术提供了一种半导体处理设备，至少包括反应腔室、射频接收极、射频发射极：
3、所述射频接收极，设置在反应腔室内的上方；
4、所述射频发射极，设置在反应腔室内的下方，用于向反应腔室上方发射射频功率信号。
5、在一实施例中，所述半导体处理设备还包括喷淋板，所述射频接收极，设置在喷淋板内。
6、在一实施例中，所述半导体处理设备还包括基板承载装置，所述射频发射极，设置在基板承载装置内。
7、在一实施例中，所述半导体处理设备还包括转接结构和匹配器结构：
8、所述转接结构，设置在基板承载装置下方，与基板承载装置相连接，内部设置有若干个滤波器，对输入的射频功率信号进行处理后发送至加热盘；
9、所述匹配器结构，与转接结构连接，包括匹配器与射频电源，向转接结构输入射频功率信号。
10、在一实施例中，所述半导体处理设备还包括射频连接结构，设置于基板承载装置底部，内部设置有射频电路；
11、所述射频电路，一端与发射发射极相连接，另一端与转接结构相连接。
12、在一实施例中，所述转接结构与射频连接结构之间通过连接器直接连接。
13、在一实施例中，所述基板承载装置内部，安装有加热单元，用于对加热盘进行加热；
14、所述射频连接结构，内部设置有加热电路，一端与加热单元连接，另一端与转接结构相连接。
15、在一实施例中，所述基板承载装置内部，安装有静电卡盘电极，以静电吸附方式将待处理基板进行固定；
16、所述射频连接结构，内部设置有静电卡盘电路，一端与静电卡盘电极相连接，另一端与转接结构相连接。
17、在一实施例中，所述转接结构与匹配器结构之间通过连接器直接连接。
18、在一实施例中，所述转接结构，内部设置有交流滤波器，一端与加热电路相连接，另一端与匹配器结构相连接；
19、所述匹配器结构，向交流滤波器提供交流电，经过交流滤波器滤波后传输至基板承载装置内部的加热单元，用于对基板承载装置进行加热。
20、在一实施例中，所述转接结构，内部设置有静电卡盘滤波器，一端与静电卡盘电路相连接，另一端与匹配器结构相连接；
21、所述匹配器结构，向静电卡盘滤波器提供直流电，经过静电卡盘滤波器处理后传输至基板承载装置内部的静电卡盘电极，用于吸附待处理基板。
22、在一实施例中，所述转接结构，内部设置有温控滤波器，一端与温控电路相连接，另一端与匹配器结构相连接；
23、所述温控电路，设置在射频连接结构内部，一端设置在基板承载装置内部，采集基板承载装置的温度信息，经过温控滤波器后传输至匹配器结构；
24、所述匹配器结构，根据所采集到的温度信息改变交流电输出功率以调节加热功率，实现对基板承载装置温度的反馈控制。
25、在一实施例中，所述匹配器结构还包括功率分配器，对于多路射频信号进行功率分配。
26、在一实施例中，所述转接结构还包括射频切换开关，对于多路射频信号进行切换。
27、本专利技术提出的半导体处理设备，通过将射频功率从反应腔室的加热盘底部导入，并采用连接器与匹配器直接相连的方式，实现了待处理基板沉积速率的显著提升，同时有效控制了流经待处理基板的电流一致性，提高了工艺均匀稳定性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体处理设备，其特征在于，至少包括反应腔室、射频接收极、射频发射极：
2.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，还包括喷淋板，所述射频接收极，设置在喷淋板内。
3.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，还包括基板承载装置，所述射频发射极，设置在基板承载装置内。
4.根据权利要求3所述的半导体处理设备，其特征在于，还包括转接结构和匹配器结构：
5.根据权利要求4所述的半导体处理设备，其特征在于，还包括射频连接结构，设置于基板承载装置底部，内部设置有射频电路；
6.根据权利要求5所述的半导体处理设备，其特征在于，所述转接结构与射频连接结构之间通过连接器直接连接。
7.根据权利要求5所述的半导体处理设备，其特征在于，所述基板承载装置内部，安装有加热单元，用于对加热盘进行加热；
8.根据权利要求5所述的半导体处理设备，其特征在于，所述基板承载装置内部，安装有静电卡盘电极，以静电吸附方式将待处理基板进行固定；
9.根据权利要求4所述的半导体处理设备，其特征在于，所述
10.根据权利要求7所述的半导体处理设备，其特征在于，所述转接结构，内部设置有交流滤波器，一端与加热电路相连接，另一端与匹配器结构相连接；
11.根据权利要求8所述的半导体处理设备，其特征在于，所述转接结构，内部设置有静电卡盘滤波器，一端与静电卡盘电路相连接，另一端与匹配器结构相连接；
12.根据权利要求7所述的半导体处理设备，其特征在于，所述转接结构，内部设置有温控滤波器，一端与温控电路相连接，另一端与匹配器结构相连接；
13.根据权利要求4所述的半导体处理设备，其特征在于，所述匹配器结构还包括功率分配器，对于多路射频信号进行功率分配。
14.根据权利要求4所述的半导体处理设备，其特征在于，所述转接结构还包括射频切换开关，对于多路射频信号进行切换。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体处理设备，其特征在于，至少包括反应腔室、射频接收极、射频发射极：
2.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，还包括喷淋板，所述射频接收极，设置在喷淋板内。
3.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，还包括基板承载装置，所述射频发射极，设置在基板承载装置内。
4.根据权利要求3所述的半导体处理设备，其特征在于，还包括转接结构和匹配器结构：
5.根据权利要求4所述的半导体处理设备，其特征在于，还包括射频连接结构，设置于基板承载装置底部，内部设置有射频电路；
6.根据权利要求5所述的半导体处理设备，其特征在于，所述转接结构与射频连接结构之间通过连接器直接连接。
7.根据权利要求5所述的半导体处理设备，其特征在于，所述基板承载装置内部，安装有加热单元，用于对加热盘进行加热；
8.根据权利要求5所述的半导体处理设备，其特征在于，所述基板承载装置内部，安装有静电卡...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭东，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。