本实用新型提供了一种工艺气体间隙的校准装置包括：弹簧负载板，经由多根支撑弹簧被设置于放置板之上，并弹性抵接喷淋面板的下方；位移传感器，设于弹簧负载板及放置板之间，用于非接触地测量自身到弹簧负载板的第一间隙距离，以确定基座加热器到喷淋面板...

本实用新型提供了一种薄膜沉积设备，包括气源、反应腔体、排气通道、第一管路及第二管路。所述气源经由所述第一管路连接所述排气通道，用于向所述排气通道传输前期气压不稳的气源气体。所述气源经由所述第二管路连接所述反应腔体，用于向所述反应腔体传输...

本实用新型公开了一种微波屏蔽结构和一种半导体器件的加工设备。该微波屏蔽结构包括金属屏蔽网，其中，所述金属屏蔽网设置于反应腔室内的光源下方的开口处，其外部覆盖支撑板，其特征在于，所述支撑板具有调光结构，用以调整经过所述微波屏蔽结构的光线的...

本实用新型涉及半导体设备技术领域，具体涉及一种抽气环及反应腔结构。本实用新型提供的一种抽气环，包括本体，所述本体为圆环状；所述本体的侧面均匀开设有多个抽气孔；所述本体具有两个半环；两个所述半环之间具有两个连接处，分别为第一连接处和第二连...

本实用新型提供了一种喷淋头。喷淋头包括：喷淋头本体，包括上盖板、喷淋板及RPS通道；射频引入杆，设于RPS通道，其中，射频引入杆的上端连接射频电源，射频引入杆的下端与喷淋板的中心相连，并经由喷淋板的中心将射频功率引入下方的反应腔；以及波...

本实用新型涉及半导体设备技术领域，具体涉及一种抽气环组件及气相沉积膜设备。本实用新型提供的一种抽气环组件，包括第一环体、第二环体、第一密封板和第二密封板和出气口；所述第一环体和所述第二环体同轴设置，且所述第一环体的直径小于所述第二环体的...

本发明公开一种用在基板的光固化装置，包含一腔体、一支撑盘及一光源组件。所述光源组件配置成能在所述腔体中沿着至少一方向往复移动，使所述光源组件在所述基板的表面上形成的明暗区域随着所述光源组件的移动一起变化。的明暗区域随着所述光源组件的移动...

本实用新型提供了一种衬套结构和一种薄膜沉积设备。该衬套结构包括：衬套本体，由隔热材料制成，设置于反应腔室内的传片口处；衬套顶升机构，设置于所述衬套本体下方，用于驱动所述衬套本体上升，封闭所述传片口，以在待加工晶圆周围形成均匀的温度环境。...

本实用新型提供了一种顶针及一种半导体器件的加工设备。所述顶针包括：顶针本体，设于晶圆托盘的背面，其第一端设有第一限位部，而其第二端支持经由设于晶圆托盘的通孔沿所述晶圆托盘的轴向位移，并越过所述晶圆托盘的正面，以顶起所述晶圆托盘上的晶圆；...

一种等离子体设备。所述等离子体设备包括基座、金属环以及可移动介质环。所述基座经配置以承载待加工工件。所述金属环设置于所述基座之上。所述金属环经配置以环绕所述待加工工件。可移动介质环设置于所述基座之上。所述可移动介质环的正投影覆盖所述金属...

一种等离子体设备。所述等离子体设备包括基座、电极以及多层金属网。所述基座经配置以承载待加工工件。所述电极设置于所述基座的上方。所述电极经配置以接收射频功率。所述多层金属网设置于所述基座与所述电极之间。所述多层金属网之间具有电位差。层金属...

本申请涉及一种真空吸附系统及方法。该真空吸附系统用于吸附及释放位于反应腔室内的、真空吸附式加热器的承载表面上的晶圆，反应腔室具有抽气口，真空吸附式加热器具有通气口。该真空吸附系统包括：第一管路，其用于将反应腔室的抽气口与真空泵流体耦合；...

本申请涉及一种真空吸附式加热器，其包括：加热盘，加热盘包括大体为盘状的主体，主体具有用于承载晶圆的上表面且进一步包括：自上表面向下延伸的多个凹槽，多个凹槽中的至少一部分凹槽彼此流体连通；一或多个通孔，其与所述多个凹槽中的至少一者流体连通...

本实用新型提供了一种气路系统及反应器，涉及半导体反应设备的技术领域。本实用新型提供的一种气路系统，包括：气源、第一控制阀以及系统主体。系统主体包括多个阀门，全部阀门均与气源连通，气源能够向阀门输送高压气体并打开阀门。第一控制阀设置于气源...

本申请涉及一种半导体处理装置及方法。在本申请的一个实施例中，半导体处理装置包括：工艺腔；气体源；以及气体管线，其耦接在所述气体源与所述工艺腔之间；其中所述气体管线上设置有流通能力可调的限流部件，所述限流部件用以控制所述气体管线中的气体流...

本申请涉及一种半导体处理装置及方法。在本申请的一个实施例中，半导体处理装置包括：工艺腔；气体源；以及气体管线，其耦接在所述气体源与所述工艺腔之间；其中所述气体管线上设置有流通能力可调的限流部件，所述限流部件用以控制所述气体管线中的气体流...

本实用新型提供了一种腔体陶瓷环以及一种半导体器件的加工设备。上述腔体陶瓷环包括陶瓷环本体，用于配合喷淋板及晶圆托盘构成加工晶圆的反应腔；以及位置调节机构，连接陶瓷环本体，用于驱动陶瓷环本体进行横向和/或纵向的位移。通过配置该位置调节机构...

本申请的实施例涉及用于半导体设备的门阀及其维护方法。所述门阀包括：阀盒，其具有用于连接所述半导体设备中的真空管路的通道；执行机构，其具有用于连接所述阀盒的连接法兰；以及固定装置，其设置于所述连接法兰上且经配置以将所述执行机构可拆卸地连接...

本实用新型涉及半导体制造设备技术领域，更具体的说，涉及一种沉积腔体。本实用新型提供了一种沉积腔体，包括喷淋板、加热盘、腔室和转移通道，还包括隔热衬板：所述腔室包括腔室身部和腔室底部；所述隔热衬板包括隔热衬板底板和隔热衬板侧板；所述隔热衬...

本发明提供一种等离子处理装置，包含：一支撑盘，具有用于支撑基板的一第一承载面及形成于所述第一承载面外围的一第二承载面；及一调节环，配置成以可拆卸的方式坐落于所述支撑盘的第二承载面上，使所述调节环围绕所述第一承载面，且所述调节环具有相互连...