【技术实现步骤摘要】
一种喷淋头
[0001]本技术涉及半导体制造
,尤其涉及一种喷淋头。
技术介绍
[0002]半导体领域中,在化学气相沉积设备中一般会同时要求电加热和射频导入。在本领域目前的现有技术中,电加热功能与射频导入功能的耦合中,会出现热稳定性差以及热损失等问题。
[0003]为了克服现有技术存在的上述缺陷,本领域亟需一种喷淋头,用于确保电场相对于喷淋头中心轴的对称性。
技术实现思路
[0004]以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览,并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之前序。
[0005]为了克服现有技术存在的上述缺陷,本技术提供了一种喷淋头,能够确保电场相对于喷淋头中心轴的对称性。
[0006]具体来说,根据本技术提供的上述反喷淋头包括:喷淋头本体,包括上盖板、喷淋板及RPS(Remote Plasma Sy ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种喷淋头,其特征在于,包括:喷淋头本体,包括上盖板、喷淋板及RPS通道;射频引入杆,设于所述RPS通道,其中,所述射频引入杆的上端连接射频电源,所述射频引入杆的下端与所述喷淋板的中心相连,并经由所述喷淋板的中心将射频功率引入下方的反应腔;以及波纹管,设于所述喷淋头本体与所述射频电源之间,用于补偿所述射频引入杆的热膨胀。2.如权利要求1所述的喷淋头,其特征在于,所述喷淋头本体中还包括电加热部,所述上盖板位于所述喷淋头本体的上部,用于分隔空气侧及真空侧,所述电加热部被设置于所述真空侧。3.如权利要求2所述的喷淋头,其特征在于,所述射频引入杆由多芯电材料围绕,用于进行电隔离,并防止所述射频引入杆周围的真空空间中产生电弧。4.如权利要求2所述的喷淋头,其特征在于,还包括陶瓷适配器,其中,所述陶瓷适配器位于所述上盖板之下,用于连接所述喷淋板与所述上盖板,并对所述喷淋板与所述上盖板进行电隔离。5.如权利要求4所述的喷淋头,其特征在于,所述陶瓷适配器包括顶部平衬垫及侧面圆形衬垫,其中,所述顶部平衬垫设于所述上盖板,用于覆盖所述喷淋板,以实现射频电隔离。6.如权利要求5所述的喷淋头,其特征在于,还包括外部吹扫入口,其中,所述外部吹扫入口位于所述上盖板,用于驱动外部吹扫气体流过所述喷淋板与所述侧面圆形衬垫之间的侧间隙,以吹扫所述喷淋板与所述上盖板之间的非反应空间。7.如权利要求2所述的喷淋头,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:谭华强,
申请(专利权)人:拓荆科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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