本发明提供了一种气相沉积设备的温控系统、一种气相沉积设备的温度控制方法，以及一种计算机可读存储介质。该气相沉积设备的温控系统包括：至少一个光纤探头，其末端设有感温材料，并接触所述气相沉积设备的外壁的至少一个检测点，其中，所述感温材料在光...

本发明提供了气体输送结构及气相沉积设备。该气体输送结构包括：分气块，包括多个气体入口及多条独立的气路，其中，第一入口经由第一气路通向喷淋板的内区挡板，第二入口经由第二气路通向喷淋板的外区挡板，第三入口经由第三气路通向喷淋板的清洗气体分气...

本发明提供了液体管道的检漏装置及方法、液体回路、气相沉积设备，以及半导体加工设备。所述检漏装置包括第一流量计、第二流量计及差动计。所述第一流量计设于所述液体管道的入口，用于检测所述入口处的第一流量，并根据所述第一流量输出第一电信号。所述...

本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种喷淋板装置及其半导体设备。该喷淋板装置包括喷淋板和向上凸出于喷淋板的板面设置的冷却气道结构，冷却气道结构的顶部远离喷淋板的板面设置，且冷却气道结构的顶部设置为密封端面，密封端面上具有工艺气体入口...

本发明涉及半导体制造设备技术领域，更具体的说，涉及一种多气流通道的喷淋装置。本发明提供的多气流通道的喷淋装置，包括喷淋上板、分气衬套和喷淋下板：喷淋上板，设置有第一进气口和第二进气口；所述第一进气口位于中心轴位置，所述第二进气口为斜向下...

本发明提供了一种晶圆的支撑装置及半导体工艺设备，该晶圆的支撑装置用于放置在半导体工艺设备的晶圆加工平面上以支撑晶圆，该支撑装置包括：多个支撑柱，该支撑柱为非回转型柱体结构，其中轴线与竖直方向呈一倾斜角度，该非回转型柱体包括椭圆柱和棱柱；...

本发明提供了一种喷淋板的辅助拆装装置及喷淋板安装方法，该用于在半导体薄膜制备装置中辅助喷淋板在上盖板上的预设安装位置的定位安装，该辅助拆装装置包括：支撑板，该支撑板用于垂直固定于该上盖板上的该预设安装位置的下方以支撑该喷淋板与该上盖板之...

本发明提供了一种反应腔的清洁方法、计算机可读存储介质、反应腔的驱动电路及半导体的加工设备。所述反应腔的清洁方法包括以下步骤：经由远程等离子体系统对所述反应腔进行初步清洁处理；对所述反应腔进行所述初步清洁处理及搅拌清洁处理的叠加处理，其中...

本发明提供了一种晶圆吸附力的检测装置、一种晶圆吸附力的检测方法以及一种半导体器件的加工装置。所述晶圆吸附力的检测装置包括：激光发射器，设于工艺腔室的第一侧壁的预设高度，并朝向待测晶圆被顶起的抬升路径，其中，所述预设高度是根据所述待测晶圆...

本发明提供了一种晶圆的支撑装置及半导体工艺设备，该晶圆的支撑装置用于放置在半导体工艺设备的晶圆加工平面上以支撑晶圆，该支撑装置包括：多个支撑柱，该支撑柱为圆柱结构，其侧壁设有至少一处条状凸起，该条状凸起沿该支撑柱的上下方向延伸且与竖直方...

本发明提供了晶圆承载结构、热力学原子层沉积设备及薄膜制备方法。所述晶圆承载结构包括边缘环。所述边缘环支撑并封闭晶圆的外边缘，以防止反应气体进入所述晶圆的背部空间。通过配置该边缘环，所述晶圆承载结构能够减少化学源气体在晶圆背面的扩散，以避...

本实用新型涉及半导体设备技术领域，具体涉及一种卡盘装置。本实用新型提供的一种卡盘装置包括依次设置的固定件、静电卡盘和绝缘的聚焦环；所述固定件内部形成上端开口的凹槽，所述静电卡盘安装于所述凹槽内，且所述静电卡盘的外侧壁和所述凹槽的内壁之间...

本发明公开了一种紫外固化设备、一种紫外固化方法和一种半导体器件的加工装置。该紫外固化设备设于待加工晶圆的第一方向，包括：紫外光源；以及半球形反射罩，其中，所述半球形反射罩的开口形状符合所述晶圆的形状，所述半球形反射罩包围所述紫外光源的所...

本发明提供了一种连续性沉积薄膜时片间均一性的改善方法及其应用，涉及薄膜沉积的技术领域，本发明的改善方法包括：在利用鼓泡法或者热蒸发法输运反应源蒸汽进行连续性沉积薄膜的过程中，控制反应源蒸汽供给系统的温度恒定以改善片间均一性。本发明解决了...

本发明提供了一种高位电箱架，该高位电箱架的支架本体为预设高度的矩形立方体框架，其顶面用于放置电箱，该支架本体在预定高度位置被虚拟分割平面沿前后方向分割为上框架和下框架，该虚拟分割平面与水平面呈一预定角度以使该支架本体前部的分割位置低于后...

本发明提供了一种半导体器件的加工方法及一种半导体器件。所述半导体器件的加工方法包括以下步骤：准备带有有源区结构的待加工件；在所述待加工件表面沉积第一介电层，其中，所述第一介电层厚度不小于所述有源区结构的高度；在所述第一介电层的上方沉积支...

具有冷却功能的负载锁定装置及晶圆冷却控制方法。该负载锁定装置包括负载锁定腔、进气装置、排气装置、压力保护装置以及温度检测装置。当所述负载锁定腔的内部气压低于大气压力，所述进气装置被开启以回填进气，当所述负载锁定腔的内部气压回填至与大气压...

本发明公开了一种聚焦环、一种晶圆托盘和一种半导体器件的加工装置。该聚焦环经由弹性件设于晶圆托盘外围的介电环上，其在该弹性件的原始状态下的第一安装高度高于该晶圆托盘的第二高度，并在承载该晶圆并压缩该弹性件时下降到该第二高度，以使该聚焦环及...

本实用新型涉及半导体薄膜设备技术领域，提供了一种喷头组件及气体喷头，喷头组件包括：喷头上板和隔离环，喷头上板用来加热反应气体；喷头上板安装在隔离环上，在隔离环与喷头上板存在力的作用的一侧绕周设置多个凹坑，凹坑内设置有滚珠，滚珠与喷头上板...

本发明提供了加热盘的气路系统、控制方法、存储介质、气相沉积设备及半导体加工设备。所述气路系统包括进气管道、抽气管道及方向阀。所述进气管道的第一端通往所述加热盘表面的第一位置。所述抽气管道的第一端通往所述加热盘表面的第二位置。所述方向阀包...