本发明专利技术提供了一种晶圆的支撑装置及半导体工艺设备，该晶圆的支撑装置用于放置在半导体工艺设备的晶圆加工平面上以支撑晶圆，该支撑装置包括：多个支撑柱，该支撑柱为圆柱结构，其侧壁设有至少一处条状凸起，该条状凸起沿该支撑柱的上下方向延伸且与竖直方向呈一倾斜角度；以及设于该晶圆加工平面上且与该支撑柱一一对应的放置孔，该放置孔的形状与该支撑柱的侧壁紧密配合以容纳该支撑柱。的侧壁紧密配合以容纳该支撑柱。的侧壁紧密配合以容纳该支撑柱。
【技术实现步骤摘要】
一种晶圆的支撑装置及半导体工艺设备
[0001]本专利技术涉及半导体设备部件，尤其涉及一种晶圆的支撑装置及包含该支撑装置的半导体工艺设备。
技术介绍
[0002]在半导体工艺设备中常采用各种不同的方式将晶圆放置或固定在晶圆加工平面上。其中，较为常见的一种就是通过在晶圆加工平面上设置多个支撑件，通过该些支撑件支撑晶圆。
[0003]然而，在现有技术中半导体工艺设备的晶圆加工平面上的支撑件多采用非金属材料，该些非金属材料制成的支撑件容易累积电荷，进而产生静电力，使得该些支撑件由于静电力吸附在晶圆衬底底部。在需要搬运或移动晶圆时，该些支撑件由于静电力吸附在衬底上，在搬运时非常容易粘连在晶圆衬底的底部，随着晶圆的搬运，该些支撑件也就从晶圆加工平面上脱出，进而造成晶圆的搬运失败、晶圆破碎或者产生电弧放电等不良的后果。
[0004]现有技术中也有一些方案针对上述的问题缺陷，例如设计额外的防止支撑件脱出的复杂结构，又或者额外增加能够抵抗静电力的部件，或者增大该些支撑件的重量以防止其从晶圆加工平面脱出，然而无论是那种方式，或多或少都有着各自的弊端，且对半导体工艺本身例如沉积工艺过程产生了负面的影响，不利于推广应用。
[0005]为了克服现有技术存在的上述缺陷，本领域亟需一种晶圆的支撑装置及包含该支撑装置的半导体工艺设备，用于在晶圆加工平面上支撑晶圆，通过巧妙的结构设计在不额外多增加多余部件的基础上，防止支撑件由于与晶圆衬底之间的静电吸附而从晶圆加工平面上脱出，同时增强晶圆加工平面上半导体工艺在整个晶圆表面的均匀性，便于推广应用。
技术实现思路
[0006]以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之序。
[0007]为了克服现有技术存在的上述缺陷，本专利技术提供了一种晶圆的支撑装置，用于放置在半导体工艺设备的晶圆加工平面上以支撑晶圆，该支撑装置包括：多个支撑柱，该支撑柱为圆柱结构，其侧壁设有至少一处条状凸起，该条状凸起沿该支撑柱的上下方向延伸且与竖直方向呈一倾斜角度；以及设于该晶圆加工平面上且与该支撑柱一一对应的放置孔，该放置孔的形状与该支撑柱的侧壁紧密配合以容纳该支撑柱。
[0008]在一实施例中，优选地，在本专利技术提供的晶圆的支撑装置中，该支撑柱的侧壁上还设有沿上下方向延伸的排气槽，该排气槽与该放置孔的内壁构成空间间隙，用于抽空时排气以防止该支撑柱由于压力差从该放置孔中弹出。
[0009]在一实施例中，优选地，在本专利技术提供的晶圆的支撑装置中，该条状凸起的该倾斜
角度的取值范围为[30
°
,85
°
]。
[0010]在一实施例中，优选地，在本专利技术提供的晶圆的支撑装置中，该支撑柱的顶部设有凸状的弧面，该支撑柱的高度高于该放置孔的深度以通过该弧面接触支撑晶圆。
[0011]在一实施例中，优选地，在本专利技术提供的晶圆的支撑装置中，该条状凸起的顶部低于该弧面。
[0012]在一实施例中，优选地，在本专利技术提供的晶圆的支撑装置中，在该支撑柱的侧壁上设有多处该条状凸起，该多处条状凸起在该支撑柱的侧壁上呈对称分布。
[0013]在一实施例中，优选地，在本专利技术提供的晶圆的支撑装置中，该支撑柱采用陶瓷或蓝宝石材质。
[0014]在一实施例中，优选地，在本专利技术提供的晶圆的支撑装置中，多个该放置孔在该晶圆加工平面上均匀规律地排列分布。
[0015]本专利技术的另一方面还提供了一种半导体工艺设备，该半导体工艺设备中包含以上任一项所描述的晶圆的支撑装置。
附图说明
[0016]在结合以下附图阅读本公开的实施例的详细描述之后，能够更好地理解本专利技术的上述特征和优点。在附图中，各组件不一定是按比例绘制，并且具有类似的相关特性或特征的组件可能具有相同或相近的附图标记。
[0017]图1是根据本专利技术的一实施例绘示的本专利技术提供的晶圆支撑装置中支撑柱的装置结构示意图；
[0018]图2是根据本专利技术的一实施例绘示的本专利技术提供的晶圆支撑装置中放置孔的装置结构示意图；
[0019]图3是根据本专利技术的一实施例绘示的支撑柱安装入放置孔后将放置孔透明化的装置结构示意图；
[0020]图4是根据本专利技术的一实施例绘示的支撑柱安装入放置孔后支撑柱顶部的装置结构示意图；
[0021]图5是根据本专利技术的一实施例绘示的晶圆的支撑装置中支撑柱的装置结构主视图；
[0022]图6是根据本专利技术的一实施例绘示的晶圆的支撑装置中支撑柱的装置结构左视图；
[0023]图7是根据本专利技术的一实施例绘示的晶圆的支撑装置中支撑柱的装置结构俯视图；以及
[0024]图8是根据本专利技术的一实施例绘示的放置孔在晶圆加工平面上的排列分布示意图。
[0025]为清楚起见，以下给出附图标记的简要说明：
[0026]100支撑柱
[0027]101条状凸起
[0028]200放置孔
[0029]301排气槽
[0030]800晶圆加工平台
[0031]801放置孔
具体实施方式
[0032]以下由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。虽然本专利技术的描述将结合优选实施例一起介绍，但这并不代表此专利技术的特征仅限于该实施方式。恰恰相反，结合实施方式作专利技术介绍的目的是为了覆盖基于本专利技术的权利要求而有可能延伸出的其它选择或改造。为了提供对本专利技术的深度了解，以下描述中将包含许多具体的细节。本专利技术也可以不使用这些细节实施。此外，为了避免混乱或模糊本专利技术的重点，有些具体细节将在描述中被省略。
[0033]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0034]另外，在以下的说明中所使用的“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“水平”、“垂直”应被理解为该段以及相关附图中所绘示的方位。此相对性的用语仅是为了方便说明之用，其并不代表其所叙述的装置需以特定方位来制造或运作，因此不应理解为对本专利技术的限制。
[0035]能理解的是，虽然在此可使用用语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种组件、区域、层和/或部分，这些组件、区域、层和/或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的组件、区域、层和/或部分。因此，以下讨论的第一组件、区域、层和/或部分可在不偏离本专利技术一些实施例的情况下被称为本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆的支撑装置，用于放置在半导体工艺设备的晶圆加工平面上以支撑晶圆，所述支撑装置包括：多个支撑柱，所述支撑柱为圆柱结构，其侧壁设有至少一处条状凸起，所述条状凸起沿所述支撑柱的上下方向延伸且与竖直方向呈一倾斜角度；以及设于所述晶圆加工平面上且与所述支撑柱一一对应的放置孔，所述放置孔的形状与所述支撑柱的侧壁紧密配合以容纳所述支撑柱。2.如权利要求1所述的支撑装置，其特征在于，所述支撑柱的侧壁上还设有沿上下方向延伸的排气槽，所述排气槽与所述放置孔的内壁构成空间间隙，用于抽空时排气以防止所述支撑柱由于压力差从所述放置孔中弹出。3.如权利要求1所述的支撑装置，其特征在于，所述条状凸起的所述倾斜角度的取值范围为[30
°
,85
【专利技术属性】
技术研发人员：苏欣，谈太德，姜崴，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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