连续性沉积薄膜时片间均一性的改善方法及其应用技术

本发明专利技术提供了一种连续性沉积薄膜时片间均一性的改善方法及其应用，涉及薄膜沉积的技术领域，本发明专利技术的改善方法包括：在利用鼓泡法或者热蒸发法输运反应源蒸汽进行连续性沉积薄膜的过程中，控制反应源蒸汽供给系统的温度恒定以改善片间均一性。本发明专利技术解决了反应源蒸汽供给不足所导致的管线压力产生波动和所沉积薄膜厚度不稳定的技术问题，达到了反应源蒸汽浓度稳定且供给足够、管线压力稳定以及薄膜沉积稳定性高的技术效果。沉积稳定性高的技术效果。沉积稳定性高的技术效果。

【技术实现步骤摘要】
连续性沉积薄膜时片间均一性的改善方法及其应用


[0001]本专利技术涉及薄膜沉积的
，尤其是涉及一种连续性沉积薄膜时片间均一性的改善方法及其应用。

技术介绍

[0002]目前，使用原子层沉积设备进行连续性沉积薄膜的过程中，在以鼓泡法输运反应源蒸汽时，反应源液体的温度常常变化较大，从而会引起反应源蒸汽供给的不足，使管线压力产生波动，使所沉积薄膜的厚度不稳定，进而导致片间均一性高达1％，无法满足实际生产要求。
[0003]有鉴于此，特提出本专利技术。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的之一在于提供一种连续性沉积薄膜时片间均一性的改善方法，能够解决薄膜在连续性沉积过程中膜厚不稳定和管线压力波动的问题，达到提升设备片间均一性的表现的技术效果。
[0005]本专利技术的目的之二在于提供一种连续性沉积薄膜时片间均一性的改善方法的应用，具有反应源蒸汽浓度稳定、管线压力稳定以及薄膜沉积稳定性高的优势。
[0006]为了实现本专利技术的上述目的，特采用以下技术方案：
[0007]第一方面，一种连续性沉积薄膜时片间均一性的改善方法，包括以下步骤：
[0008]在利用鼓泡法或者热蒸发法输运反应源蒸汽进行连续性沉积薄膜的过程中，控制反应源蒸汽供给系统的温度恒定以改善片间均一性。
[0009]进一步的，所述反应源包括TMA(三甲基铝)、H2O(水)、异丁醇、TiCl4(四氯化钛)、Cp
‑
Zr(三(二甲胺基)环戊二烯基锆)、Cp
‑
>Hf(三(二甲胺基)环戊二烯基铪)、TDMASn(四(二甲胺基)锡)以及TMIn(三甲基铟)中的一种。
[0010]进一步的，所述反应源蒸汽供给系统包括瓶体、瓶体中的反应源液体、载气管路以及输运管线。
[0011]进一步的，所述控制反应源蒸汽供给系统的温度包括对所述瓶体、所述瓶体中的反应源液体、所述载气管路以及所述输运管线中的至少一种进行控制温度；
[0012]所述控制反应源蒸汽供给系统的温度的方式为通过加热的形式进行控制温度或通过冷却的形式进行控制温度。
[0013]进一步的，所述控制反应源蒸汽供给系统的温度的方法包括分段独立控温的方法。
[0014]进一步的，所述分段独立控温的方法包括对所述瓶体、所述瓶体中的反应源液体、所述载气管路以及所述输运管线中的至少一种进行分区域的独立控温。
[0015]进一步的，对所述瓶体中的反应源液体进行分区域的独立控温包括分别对反应源的液体段和反应源的蒸汽段进行独立控温。
[0016]进一步的，所述控温包括直接控温和间接控温中的至少一种。
[0017]进一步的，所述反应源蒸汽供给系统的温度范围为5
‑
200℃。
[0018]第二方面，一种上述任一项所述的改善方法在薄膜生产中的应用。
[0019]与现有技术相比，本专利技术至少具有如下有益效果：
[0020]本专利技术提供的连续性沉积薄膜时片间均一性的改善方法，包括：在利用鼓泡法输运反应源蒸汽进行连续性沉积薄膜的过程中，控制反应源蒸汽供给系统的温度稳定以改善片间均一性。本专利技术的改善方法将反应源蒸汽供给系统的温度控制恒定，进而避免了反应源液体温度发生较大的变化，保证了反应源蒸汽浓度稳定和管线压力稳定，使得在薄膜沉积的过程中反应源蒸汽可以供给足够，进而提高了薄膜在连续性沉积时的厚度稳定性，提升了设备片间均一性的表现。
[0021]本专利技术提供的连续性沉积薄膜时片间均一性的改善方法的应用，具有反应源蒸汽浓度稳定、管线压力稳定以及薄膜沉积稳定性高的优势，有利于工艺稳定，具有产线应用的经济价值，因此应用效果突出。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1为本专利技术实施例1提供的控制反应源蒸汽供给系统的温度的示意图；
[0024]图2为本专利技术实施例2提供的控制反应源蒸汽供给系统的温度的示意图；
[0025]图3为本专利技术实施例3提供的控制反应源蒸汽供给系统的温度的示意图；
[0026]图4为本专利技术实施例4提供的控制反应源蒸汽供给系统的温度的示意图；
[0027]图5为本专利技术对比例1提供的反应源蒸汽供给系统的示意图；
[0028]图6为本专利技术对比例1提供的薄膜沉积厚度的变化图；
[0029]图7为本专利技术对比例1提供的反应源液体温度和管线压力的变化图。
具体实施方式
[0030]下面将结合实施例对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0031]根据本专利技术的第一个方面，提供了一种连续性沉积薄膜时片间均一性的改善方法，包括以下步骤：
[0032]在利用鼓泡法或者热蒸发法输运反应源蒸汽进行连续性沉积薄膜的过程中，控制反应源蒸汽供给系统的温度恒定以改善片间均一性。
[0033]本专利技术中的控制反应源蒸汽供给系统的温度恒定是指使反应源蒸汽供给系统的温度恒定在一个数值，没有任何波动。
[0034]本专利技术提供的连续性沉积薄膜时片间均一性的改善方法，是将反应源蒸汽供给系
统的温度控制恒定，进而避免了反应源液体温度发生较大的变化，保证了反应源蒸汽浓度稳定和管线压力稳定，使得在薄膜沉积的过程中反应源蒸汽可以供给足够，进而提高了薄膜在连续性沉积时的厚度稳定性，提升了设备片间均一性的表现。
[0035]在本专利技术中，沉积薄膜的方法可以为原子层沉积的方法，但不限于此。
[0036]在一种优选的实施方式中，本专利技术的反应源包括但不限于TMA(三甲基铝)、H2O(水)、异丁醇、TiCl4(四氯化钛)、Cp
‑
Zr(三(二甲胺基)环戊二烯基锆)、Cp
‑
Hf(三(二甲胺基)环戊二烯基铪)、TDMASn(四(二甲胺基)锡)以及TMIn(三甲基铟)中的一种，更适合于本专利技术的片间均一性的改善方法。
[0037]在本专利技术中，反应源蒸汽供给系统包括但不限于瓶体、瓶体中的反应源液体、载气管路、输运管线以及相关组件。
[0038]在一种优选的实施方式中，本专利技术中控制反应源蒸汽供给系统的温度包括对瓶体、瓶体中的反应源液体、载气管路以及输运管线中的至少一种进行控制温度，更有利于使反应源蒸汽供给系统的温度得到稳定控制，保证反应源蒸汽浓度稳定和管线压力稳定，提高薄膜沉积稳定性；
[0039]其中，控制反应源蒸汽供给系统的温度的方式为通过加热的形式进行控制温度或通过冷却的形式进行控制温度，例如当反应源的种类不同时，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种连续性沉积薄膜时片间均一性的改善方法，其特征在于，包括以下步骤：在利用鼓泡法或者热蒸发法输运反应源蒸汽进行连续性沉积薄膜的过程中，控制反应源蒸汽供给系统的温度恒定以改善片间均一性；所述反应源蒸汽供给系统包括瓶体、瓶体中的反应源液体、载气管路以及输运管线；所述控制反应源蒸汽供给系统的温度包括对所述瓶体、所述瓶体中的反应源液体、所述载气管路以及所述输运管线进行控制温度；所述控制反应源蒸汽供给系统的温度的方式为通过加热的形式进行控制温度或通过冷却的形式进行控制温度；所述控制反应源蒸汽供给系统的温度的方法包括分段独立控温的方法；所述分段独立控温的方法包括对所述瓶体、所述瓶体中的反应源液体、所述载气管路以及所述输运管线中的至少一种进行分区域的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张阁，野沢俊久，陈启航，戚艳丽，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：