晶圆托盘、气相沉积设备及薄膜制备方法技术

本发明专利技术提供了晶圆托盘、气相沉积设备及薄膜制备方法。所述晶圆托盘包括至少一个放置晶圆的开口及多个顶针。所述开口的边缘设置有顶针限位槽及多个安装孔。所述多个顶针可拆卸地安装于所述多个安装孔。所述顶针的侧面设有承载台。所述承载台的下部连接所述顶针限位槽，而其上部用于承载所述晶圆。通过配置多个可拆卸的顶针，技术人员可以根据开口位置、反应气体均匀性、加热均匀性等干扰因素，或者实际制备的产品薄膜厚度，调节晶圆各位置的安装高度，以调节对应位置的薄膜生长速率，从而提升产品薄膜厚度的均匀性，并提升晶圆托盘的利用率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
晶圆托盘、气相沉积设备及薄膜制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体薄膜制备技术，尤其涉及一种晶圆托盘、一种气相沉积设备，以及一种薄膜制备方法。

技术介绍

[0002]在半导体薄膜沉积过程中，需将晶圆放置在反应腔中的晶圆承载台上进行气相沉积。现有技术提供了一种包括多个晶圆承载开口的晶圆托盘，能够在多个晶圆的表面同时进行气相沉积，从而提升半导体薄膜的制备效率。
[0003]然而，受开口位置、反应气体均匀性、加热均匀性等干扰因素的影响，晶圆托盘上各开口之间以及同一开口的各位置之间，普遍存在薄膜厚度不均的现象，严重影响了半导体器件的性能参数及可靠性。
[0004]为了克服现有技术存在的上述缺陷，本领域亟需一种半导体薄膜的制备技术，通过提供灵活、便捷的调节机构，方便技术人员根据开口位置、反应气体均匀性、加热均匀性等干扰因素，或者实际制备的产品薄膜厚度，调节各位置的薄膜生长速率，从而提升产品薄膜厚度的均匀性，并提升晶圆托盘的利用率。

技术实现思路

[0005]以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆托盘，其特征在于，包括：至少一个放置晶圆的开口，其中，所述开口的边缘设置有顶针限位槽及多个安装孔；以及多个顶针，可拆卸地安装于所述多个安装孔，其中，所述顶针的侧面设有承载台，所述承载台的下部连接所述顶针限位槽，而其上部用于承载所述晶圆。2.如权利要求1所述的晶圆托盘，其特征在于，所述多个顶针的承载台具有相同的高度，或者所述多个顶针的承载台具有不同的高度，其中，安装于反应气体流速较快的第一位置的第一顶针的承载台具有较小的第一高度，安装于反应气体流速较慢的第二位置的第二顶针的承载台具有较大的第二高度。3.如权利要求2所述的晶圆托盘，其特征在于，所述晶圆托盘上设有多个所述开口，所述晶圆托盘的下方设有加热底座，其中，安装于各所述开口远离所述晶圆托盘中心的第一位置的第一顶针的承载台具有较小的第一高度，以使晶圆远离所述晶圆托盘中心的第一位置靠近所述加热底座，安装于各所述开口靠近所述晶圆托盘中心的第二位置的第二顶针的承载台具有较大的第二高度，以使所述晶圆靠近所述晶圆托盘中心的第一位置远离所述加热底座。4.如权利要求1所述的晶圆托盘，其特征在于，所述顶针从所述晶圆托盘的上方安装到所述安装孔，其中，所述顶针的所述承载台的下方及侧面设有泄压槽，用于调节所述安装孔内外的气压差。5.如权利要求4所述的晶圆托盘，其特征在于，所述顶针的底部设有引导结构，用于引导所述顶针从所述晶圆托盘的上方落入所述安装孔的正确安装位置。6.如权利要求1所述的晶圆托盘，其特征在于，所述顶针由绝缘材质制成，其顶部突出所述晶圆托盘的部分被设置为圆弧形，以防止打火。7.一种气相沉积设备，其特征在于，包括喷淋头、反应腔室、加热底座，以及如权利要求1～6中任一项所述的晶圆托盘...

【专利技术属性】
技术研发人员：王燚，张亚新，张孝勇，吴凤丽，谈太德，赵宇，杨艳，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：