一种半导体用带有两端进气的化学气相沉积炉制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体用带有两端进气的化学气相沉积炉，包括：炉体，第一进气管和第二进气管，所述第一进气管和第二进气管对称连接于所述炉体的上侧和下侧；排气机构，所述排气机构包排气管、排气孔和驱动叶，所述排气管的两端均通过旋转连接头与所述第一进气管和第二进气管连接。本实用新型专利技术提供的半导体用带有两端进气的化学气相沉积炉，通过将排气管通过旋转连接头与第一进气管和第二进气管连接，并通过第一导气分管和第二导气分管配合导气罩和驱动叶当气流进入时可以带动排气管旋转，排气管旋转喷气，使气流快速的填充至炉体的内部，更加快速均匀的覆盖炉体内部的产品，且通过气流作为动力，不需要额外设置驱动，更加的节能环保。加的节能环保。加的节能环保。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体用带有两端进气的化学气相沉积炉


[0001]本技术涉及气相沉积炉领域，尤其涉及一种半导体用带有两端进气的化学气相沉积炉。

技术介绍

[0002]气相沉积炉为沉积炉主体内有加热室，水冷电极，测温热电偶，是处理工件的核心部分，化学气相沉积炉是利用化学气相沉积的原理，将参与化学反应的物质，加热到一定工艺温度，在真空泵抽气系统产生的引力作用下，引至沉积室进行反应、沉积，生成新的固态物质。
[0003]目前为了使气体可以快速的进入填充至气相沉积炉中，通过在炉体的上下两端均设置进气管，且两个进气管之间连接排气管，如公开号为CN214361680U的一种半导体用带有两端进气的化学气相沉积炉，通过排气管上的排气孔排出气体。
[0004]但目前排气管为静止设置，气流只能通过排气管上的排气孔沿一个或者多个面流动，不能同时对整个沉积炉的内部进行喷出气体，气流在沉积炉中的流动填充速度较慢。
[0005]因此，有必要提供一种半导体用带有两端进气的化学气相沉积炉解决上述技术问题。

技术实现思路

[0006]本技术提供一种半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体用带有两端进气的化学气相沉积炉，其特征在于，包括：炉体，第一进气管和第二进气管，所述第一进气管和第二进气管对称连接于所述炉体的上侧和下侧；排气机构，所述排气机构包排气管、排气孔和驱动叶，所述排气管的两端均通过旋转连接头与所述第一进气管和第二进气管连接，且位于所述炉体的内部，所述驱动叶固定于所述排气管的表面，所述排气孔开设于所述排气管上且位于驱动叶的两侧；导气罩，所述导气罩安装于所述排气管上且位于驱动叶的外部；所述第一进气管和第二进气管分别通过第一导气分管和第二导气分管与所述导气罩连接。2.根据权利要求1所述的半导体用带有两端进气的化学气相沉积炉，其特征在于，所述导气罩包括圆形罩、第一进气口和第二进气口，所述第一进气口和第二进气口呈逆时针开设于所述圆形罩上，所述第一导气分管和第二导气分管分别于第一进...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺鹏博，周明，
申请(专利权)人：湖南铠欣新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：