气路系统及反应器技术方案

本实用新型专利技术提供了一种气路系统及反应器，涉及半导体反应设备的技术领域。本实用新型专利技术提供的一种气路系统，包括：气源、第一控制阀以及系统主体。系统主体包括多个阀门，全部阀门均与气源连通，气源能够向阀门输送高压气体并打开阀门。第一控制阀设置于气源与系统主体之间，并控制气源与系统主体之间的通断。通过设置气源以及控制气源与系统主体之间通断的第一控制阀，当反应器断电后，在气源的作用下，系统主体的阀门仍能够处于打开状态，使得反应汽能够在系统主体内流动，相比于现有技术，能够避免因反应汽在系统主体内冷凝而污染系统主体，降低反应器的维护时间和成本。降低反应器的维护时间和成本。降低反应器的维护时间和成本。

【技术实现步骤摘要】
气路系统及反应器


[0001]本技术涉及半导体反应设备
，尤其是涉及一种气路系统及反应器。

技术介绍

[0002]化学气相沉积(CVD)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术。
[0003]通常情况下，用于化学气相沉积的反应器包括反应室、气箱以及输气管路等设备，用于反应的反应汽在气箱内汽化后，通过输气管路输送至反应室内进行反应，输气管路上设置于多个阀门，用以控制输气管路的通断，以及反应汽的流动路径等。
[0004]当反应器出现断电后，输气管路上的阀门会闭合，导致汽化的反应汽会滞留在输气管路中，如果短时间内未恢复供电则会导致反应汽冷凝，进而污染整个输气管路，导致增加反应器的维护时间和成本，影响生产。

技术实现思路

[0005](一)本技术所要解决的问题是：用于化学气相沉积的反应器断电后，输气管路上的阀门会闭合，导致汽化的反应汽会滞留在输气管路中，会出现反应汽冷凝，污染整个输气管路的问题。
[0006](二)技术方案
[0007]为了解决上述技术问题，本技术一方面实施例提供了一种气路系统，包括：气源、第一控制阀以及系统主体；
[0008]所述系统主体包括多个阀门，全部所述阀门均与所述气源连通，所述气源能够向所述阀门输送高压气体并打开所述阀门；
[0009]所述第一控制阀设置于所述气源与所述系统主体之间，并控制所述气源与所述系统主体之间的通断。
[0010]进一步的，所述气源包括气罐，所述气罐用于储存高压气体；
[0011]所述气罐具有出气口，全部所述阀门均与所述出气口连通。
[0012]进一步的，还包括第一气路；
[0013]所述第一气路一端与所述出气口连通，另一端具有多条与所述阀门对应的支路，所述支路与对应的所述阀门连通；
[0014]所述第一控制阀设置于所述第一气路上，并控制所述第一气路的通断。
[0015]进一步的，所述气罐上开设有与外界连通的泄压口。
[0016]进一步的，还包括泄压气路；
[0017]所述泄压气路一端与外界连通，另一端与所述泄压口连通；
[0018]所述泄压气路上设置有泄压阀，以及用于控制所述泄压气路通断的第二控制阀。
[0019]进一步的，所述第二控制阀为常开电磁阀。
[0020]进一步的，所述第一控制阀为常开电磁阀。
[0021]进一步的，所述高压气体为压缩空气。
[0022]进一步的，所述系统主体包括输气管路、抽气管路和真空泵；
[0023]所述输气管路和所述抽气管路上均设置有所述阀门；
[0024]所述抽气管路一端与所述输气管路连通，另一端与外界连通，所述真空泵设置于所述抽气管路上。
[0025]本技术另一方面实施例还提供了一种反应器，包括上述任一实施例所述的气路系统。
[0026]本技术的有益效果：
[0027]本技术提供的一种气路系统，包括：气源、第一控制阀以及系统主体。所述系统主体包括多个阀门，全部所述阀门均与所述气源连通，所述气源能够向所述阀门输送高压气体并打开所述阀门。所述第一控制阀设置于所述气源与所述系统主体之间，并控制所述气源与所述系统主体之间的通断。
[0028]通过设置气源以及控制气源与系统主体之间通断的第一控制阀，当反应器断电后，在气源的作用下，系统主体的阀门仍能够处于打开状态，使得反应汽能够在系统主体内流动，相比于现有技术，能够避免因反应汽在系统主体内冷凝而污染系统主体，降低反应器的维护时间和成本。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0030]图1为本技术实施例提供的反应器的结构示意图。
[0031]图标：1
‑
系统主体；11
‑
输气管路；12
‑
抽气管路；13
‑
气箱；14
‑
阀岛；15
‑
阀门；16
‑
真空泵；
[0032]2‑
气源；21
‑
气罐；
[0033]3‑
第一控制阀；
[0034]4‑
第一气路；
[0035]51
‑
泄压气路；52
‑
泄压阀；53
‑
第二控制阀；
[0036]6‑
反应腔。
具体实施方式
[0037]下面将结合实施例对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0038]需要说明的是，在本技术的描述中，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定
的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0039]需要说明的是，在本技术的描述中，术语“连接”和“安装”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介相连；可以是机械连接，也可以是电连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0040]如图1所示，本技术一方面实施例提供了一种气路系统，所述气路系统包括气源2、第一控制阀3以及系统主体1。所述系统主体1包括多个阀门15，全部所述阀门15均与所述气源2连通，所述气源2能够向所述阀门15输送高压气体并打开所述阀门15。所述第一控制阀3设置于所述气源2与所述系统主体1之间，并控制所述气源2与所述系统主体1之间的通断。
[0041]本技术实施例提供的气路系统，用于为进行化学气相沉积的反应腔6供气，以及将反应腔6内的空气抽出，保证反应腔6处于真空的状态，以保证影响反应腔6内反应的正常进行。
[0042]在本实施例中，气路系统包括气源2、第一控制阀3以及系统主体1。系统主体1包括用于为反应腔6供气的输气管路11，以及用于将反应腔6内空气抽出的抽气管路12，系统主体1包括多个阀门15，多个阀门15分别设置于输气管路11和抽气管路12上，气路系统还包括阀岛14，通过阀岛本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气路系统，其特征在于，包括：气源(2)、第一控制阀(3)以及系统主体(1)；所述系统主体(1)包括多个阀门(15)，全部所述阀门(15)均与所述气源(2)连通，所述气源(2)能够向所述阀门(15)输送高压气体并打开所述阀门(15)；所述第一控制阀(3)设置于所述气源(2)与所述系统主体(1)之间，并控制所述气源(2)与所述系统主体(1)之间的通断。2.根据权利要求1所述的气路系统，其特征在于，所述气源(2)包括气罐(21)，所述气罐(21)用于储存高压气体；所述气罐(21)具有出气口，全部所述阀门(15)均与所述出气口连通。3.根据权利要求2所述的气路系统，其特征在于，还包括第一气路(4)；所述第一气路(4)一端与所述出气口连通，另一端具有多条与所述阀门(15)对应的支路，所述支路与对应的所述阀门(15)连通；所述第一控制阀(3)设置于所述第一气路(4)上，并控制所述第一气路(4)的通断。4.根据权利要求2所述的气路系统，其特征在于，所述气罐(21)上开设有与外界...

【专利技术属性】
技术研发人员：费腾，鞠子辰，周伟杰，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：