本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种抽气环结构及等离子体处理装置。该抽气环结构为内部空腔的环形腔体结构，沿抽气环结构的周向壁面设有排气面，排气面为连续交替设有凸部和凹部的波纹状排气面，相邻两个凸部和凹部之间由波纹斜面相接，各波纹斜面上...

本实用新型提供了一种改善遮边重复性装置及半导体沉淀设备，涉及半导体器件制作的技术领域，包括晶圆、阴影环、加热盘、支板机构和支架机构；晶圆位于阴影环和加热盘之间，加热盘具有放置晶圆的容置槽；通过阴影环能够对容置槽内的晶圆形成边缘防护，保证...

本发明涉及半导体制造设备技术领域，更具体的说，涉及一种针对异形孔喷淋板的工艺间隙校正工装及校正方法。本发明提供了一种针对喷淋板的工艺间隙校正工装，包括上方校准基准板、量块和下托板；所述上方校准基准板，通过量块与下托板连接；所述下托板，用...

本实用新型提供了一种防脱落陶瓷柱、一种晶圆加热盘以及一种半导体器件的加工装置。上述防脱落陶瓷柱包括：陶瓷柱本体；以及防脱槽，位于所述陶瓷柱本体的底部，并由长方型槽和圆柱型槽组成，其中，所述长方型槽位于所述圆柱型槽的下方，所述陶瓷柱本体在...

本发明提供了一种半导体器件的薄膜沉积装置、一种半导体器件、一种半导体器件的薄膜沉积方法以及一种计算机可读存储介质。该半导体器件的薄膜沉积装置包括反应腔、射频发生器、可调电容及控制器，其中，控制器被配置为：确定对半导体器件进行薄膜沉积时的...

本实用新型涉及半导体加工技术领域，具体提供了一种半导体装置及半导体设备，所述半导体装置包括：反应腔室，所述反应腔室内设有加热盘；真空夹持组件，与所述反应腔室内的所述加热盘连接；其中，所述真空夹持组件的数量与所述反应腔室数量相对应，在所述...

本实用新型提供了一种半导体设备喷头结构及气体输送装置，涉及半导体设备的技术领域，包括喷头主体；喷头主体贯穿开设有通孔，通孔沿着喷头主体的表面呈长条狭缝结构；通过长条狭缝结构的通孔取代圆孔，可以减少通孔的数量，方便加工和检测，而且长条狭缝...

本发明提供了一种改善沟槽填充能力的方法及其应用，涉及半导体的技术领域，包括以下步骤：在以沉积

本发明公开了一种反应腔的开腔机构、一种反应腔系统和一种半导体器件的加工装置。该开腔机构包括：至少一个升降机构，其底座连接该反应腔的侧面，其上部活动端连接该反应腔的腔盖，用于带动该腔盖进行上升及下降；以及机械限位装置，其底部设置于该升降机...

本申请涉及一种薄膜沉积方法。在本申请的一个实施例中，薄膜沉积方法包括：将前驱体从前驱体源注入工艺腔；以及将来自反应体源的反应体提供至所述工艺腔并向所述工艺腔施加等离子体以沉积薄膜，其中，在前驱体注入步骤和/或施加等离子体步骤中，将所述反...

本发明提供了一种半导体阻挡层的制备方法及阻挡层薄膜，该制备方法包括：在采用原子层沉积工艺制备该阻挡层的每个周期内，加热半导体基底，在第一脉冲时间内向反应腔室内的该半导体基底上通入金属化合物气体，接着在第二脉冲时间内通入载气进行吹扫，再在...

本发明涉及半导体设备技术领域，具体涉及一种基板及反应腔体结构。本发明提供的一种基板，所述基板呈圆柱体，所述基板的一个面为热吸收面，在所述基板的热吸收面上开设有贯通所述基板的圆孔，所述圆孔与所述基板同轴设置，所述热吸热面上开设有多个孔体，...

本实用新型提供了一种防脱落陶瓷柱以及一种半导体器件的加工装置。上述防脱落陶瓷柱包括：陶瓷柱本体，其中部设有通孔结构；以及所述定位销，其中，所述定位销的底部设有第一磁吸结构，所述第一磁吸结构穿过所述通孔结构连接所述晶圆托盘上的第二磁吸结构...

本实用新型提供了喷淋板冷却系统及喷淋板系统。该喷淋板冷却系统包括：喷淋上板；以及固定在所述喷淋上板下部的冷却圈。其中，所述喷淋上板的中心位置开设进气口，且所述喷淋上板的上部开设有环形的冷却水路，所述冷却水道具有进水口、出水口以及设有多个...

本实用新型提供了一种一种晶圆冷却平台、一种前端模组以及一种半导体器件的加工装置。上述晶圆冷却平台包括支撑架，其中，支撑架围绕待冷却晶圆的多个冷却侧，并伸入晶圆的底部以支撑晶圆，支撑架为中空结构，其内部通有冷却循环水；气体管道，嵌于支撑架...

本实用新型提供了一种裁剪装置。上述裁剪装置包括：基板；裁剪刀模块，包括传动臂，其第一端设有裁剪刀柄，其中部设有多个角度可调的刀片，其第二端经由旋转部连接基座；多个固定模块，其中，固定模块包括凹槽、限位滑块以及固定档条，凹槽设于基板并向对...

本实用新型提供了一种螺栓、一种螺纹连接结构、一种水平调节机构以及一种半导体器件的加工装置。该螺栓包括：螺杆；以及底座，其底部设有多层凹陷的受力机构，其中，第二层受力机构的深度大于第一层受力机构的深度，第二层受力机构的尺寸小于第一层受力机...

本实用新型提供了一种晶圆托盘的温控装置及半导体加工装置。所述温控装置包括：第一导热部，导热连接所述晶圆托盘的中心区域；第二导热部，导热连接换热器，并与所述第一导热部构成安装槽；以及半导体制冷器，位于所述安装槽中，其第一端接触所述第一导热...

本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种晶圆反应腔结构及反应设备。本实用新型提供的一种晶圆反应腔结构，包括反应底座、加热盘、上盖和检测机构，所述上盖连接于所述反应底座的上表面，所述反应底座内部形成有第一腔体，所述加热盘安装于所述第一腔...

本发明提供一种灯箱组件及紫外光处理装置，涉及密封结构技术领域，灯箱组件包括旋转机构和密封结构；所述旋转机构包括固定件；所述密封结构包括至少两个密封圈；至少两个所述密封圈均与所述固定件连接；沿所述密封圈的轴向，至少两个所述密封圈间隔设置。...