【技术实现步骤摘要】
半导体设备喷头结构及气体输送装置
[0001]本技术涉及半导体设备
,尤其是涉及一种半导体设备喷头结构及气体输送装置。
技术介绍
[0002]半导体设备进行沉积反应时,通常使用多孔结构的喷头来均匀特定区域有差异的供应薄膜沉积基底所需的气体、电场、温度等必要条件。
[0003]现有技术中,喷头的多孔结构中的孔的通常是垂直布置多个不同直径的点形成连续的线进行圆周回转切割形成,即现有技术中的喷头的通孔一般是采用直通的圆孔进行喷射操作。
[0004]但是,针对现有技术中12英寸的喷头结构上会有近万个通孔,因此保证通孔的一致性非常困难,以及对通孔的测量工作也是巨大的,另外,圆孔经常会存在堵塞的问题,导致喷头使用寿命降低。
技术实现思路
[0005]本技术的目的在于提供一种半导体设备喷头结构及气体输送装置,以缓解现有技术中存在的圆孔数量大,无法保证一致性,以及圆孔容易堵塞,导致使用寿命降低的技术问题。
[0006]本技术提供的一种半导体设备喷头结构,包括:喷头主体;
[0007]所述喷头 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体设备喷头结构,其特征在于,包括:喷头主体(100);所述喷头主体(100)贯穿开设有通孔(200),所述通孔(200)沿着所述喷头主体(100)的表面呈长条狭缝结构;所述喷头主体(100)包括喷头板(101)和连接部(102);所述喷头板(101)与所述连接部(102)之间形成容置空间(103),所述喷头板(101)朝向所述容置空间(103)的一侧为喷头面(111);所述通孔(200)包括连通布置的第一延伸段(201)和第二延伸段(202);所述第一延伸段(201)和所述第二延伸段(202)沿着所述喷头面(111)至另一端依次贯穿布置,所述容置空间(103)依次通过所述第一延伸段(201)和所述第二延伸段(202)与外部连通。2.根据权利要求1所述的半导体设备喷头结构,其特征在于,所述连接部(102)沿着所述喷头板(101)的圆周延伸布置,所述喷头板(101)和所述连接部(102)一体成型,所述通孔(200)沿着所述喷头面(111)至另一端贯穿布置。3.根据权利要求2所述的半导体设备喷头结构,其特征在于,所述第一延伸段(201)的内径大于所述第二延伸段(202)的内径,以使所述第一延伸段(201)至所述第二延伸段(202)呈“Y”字型贯通。4.根据权利要求3所述的半导体设备喷头结构,其特征在于,所述通孔(200)还包括与所述一...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘春,谈太德,苏欣,
申请(专利权)人:拓荆科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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