半导体装置的制造方法、记录介质以及基板处理装置制造方法及图纸

能够抑制金属元素从含钼膜的基底金属膜扩散，并且能够提高生产率。具有如下工序：(a)将基板收纳于处理室；(b1)将基板调整为第一温度；(b2)对基板供给含钼气体；(b3)对基板供给第一时间的还原气体；(b4)在(b1)之后，通过进行1次以上的(b2)和(b3)，在基板上形成第一含钼膜；(c1)在(b4)之后，将基板调整为第二温度；(c2)对基板供给含钼气体；(c3)对基板供给第二时间的还原气体；以及(c4)在(c1)之后，通过进行1次以上的(c2)和(c3)，在第一含钼膜上形成第二含钼膜。第二含钼膜。第二含钼膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法、记录介质以及基板处理装置


[0001]本公开涉及半导体装置的制造方法、记录介质以及基板处理装置。

技术介绍

[0002]作为具有3维构造的NAND型闪速存储器或DRAM的字线，例如使用低电阻的钨(W)膜。另外，有时在该W膜与绝缘膜之间形成例如氮化钛(TiN)膜或钼(Mo)膜作为阻挡膜(例如参照专利文献1及专利文献2)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2011
‑
66263号公报
[0006]专利文献2：国际公开第2019/058608号小册子

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]但是，在基底膜上使用含Mo气体和还原气体形成含Mo膜时，若在高温下成膜，则基底膜中所含的元素从基底膜向含Mo膜扩散。另一方面，若在低温下成膜，则基底膜中所含的元素从基底膜的扩散减少，但含Mo气体与还原气体的反应慢，必须延长供给时间。
[0009]本公开的目的在于提供一种能够抑制金属元素从含钼膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述制造方法具有如下工序：(a)将基板收纳于处理室；(b1)将所述基板调整为第一温度；(b2)对所述基板供给含钼气体；(b3)对所述基板供给第一时间的还原气体；(b4)在(b1)之后，通过进行1次以上的(b2)和(b3)，在所述基板上形成第一含钼膜；(c1)在(b4)之后，将所述基板调整为第二温度；(c2)对所述基板供给所述含钼气体；(c3)对所述基板供给第二时间的所述还原气体；以及(c4)在(c1)之后，通过进行1次以上的(c2)和(c3)，在所述第一含钼膜上形成第二含钼膜。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第二温度比所述第一温度高，所述第二时间比所述第一时间短。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第二温度为550℃以上且590℃以下。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一温度为445℃以上且505℃以下。5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一时间为10分钟以上且30分钟以下，所述第二时间为10秒以上且5分钟以下。6.根据权利要求1～5中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，以使所述第二温度与所述第二时间之积小于所述第一温度与所述第一时间之积的方式分别设定所述第一温度、所述第二温度、所述第一时间以及所述第二时间。7.根据权利要求1～6中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在惰性气体气氛下进行(c1)。8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述惰性气体是稀有气体。9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述稀有气体为氩气。10.根据权利要求1～6中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在对所述基板供给了所述还原气体的状态下进行(c1)。11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述还原气体为含氢气体。12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：栗林幸永，水野谦和，小川有人，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：