处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及处理装置。课题在于提供能够选择性地蚀刻特定区域的技术。解决手段包括：(a)通过向具有第1面和第2面的对象供给阻碍剂，从而使所述阻碍剂吸附于所述第2面的工序；(b)向所述第1面供给含第1卤元素的气体的工序；(c)向所述第1面供给含第2卤元素的气体的工序；和(d)将(b)和(c)进行N次，从而将所述第1面的至少一部分除去的工序。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及处理装置。

技术介绍

1、作为衬底处理工序(半导体器件的制造工序)的一个工序，有时进行通过将供给不同种类的气体的循环执行规定次数，从而对膜进行蚀刻的工序(例如参见专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2021-158142号公报

技术实现思路

1、专利技术所要解决的课题

2、但是，有时对特定区域选择性地进行蚀刻变得困难。

3、本专利技术提供能够对特定区域选择性地进行蚀刻的技术。

4、用于解决课题的手段

5、根据本专利技术的一个方式，提供一种技术，其具有：

6、(a)通过向具有第1面和第2面的对象供给阻碍剂，从而使所述阻碍剂吸附于所述第2面的工序；

7、(b)向所述第1面供给含第1卤元素的气体的工序；

8、(c)向所述第1面供给含第2卤元素的气体的工序；和

9、(d)将(b)和(c)进行n次，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.处理方法，其具有：

2.根据权利要求1所述的处理方法，其还具有通过将(a)和(d)进行M次，从而将所述第1面的至少一部分除去的工序。

3.根据权利要求1所述的处理方法，其中，所述第1面和所述第2面分别由能够通过(d)除去的材质构成。

4.根据权利要求1所述的处理方法，其中，所述第1面的除去速率低于所述第2面的除去速率。

5.根据权利要求1所述的处理方法，其中，所述第1面包含氧。

6.根据权利要求1所述的处理方法，其中，所述第2面包含氮。

7.根据权利要求1所述的处理方法，其中，所述第1面包含非过渡金属的元素，所述...

【技术特征摘要】

1.处理方法，其具有：

2.根据权利要求1所述的处理方法，其还具有通过将(a)和(d)进行m次，从而将所述第1面的至少一部分除去的工序。

3.根据权利要求1所述的处理方法，其中，所述第1面和所述第2面分别由能够通过(d)除去的材质构成。

4.根据权利要求1所述的处理方法，其中，所述第1面的除去速率低于所述第2面的除去速率。

5.根据权利要求1所述的处理方法，其中，所述第1面包含氧。

6.根据权利要求1所述的处理方法，其中，所述第2面包含氮。

7.根据权利要求1所述的处理方法，其中，所述第1面包含非过渡金属的元素，所述第2面包含过渡金属的元素。

8.根据权利要求1所述的处理方法，其中，所述第1面具有oh末端，所述第2面具有nh末端。

9.根据权利要求8所述的处理方法，其中，所述阻碍剂包含第...

【专利技术属性】
技术研发人员：水野谦和，小川有人，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：