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本发明涉及处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及处理装置。课题在于提供能够选择性地蚀刻特定区域的技术。解决手段包括：(a)通过向具有第1面和第2面的对象供给阻碍剂，从而使所述阻碍剂吸附于所述第2面的工序；(b)向所述第1面供给含第1卤元...
该专利属于株式会社国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社国际电气授权不得商用。

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