一种LPCVD设备用进气装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种LPCVD设备用进气装置，一种LPCVD设备用进气装置，包括封闭的进气总管，所述进气总管内设有反应气体输送管，所述反应气体输送管用于向反应室内输送反应气体，所述进气总管上设有冷却介质入口及冷却介质出口。本实用新型专利技术具有结构简单、减少堵塞管道的优点。道的优点。道的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种LPCVD设备用进气装置


[0001]本技术涉及LPCVD工艺
，尤其涉及一种LPCVD设备用进气装置。

技术介绍

[0002]目前市面上使用的LPCVD设备进气方式主要为法兰进气和管道进气两种。其中，法兰进气方式为环形进气或Y型气嘴进气；管道进气方式主要采用喷淋管进气或直流管进气。
[0003]为了避免硅烷在炉口区域反应过快，一般都会增加辅助进气装置，使得硅烷通过辅助进气装置能够直接输送至炉中到炉尾区域。
[0004]由于硅烷分解温度在400℃，LP工艺温度在600℃左右，高于硅烷的分解温度，因此硅烷在输送至炉中到炉尾的过程中，硅烷会部分分解，输送硅烷的管道长时间使用后，会有一层硅粉附着在管道内壁，经过一段时间工艺后，管道内壁附着的硅粉层变厚，通过氮气吹扫已无法改善。管道出现堵塞或者硅粉沉积严重时，会出现以下问题1、整舟电池片片间均匀性差异较大，无法达标；2、单片电池片边缘沉积时间不够，生长速率过慢；3、管道堵塞导致的流量计、气动阀等硬件损坏；4、设备维护周期短，影响设备使用率。并且随着硅粉沉积在管道内壁，会导致管道本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LPCVD设备用进气装置，其特征在于：包括封闭的进气总管(1)，所述进气总管(1)内设有反应气体输送管(2)，所述反应气体输送管(2)用于向反应室(5)内输送反应气体，所述进气总管(1)上设有冷却介质入口(3)及冷却介质出口(4)。2.根据权利要求1所述的LPCVD设备用进气装置，其特征在于：所述反应气体输送管(2)穿过进气总管(1)与反应室(5)连通。3.根据权利要求1所述的LPCVD设备用进气装置，其特征在于：所述反应气体输送管(2)一端封闭，所述反应气体输送管(2)上设有出气管(21)，所述出气管(21)穿过进气总管(1)与反应室(5)连通。4.根据权利要求3所述的LPCVD设备用进气装置，其特征在于：所述出气管(21)设有多根，多根所述出气管(21)沿反应气体输送管(2)长度方向间隔布置。5.根据权利要求3所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：左佳旺，吴志明，
申请(专利权)人：湖南红太阳光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：