一种适用于立式成膜设备的进气结构制造技术

本发明专利技术公开一种适用于立式成膜设备的进气结构，涉及半导体生产设备技术领域，主要结构包括进气室内设置的进气组合结构，进气组合结构中包括多个喷淋板，顶部的喷淋板与进气室内顶壁之间以及相邻的喷淋板之间分别设置有一进气层，进气室的侧壁上设置有多个进气口，每个进气层分别与一进气口相连通；每个进气层均独立的与反应室相连通。采用分层进气，反应气具备单独流道并用保护气体隔离的方式可减少反应气于进气室流道内混合反应形成沉积，长期进行薄膜制备仍有可能存在杂质附着和表面破损的情况。组件组合流道可及时更换组件确保进气均匀，使外延膜品质一致。各层流道通道数量和导管安装位置可根据情况进行调整，以满足不同生长工艺需要。不同生长工艺需要。不同生长工艺需要。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于立式成膜设备的进气结构


[0001]本专利技术涉及半导体生产设备
，特别是涉及一种适用于立式成膜设备的进气结构。

技术介绍

[0002]成膜装置可长期稳定进行外延薄膜晶片制备，被广泛应用于半导体行业。立式成膜装置采用顶部进气室向下供气，晶片衬底随基座高速旋转的方式实现反应气体与晶片均匀接触，提高膜厚一致性。进气室内反应气体混合并于接触面发生反应形成沉积，随着气体流动，固体微粒可能落至晶片表面影响成膜质量。
[0003]进气室内部设置不同气体流道隔离反应气体，使反应气体相对独立地进入反应室避免提前反应生成杂质沉积于进气室壁面。进气室出气端气体可能存在向其他气体出气口蔓延，于喷嘴处形成沉积物。

技术实现思路

[0004]为解决以上技术问题，本专利技术提供一种适用于立式成膜设备的进气结构，反应气沿喷头垂直向下穿过保护气区域并于进气室下端部喷出，喷出口周围具有环形的保护气喷气口，于出气端部分隔两种反应气，避免反应气于端部混合后发生沉积。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于立式成膜设备的进气结构，其特征在于，包括进气室、反应室和基座；所述进气室底部设置有所述反应室，且所述进气室与所述反应室相连通；所述基座位于所述反应室内下部，且所述基座位于所述进气室正下方；所述基座顶部用于承托晶片；所述基座内设置有基座热场，所述基座热场用于对所述晶片加热；所述反应室底部设置有排气口；所述反应室内设置有套筒，所述套筒与所述反应室的侧壁之间设置有上部热场；所述进气室内设置有进气组合结构，所述进气组合结构中包括由上到下依次设置的多个喷淋板，顶部的所述喷淋板与所述进气室内顶壁之间以及相邻的所述喷淋板之间分别设置有一进气层，所述进气室的侧壁上设置有多个进气口，每个所述进气层分别与一所述进气口相连通；每个所述进气层均独立的与所述反应室相连通。2.根据权利要求1所述的适用于立式成膜设备的进气结构，其特征在于，所述进气组合结构包括由上到下依次设置的第一喷淋板、第二喷淋板、第三喷淋板和第四喷淋板；所述第一喷淋板上设置有至少一个通光孔导管；所述通光孔导管的位置与所述进气室顶部的测温视窗相对应；所述第二喷淋板上设置有至少一个与所述第一喷淋板上的通光孔导管相对应的通光孔导管以及一个喷头；所述第三喷淋板上设置有...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘鹏，徐文立，沈磊，
申请(专利权)人：宁波恒普真空科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：