本实用新型专利技术公开一种排气结构，涉及成膜装置技术领域，包括：排气结构主体，所述排气结构主体能够设置于成膜装置的反应腔室底部，所述排气结构主体上设置有排气口，所述排气口能够与所述反应腔室连通，以将所述反应腔室内的气体排出；所述排气口设置有多个，全部所述排气口能够环绕所述反应腔室内的基座均布。本实用新型专利技术还公开一种成膜装置，包括上述的排气结构。本实用新型专利技术中能够实现反应腔室的多侧出气，保证出气均匀，有利于成膜膜厚均匀。有利于成膜膜厚均匀。有利于成膜膜厚均匀。
【技术实现步骤摘要】
排气结构以及成膜装置
[0001]本技术涉及成膜装置
，特别是涉及一种排气结构以及成膜装置。
技术介绍
[0002]半导体晶片制备时，成膜装置的反应腔室内部处于常压或负压状态，原料气体进入反应腔室内部与晶圆衬底接触进行外延生长；为保证进气均匀稳定，反应后的气体从反应腔室底部基座下方的排气口快速排出，成膜过程中反应腔室内部气氛保持动态平衡。
[0003]排气口是反应腔室和排气管路的连通口，排气口的位置分布影响气体流动和排气速率，因此，排气口设置的位置应尽量避免改变气体原本流动趋势，简化排气端气体流道。但目前反应腔室仅在底部单侧设置排气口，实现单侧排气，在单侧排气时，气体朝向一侧聚集，不利于成膜膜厚均匀。
技术实现思路
[0004]本技术的目的是提供一种排气结构以及成膜装置，以解决上述现有技术存在的问题，能够实现反应腔室的多侧出气，保证出气均匀，有利于成膜膜厚均匀。
[0005]为实现上述目的，本技术提供了如下方案：
[0006]本技术提供一种排气结构，包括：排气结构主体，所述排气结构主体能够设置于成膜装置的反应腔室底部，所述排气结构主体上设置有排气口，所述排气口能够与所述反应腔室连通，以将所述反应腔室内的气体排出；所述排气口设置有多个，全部所述排气口能够环绕所述反应腔室内的基座均布。
[0007]优选的，所述排气结构主体为圆形结构，全部所述排气口沿圆周均布。
[0008]优选的，所述排气口沿竖直方向贯穿所述排气结构主体。
[0009]优选的，所述排气结构主体上还均布有多个预留孔，所述预留孔与所述排气口沿周向交替设置；其中，所述预留孔还配备有管堵，所述管堵能够封堵所述预留孔。
[0010]优选的，所述排气结构主体上还设置有环形的缓冲区，所述缓冲区能够环绕所述基座设置，所述排气口的顶部与所述缓冲区的底部连通，所述缓冲区的顶部设置有顶盖，所述顶盖上设置有透气孔，以使所述反应腔体内的气体进入所述缓冲区内。
[0011]优选的，所述排气结构主体包括圆形底板，所述圆形底板的外缘设置有环形侧板，所述环形侧板与所述圆形底板垂直，所述排气口沿径向贯穿所述环形侧板。
[0012]优选的，所述排气结构主体的底部还连接有收集装置，所述收集装置能够收集所述反应腔室内的液态沉积物，且所述收集装置的外侧套设有冷却夹套。
[0013]优选的，所述排气结构主体的内壁上还覆盖有防沉积层，所述防沉积层能够抑制所述反应腔室内的气体在所述排气结构主体上产生沉积。
[0014]优选的，所述排气口内还设置有防沉积套管，所述防沉积套管能够抑制所述反应腔室内的气体在所述排气口处产生沉积。
[0015]本技术还提供一种成膜装置，包括上述的排气结构。
[0016]本技术相对于现有技术取得了以下有益技术效果：
[0017]本技术中排气口设置有多个，且全部排气口能够环绕反应腔室内的基座均布，从而能够实现反应腔室的多侧出气，保证出气均匀，有利于成膜膜厚均匀。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1为本技术实施例一中立式成膜装置反应腔室内部布局图；
[0020]图2为本技术实施例一中排气结构上排气口的分布图；
[0021]图3为本技术实施例二中排气口沿径向设置的结构图；
[0022]图4为本技术实施例二中收集装置示意图；
[0023]图5为本技术实施例三中增设环形缓冲区的结构图；
[0024]图6为本技术实施例三中排气口和顶盖位置关系图；
[0025]图7为本技术实施例三中排气口处去掉顶盖后的环形流道示意图；
[0026]其中，1为进气室，2为反应腔室，3为上部套筒，4为下部套筒，5为基座，6为防沉积层，7为防沉积套管，8为排气口，9为管堵，10为横向排气口，11为阀门，12为收集装置，13为顶盖，14为缓冲区。
具体实施方式
[0027]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0028]本技术的目的是提供一种排气结构以及成膜装置，以解决上述现有技术存在的问题，能够实现反应腔室的多侧出气，保证出气均匀，有利于成膜膜厚均匀。
[0029]为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。
[0030]实施例一
[0031]如图1
‑
图2所示，本实施例中提供一种排气结构，主要包括排气结构主体，所述排气结构主体能够设置于成膜装置的反应腔室2底部，所述排气结构主体上设置有排气口8，所述排气口8能够连通所述反应腔室2以及排气管路，以将所述反应腔室2内的气体排出；其中，所述排气口8设置有多个，且全部所述排气口8能够环绕所述反应腔室2内的基座5均布，从而能够实现反应腔室2的多侧出气，保证出气均匀，有利于成膜膜厚均匀。
[0032]进一步地，需要进行说明的是，如图1所示，本实施例中成膜装置为立式成膜装置，主要包括反应腔室2，反应腔室2的顶部设置有进气室1，底部设置有基座5，基座5上用于放置晶片，在反应腔室2内还设置有套筒，能够为气体进行导向，其中，套筒包括由上至下设置的上部套筒3和下部套筒4，上部套筒3位于进气室1和基座5之间，下部套筒4环绕基座5设
置，且与基座5之间形成流道。在本实施例中，反应腔室2内的气体由气源经顶部进气室1供给，气体从进气室1底部设置的喷嘴出气，沿套筒形成的流道向下流动，与位于进气室1正下方的基座5表面上的晶片接触反应进行外延生长，尾气沿横向流动脱离晶片，并斜向下流动至反应腔室2底部的排气口8。
[0033]在本实施例中，反应腔室2内的气体保持从上到下的趋势经底部的排气口8进入排气管路，减少气体向流道外侧扩散与反应腔室2内部组件接触。
[0034]在本实施例中，进气室1供给成膜过程中需要的各种原料气体，调整气体流向提高进气均匀性；套筒用于气体导向，使气体按预定的流向与晶片接触，减少气体向外扩散；而基座5与进气室1正对，用于装载和承托晶片；反应气体与晶片接触反应外延生长后，剩余的气体沿横向经下部套筒4和基座5壁面形成的环形流道至底部的排气口8，并经排气口8抽离反应腔室腔体；其中，排气口8还可以连接真空管道，通过真空泵将反应腔室2内剩余的气体以及沉积物等杂质抽出，真空管道还可以连接收集装置，本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种排气结构，其特征在于：包括：排气结构主体，所述排气结构主体能够设置于成膜装置的反应腔室底部，所述排气结构主体上设置有排气口，所述排气口能够与所述反应腔室连通，以将所述反应腔室内的气体排出；所述排气口设置有多个，全部所述排气口能够环绕所述反应腔室内的基座均布。2.根据权利要求1所述的排气结构，其特征在于：所述排气结构主体为圆形结构，全部所述排气口沿圆周均布。3.根据权利要求1或2所述的排气结构，其特征在于：所述排气口沿竖直方向贯穿所述排气结构主体。4.根据权利要求3所述的排气结构，其特征在于：所述排气结构主体上还设置有环形的缓冲区，所述缓冲区能够环绕所述基座设置，所述排气口的顶部与所述缓冲区的底部连通，所述缓冲区的顶部设置有顶盖，所述顶盖上设置有透气孔，以使所述反应腔室内的气体进入所述缓冲区内。5.根据权利要求4所述的排气结构，其特征在于：所述排气结构主体上还均布有多个预留孔，所述预留孔与所述排气口沿周向交替设置...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘鹏，徐文立，唐凯凯，沈磊，
申请(专利权)人：宁波恒普真空科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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