本实用新型公开一种立式成膜设备，涉及半导体生产设备技术领域，主要结构包括进气室、反应室、基座、旋转室和旋转轴；进气室设置于反应室顶部；反应室内设置有基座；反应室下方设置有旋转室，旋转轴设置于旋转室内，且旋转轴的顶部伸入反应室内与基座相连...

本实用新型公开一种排气结构，涉及成膜装置技术领域，包括：排气结构主体，所述排气结构主体能够设置于成膜装置的反应腔室底部，所述排气结构主体上设置有排气口，所述排气口能够与所述反应腔室连通，以将所述反应腔室内的气体排出；所述排气口设置有多个...

本发明公开一种立式成膜装置，涉及半导体材料生产设备技术领域，主要结构包括进气室、反应室和搬运室；所述进气室设置于所述反应室的顶部，所述搬运室设置于所述反应室一侧，且所述搬运室与所述反应室之间设置有阀门。本发明中的立式成膜装置，感应热场加...

本实用新型公开了一种气相生长基板独立提升机构及转运系统，提升机构包括升降杆、支撑座、支撑杆和升降驱动装置，升降杆顶部连接支撑座，升降杆底部穿过基座底部的旋转室连接升降驱动装置，支撑杆设置于支撑座的顶部，基座内腔顶部设置的热场和保温组件上...

本实用新型公开一种用于测量晶片转速的装置及晶片制备系统，包括用于加热晶片的反应室、用于承载晶片的晶片承载基座，晶片承载基座转动连接在反应室内，晶片的外周边缘开设有缺角，缺角处露出晶片承载基座的部分结构，第一辐射温度计的测温点对应在晶片的...

本实用新型公开了一种提高晶片受热升温效率的成膜装置，涉及单晶炉技术领域，包括炉体，炉体包括进气室和反应室，进气室位于反应室的上方，进气室的上端设有进气孔，反应室的下端设有出气孔，进气室与反应室相连通；反应室内设有套筒；套筒的内侧内设有基...

本实用新型公开一种立式成膜装置基座，涉及半导体晶片制备技术领域，包括转台组件和基板，所述基板设置于所述转台组件上，所述基板用于装载晶片，所述转台组件内能够设置有功能组件；所述转台组件包括转台和底部转盘，所述转台可拆卸安装于所述底部转盘上...

本实用新型公开一种改善腔室内部温度均匀性的立式成膜设备，包括进气室、反应气体流道、基座、电极组件和炉体保温层，在反应气体流道和反应室上部之间设置套筒，上部热场先加热套筒，套筒再将热量辐射至经过的气体，基座内热场固定，基座顶部基板随基座转...

本实用新型公开了用于成膜装置的热场保温组件及立式成膜装置，通过在热场外周设置由内、外保温筒叠套组成的组合式保温筒结构，可包裹与热场中所有发热体相连的所有石墨电极的周边区域，内保温筒可遮挡每个石墨电极的轴向延伸大部分区域，减少石墨电极的受...

本实用新型公开一种晶体生长炉，包括炉体、热场、感应线圈、大炉盖、小炉盖和升降模组，炉体固定在框架上，热场放置在热场支撑柱上，热场支撑柱放置在小炉盖上，可随小炉盖移动，感应线圈固定在线圈支撑柱上，线圈支撑柱放置在大炉盖上，电极由大炉盖引出...

本实用新型公开了一种成膜装置晶片基座，包括基座本体，基座本体设置于成膜装置反应室的下部，基座本体由旋转驱动机构带动基座本体旋转；基座本体的顶部放置用于承载晶片的基板；基座本体内部设置有发热体和保温组件；发热体设置于基板的底部，保温组件设...

本实用新型公开了一种管道或阀门的模块化转接头，包括转接头本体，所述转接头本体为长方体结构，所述转接头本体的至少两个端面上设置有互通的接口，各所述接口之间通过所述转接头本体的内腔连通，设置有所述接口的所述转接头本体的端面上设置有连接螺孔，...

本发明公开了一种可分段提升旋转的立柱机构及立式成膜装置，涉及半导体制备技术领域，反应室提升立柱包括第一驱动结构和中心轴结构，第一驱动结构驱动中心轴结构沿中心轴结构的轴向运动，进气室提升立柱包括第二驱动结构、转轴和转轴外筒，转轴与进气室主...

本实用新型公开了一种抑制气相生长时侧壁沉积的吹扫系统，包括吹扫进气口、吹扫流道和吹扫出气口，所述吹扫进气口设置于基座底部的底板上，所述基座设置于反应室下炉体的中心位置处，所述底板顶部的所述基座外部还套设有石英罩，所述石英罩内开设有与所述...

本实用新型公开一种可稳定控温改善晶片生长均匀性的立式成膜装置，包括反应腔室、多区域控温机构和特定点位，反应腔室内热场分为上、下两部分，分别用于过程气体预热和晶片加热，且均为多区分布热场，成膜装置顶部至少安装有两个测温元件，成膜工艺过程中...

本发明公开一种可稳定控温改善晶片生长均匀性的立式成膜装置，包括反应腔室、多区域控温机构和特定点位，反应腔室内热场分为上、下两部分，分别用于过程气体预热和晶片加热，且均为多区分布热场，成膜装置顶部至少安装有两个测温元件，成膜工艺过程中监测...

本发明公开一种具有可伸入腔体的多通道功能轴的立式成膜设备，涉及半导体生产设备技术领域，主要结构包括进气室、反应室、套筒流道、搬运系统、基座、旋转室和旋转轴；旋转轴为中空轴，旋转轴内同轴的设置有一多通道功能轴；提升杆贯穿多通道功能轴；多通...

本发明公开一种用于延长气相生长基座内热场寿命的结构，涉及半导体生产设备技术领域，包括进气室、反应室和基座；进气室底部设置有反应室，且进气室与反应室相连通；基座位于反应室内下部，且基座位于进气室正下方；基座顶部用于承托晶片；基座内设置有基...

本发明公开了一种用于对接使用的双螺栓头螺栓及其连接方法，涉及螺栓技术领域，包括螺栓本体、活动螺纹套和限位杆，螺栓本体的一端设有螺栓外螺纹，螺栓本体的另一端固定有连接柱，活动螺纹套转动连接于连接柱的外侧，活动螺纹套的外壁上设有螺纹套外螺纹...

本实用新型公开一种应用于立式外延设备的联动提升机构，涉及晶片制备技术领域；包括位于反应室中心位置处的基座，基座顶部用于装载基板；反应室内壁环设有上保温层，上保温层下部设有能够升降的下保温层；反应室外底部设有联动提升机构，联动提升机构包括...