一种气相生长基板独立提升机构及转运系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种气相生长基板独立提升机构及转运系统，提升机构包括升降杆、支撑座、支撑杆和升降驱动装置，升降杆顶部连接支撑座，升降杆底部穿过基座底部的旋转室连接升降驱动装置，支撑杆设置于支撑座的顶部，基座内腔顶部设置的热场和保温组件上设置有供支撑杆通过的通道，支撑杆能够向上顶升基座顶部放置的基板；转运系统包括气相生长基板独立提升机构、运转室、基板暂存室和盒室；本实用新型专利技术在基座内增加基板独立抬升机构并与搬运装置联动，可在短时间内实现成膜后基板搬出和移入待成膜基板。该运转过程不需要打开反应腔室，实现连续生产；设置整套的转运系统，配合提升机构，全程通过机械臂进行转运，整个转运过程方便快捷。程方便快捷。程方便快捷。

【技术实现步骤摘要】
一种气相生长基板独立提升机构及转运系统


[0001]本技术涉及半导体成膜装置
，特别是涉及一种气相生长基板独立提升机构及转运系统。

技术介绍

[0002]立式成膜装置，晶片衬底位于下炉体基座上。成膜过程中，过程气体从反应室顶部向下流动至晶片衬底表面进行外延生长，同时满足晶片表面达到反应温度以及适当的转速。连续进行成膜工艺，需将成膜后的基板或晶片搬出反应室，再搬入新的晶片衬底。目前，晶片的运转过程中，需要打开反应腔室，停止生产，具有工作效率低的缺陷。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是提供一种气相生长基板独立提升机构及转运系统，以解决上述现有技术存在的问题，在基座内增加基板独立抬升机构并与搬运装置联动，可在短时间内实现成膜后基板搬出和移入待成膜基板。该运转过程不需要打开反应腔室，实现连续生产。
[0004]为实现上述目的，本技术提供了如下方案：
[0005]本技术提供一种气相生长基板独立提升机构，包括升降杆、支撑座、支撑杆和升降驱动装置，所述升降杆顶部连接所述支撑座，所述升降杆底部穿过基座底部的旋转室连接所述升降驱动装置，所述支撑杆设置于所述支撑座的顶部，所述基座内腔顶部设置的热场和保温组件上设置有供所述支撑杆通过的通道，所述支撑杆能够向上顶升所述基座顶部放置的基板。
[0006]优选地，所述基座内还设置有导向块，所述导向块套设于所述升降杆的外部，用于所述升降杆的升降导向。
[0007]优选地，所述升降驱动装置为设置于所述旋转室底部的一气缸。
[0008]优选地，所述升降杆与所述导向块之间设置有密封圈。
[0009]优选地，所述升降杆与所述支撑座螺纹连接。
[0010]优选地，所述支撑杆设置有多根，每根所述支撑杆均螺纹连接于所述支撑座的顶部。
[0011]本技术还提供了一种气相生长基板转运系统，包括上述气相生长基板独立提升机构、运转室、基板暂存室和盒室，所述运转室设置于反应室的一侧，所述运转室内设置有机械臂，所述基板暂存室内设置有升降台；所述基板中心处设置有一能够独立拆卸的晶片提升盘，所述机械臂将反应室内的成膜完成后的晶片连同所述基板转运到所述运转室后，转运至所述基板暂存室内，所述基板暂存室内的升降台由所述基板底部向上顶升所述晶片提升盘，所述晶片提升盘带动所述晶片脱离所述基板，所述机械臂再将晶片转运至所述盒室
[0012]优选地，所述基板的中心处设置有一带有卡接台肩的通孔，所述晶片提升盘卡接
于所述通孔处，所述升降台通过所述通孔顶推所述晶片提升盘使所述晶片提升盘脱离所述通孔。
[0013]优选地，所述运转室与所述反应室之间设置有隔断阀。
[0014]本技术相对于现有技术取得了以下有益技术效果：
[0015]1、本技术提供的气相生长基板独立提升机构及转运系统，在基座内增加基板独立抬升机构并与搬运装置联动，可在短时间内实现成膜后基板搬出和移入待成膜基板。该运转过程不需要打开反应腔室，实现连续生产，提高生产效率。
[0016]2、本技术提供的气相生长基板独立提升机构及转运系统，设置整套的转运系统，配合提升机构，全程通过机械臂进行转运，整个转运过程方便快捷。
[0017]3、在半导体晶片薄膜生长过程中，有部分反应气沉积于基板外周部分影响后续成膜质量，需定期进行清理打磨。生产过程中发生晶片偏移、飞片等情况也可通过提升机构来提升基板搬运至反应室外。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1为实施例一中气相生长基板独立提升机构的结构示意图；
[0020]图2为实施例一中气相生长基板独立提升机构工作状态的结构示意图；
[0021]图3为实施例二中气相生长基板转运系统的结构示意图；
[0022]图4为实施例二基板的结构示意图；
[0023]图中：1
‑
反应室、2
‑
隔断阀、3
‑
运转室、4
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机械臂、5
‑
晶片、6
‑
基板、7
‑
支撑座、8
‑
升降杆、9
‑
导向块、10
‑
旋转室驱动电机、11
‑
旋转室、12
‑
升降驱动装置、13
‑
保温组件、14
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热场、15
‑
基座、16
‑
晶片提升盘、17
‑
基板暂存室、18
‑
升降台、19
‑
盒室、20
‑
支撑杆。
具体实施方式
[0024]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0025]本技术的目的是提供一种气相生长基板独立提升机构及转运系统，以解决现有技术存在的问题。
[0026]为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。
[0027]实施例一：
[0028]本实施例提供一种气相生长基板独立提升机构，如图1所示，包括升降杆8、支撑座7、支撑杆20和升降驱动装置12，升降杆8顶部连接支撑座7，升降杆8底部穿过基座15底部的旋转室11连接升降驱动装置12，支撑杆20设置于支撑座7的顶部，基座15内腔顶部设置的热
场14和保温组件13上设置有供支撑杆20通过的通道，支撑杆20能够向上顶升基座15顶部放置的基板6。
[0029]于本具体实施例中，基座15内还设置有导向块9，导向块9套设于升降杆8的外部，用于升降杆8的升降导向；导向块9的设置能够保证升降杆8的升降轨迹不歪斜，避免碰撞保温组件13和热场14，升降杆8与导向块9之间设置有密封圈，升降杆8动作升降过程时仅与密封圈产生少量摩擦，进一步起到导向作用，同时避免升降杆8与导向块9直接接触影响升降过程。
[0030]于本具体实施例中，升降驱动装置12为设置于旋转室11底部的一气缸。旋转室11内设置有驱动基座旋转的旋转室驱动电机10；升降杆8与支撑座7螺纹连接，支撑杆20设置有多根，每根支撑杆20均螺纹连接于支撑座7的顶部。
[0031]本实施例中的气相生长基板独立提升机构在工作时，启动气缸，气缸驱动升降杆8上升，升降杆8上升使支撑杆20向上顶推基板6，基板本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气相生长基板独立提升机构，其特征在于：包括升降杆、支撑座、支撑杆和升降驱动装置，所述升降杆顶部连接所述支撑座，所述升降杆底部穿过基座底部的旋转室连接所述升降驱动装置，所述支撑杆设置于所述支撑座的顶部，所述基座内腔顶部设置的热场和保温组件上设置有供所述支撑杆通过的通道，所述支撑杆能够向上顶升所述基座顶部放置的基板。2.根据权利要求1所述的气相生长基板独立提升机构，其特征在于：所述基座内还设置有导向块，所述导向块套设于所述升降杆的外部，用于所述升降杆的升降导向。3.根据权利要求1所述的气相生长基板独立提升机构，其特征在于：所述升降驱动装置为设置于所述旋转室底部的一气缸。4.根据权利要求2所述的气相生长基板独立提升机构，其特征在于：所述升降杆与导向块之间设置有密封圈。5.根据权利要求1所述的气相生长基板独立提升机构，其特征在于：所述升降杆与...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘鹏，徐文立，唐凯凯，沈磊，
申请(专利权)人：宁波恒普真空科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：