通过优化外延基座解决外延滑移线问题的方法技术

本发明专利技术涉及一种通过优化外延基座解决外延滑移线问题的方法，所属晶圆外延工艺技术领域，包括如下操作步骤：第一步：在外延基座上开设深度大于晶圆厚度H的晶圆外延基座口袋。第二步：在晶圆外延基座口袋中心铣加工出低于晶圆外延基座口袋外圈底部尺寸T的中心凹槽。第三步：接着以晶圆外延基座口袋外圈底部为基准加工倾斜角为C

【技术实现步骤摘要】
通过优化外延基座解决外延滑移线问题的方法


[0001]本专利技术涉及晶圆外延工艺
，具体涉及一种通过优化外延基座解决外延滑移线问题的方法。

技术介绍

[0002]气相沉积CVD的基本原理涉及反应化学、热力学、动力学、转移机理、膜生长现象和反应工程。主要以金属蒸气、挥发性金属卤化物、氢化物或金属有机化合物等蒸气为原料，进行气相热分解反应，以及两种以上单质或化合物的反应，再凝聚生成各种形态的材料。化学气相沉积工艺中，沉积薄膜的均匀性极为重要，薄膜的均匀性主要受到炉内气体分布的影响。化学气相沉积过程是一个极为复杂的化学过程，气体是否均匀分布会对工艺的沉积速率、膜层的致密性、薄膜均匀性等产生较大影响。通常来说化学气相沉积受气体流场等工艺因素影响均匀性难以保证，为了提高涂层均匀性一般采用石墨盘旋转工艺，可以达到稳定生产的目的。
[0003][术语解释]CVD：化学气相沉积是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种通过优化外延基座解决外延滑移线问题的方法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：在外延基座（6）上开设深度大于晶圆（3）厚度H的晶圆外延基座口袋（5）；第二步：在晶圆外延基座口袋（5）中心铣加工出低于晶圆外延基座口袋（5）外圈底部尺寸T的中心凹槽（1）；第三步：接着以晶圆外延基座口袋（5）外圈底部为基准加工倾斜角为C
°
的口袋底座斜坡（4），口袋底座斜坡（4）与中心凹槽（1）间通过过渡斜坡（2）进行过渡连通；第四步：将晶圆（3）放置到晶圆外延基座口袋（5）内，在气相沉积CVD外延加工过程中，实现减小中晶圆在晶圆外延基座口袋（5）径向温度梯度变化，避免产生滑移线。2.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯会来，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：