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本发明涉及一种通过优化外延基座解决外延滑移线问题的方法，所属晶圆外延工艺技术领域，包括如下操作步骤：第一步：在外延基座上开设深度大于晶圆厚度H的晶圆外延基座口袋。第二步：在晶圆外延基座口袋中心铣加工出低于晶圆外延基座口袋外圈底部尺寸T的中心...
该专利属于杭州中欣晶圆半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州中欣晶圆半导体股份有限公司授权不得商用。

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